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正文內(nèi)容

集成電路版圖基礎(chǔ)-電容(參考版)

2025-05-03 18:27本頁面
  

【正文】 ?由于集成電路中電容器上下極板交錯分布,面積不等,極板邊緣效應(yīng)更加明顯 ?為了減小邊緣電容的影響,版圖設(shè)計(jì)中盡量不拆分電容 關(guān)于實(shí)驗(yàn) ?一次版圖分析實(shí)驗(yàn),三次版圖設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn) ?版圖分析實(shí)驗(yàn)報(bào)告應(yīng)有實(shí)驗(yàn)結(jié)果為分析所得電路。稱為 極板邊緣效應(yīng) 。淀積多晶硅前先摻雜下電極板區(qū)域,再生長柵氧化層和淀積作上電極的多晶硅 ?多晶硅 擴(kuò)散區(qū)電容器; N阱電容 ? N阱電容的優(yōu)缺點(diǎn) ?單位電容值大 ?電容值隨上極板
點(diǎn)擊復(fù)制文檔內(nèi)容
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