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正文內(nèi)容

集成電路版圖設(shè)計(jì)教程(參考版)

2025-01-10 01:53本頁面
  

【正文】 5. 雙極集成電路 (1) 五管單元與非門 電路圖的隔離區(qū) 版圖 (2) 通用集成運(yùn)放 電路圖 版圖 。M M2與差分輸入對(duì)管的連接也用 Metal2,并且用襯底接觸把整個(gè)版圖包圍。在阱外用 P襯底接觸把 P管整個(gè)包圍起來,然后復(fù)制 M2管,由于 M1和 M2之間有襯底接觸,它們的電源線就用 Metal2連接。 CMOS放大器的版圖 考慮對(duì)稱性,兩個(gè) P管只要畫一個(gè),另一個(gè)通過復(fù)制而成。 Metal2有很多通孔和很寬的導(dǎo)線,使電流能夠順利通過。 中心區(qū)域多晶交叉連接細(xì)節(jié)圖 M3和 M4的寬長比很大, M3a、 M3b、 M4a和 M4b都采用多管并聯(lián)的結(jié)構(gòu)。 4. CMOS放大器 電路圖 五個(gè)器件的布局 分割輸入器件實(shí)現(xiàn)四方交叉:將 M3變?yōu)?M3a和 M3b, M4變?yōu)?M4a和 M4b,就可以實(shí)現(xiàn)四方交叉,保證輸入器件的對(duì)稱性。 CPb線在水平和垂直方向的連接采用金屬過渡。 4)主觸發(fā)器采用鐘控反相器,節(jié)省一根金屬連線。 2)第 1行和第 4行構(gòu)成傳輸門,雖然被第 3行分隔開,但這兩行 MOS管不需要多晶共用,只用金屬進(jìn)行源漏連接,即使這些金屬連線跨過中間兩行有源區(qū),也不會(huì)形成寄生 MOS管。 3. CMOS D觸發(fā)器 (1) 無置位和復(fù)位端的 D觸發(fā)器
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