反相器電路版圖及特性(文件)
【正文】 Red Blue Magenta Black Black Black Select (p+,n+) Green ?IntraLayer Design Rules(設(shè)計規(guī)則 ) 規(guī)定各層次的最小寬度和最小間距 ,相關(guān)層次之間的最小間距 . Metal2 4 3 1090 W ellActive33Poly silicon22Differen t Pote ntialSame Poten tialMetal1332Cont actor V iaSelect2or62HoleNWELL(N阱 ) Poly(多晶硅 ) P+(P擴散 ) N+(N擴散 ) Contact(接觸孔 ) Metal(金屬 ) 反相器版圖 CMOS層次 MASK1 MASK2 MASK3 MASK4 MASK5 MASK6 掩模版層次 版圖文件 : GDSII,CIF格式 版圖設(shè)計 生成 MASK 交給工廠生產(chǎn) 版圖設(shè)計工程師完成 掩模工廠完成 芯片前道工廠完成 版 圖 處 理 流 程 兩種典型的倒相器版圖 (Two Typical Inverter Layout Styles) 閂鎖效應(yīng) (Latchup) ?此尖峰可以導(dǎo)致閂鎖效應(yīng) (latchup). ?通過 C2 電容的下降沿尖峰使得晶體管 Q2導(dǎo)通 . ?電流流經(jīng)晶體管 Q2 導(dǎo)致 RW1 和 RW2 上的電壓下降 ,并使得 Q1管導(dǎo)通 . ?流經(jīng) 晶體管 Q1 的電流在電阻 RS1 和 RS2 上產(chǎn)生壓降 ,使得 Q2進一步導(dǎo)通 . ? 通過 C1的上升沿尖峰具有和前面同樣
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