反相器電路版圖及特性-展示頁
2025-05-08 05:07本頁面
【正文】 值表 PMOS NMOS (1) 當(dāng) Vin=‘0’時(shí)， VGS2=5V, VGS1=0V |VGS2||Vthp|, VGS1Vthn PMOS導(dǎo)通 NMOS截止 output=‘1’ (2) 當(dāng) Vin=‘1’時(shí)， VGS2=0V, VGS1=+5V |VGS2||Vthp|, VGS1Vthn PMOS截止 NMOS導(dǎo)通 output=‘0’ Effects of changing the bn/bp Ratio 223。=KPn*W/L 在工藝相同的情 況下，一般 KPn=3KPp 如果要使得 223。p 則必須要滿足 （ W/L)p=3(W/L)n 反相器的時(shí)序特性 (1)Rise and Fall times are measured between the 10% and 90% points in a transition. (tr 和 tf 的定義） (2)Delay time is measured between the 50% point in the input and the 50% point in the output. 反相器的延遲 延遲時(shí)間的計(jì)算 (估算） ? ?l o a do u tpt o tpP L H CCRCRt ??????
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