集成電路版圖設計(2)-展示頁
2025-01-16 01:54本頁面
【正文】 線層數(shù) 電源電壓(V) W/L 閥值電壓 （ V） 31級環(huán)行振蕩器頻率(MHz) NMOS PMOS 3 2 MOSIS為 TSMC ?mCMOS工藝定義的全部工藝層 層名 層號 (GDSII) 對應的 CIF名稱 說明 Contact 25 CCC 接觸孔 N_well 42 CWN N阱 Active 43 CAA 有源層 P_plus_select 44 CSP P型擴散 N_plus_select 45 CSN N型擴散 Poly 46 CPG 多晶硅 Electrode 56 CEL 第二層多晶硅 Metal1 49 CMF 第一層金屬 Via1 50 CVA 連接第一與第二層金屬的接觸孔 Metal2 51 CMS 第二層金屬 Via2 61 CVS 連接第二與第三層金屬的接觸孔 Metal3 62 CMT 第三層金屬 Glass 52 COG 鈍化玻璃 新加坡 Chartered ?mCMOS工藝定義的全部工藝層 ?m 制程結(jié)構(gòu) M e t a l 1I M D 10 . 1 8 u m p r o c e s s S t r u c t u r e0 . 1 8 u m p r o c e s s S t r u c t u r eM e t a l 3H D P o x i d eP a s s i v a t i o n P E S i NA S iP w e l lN A P TN w e l lP A P TV T PP o l yP S DN S DN S DN S DP S DP S DWWWWI L DT r e n c h o x i d eM e t a l 4I M D 4WWWI M D 5M e t a l 6I M D 3WWM e t a l2I M D 2M e t a l_ 5WWWWWWWWM e t a lP S u b s t r a t eM e t a lW WWWM e t a l 4W WWM e t a lW WM e t a l 2M e t a l 5WWWWWWWW10 n Feature size L= n VDD n Deep NWELL to reduce substrate noise n MIM capacitor(1fF/um^2) n Thicktopmetal for inductor n 6 Metal 1 Poly n Polycide resistor( Ohm/sq) n High N/P implant resistor(59 Ohm/sq, 133 Ohm/sq) n M1M5 (78 mOhm/sq) Thicktopmetal (18 mOhm/sq) 11 第 7章 版圖設計 工藝流程定義 版圖 幾何設計規(guī)則 圖元 電學設計規(guī)則 布線規(guī)則 版圖設計 版圖檢查 版圖數(shù)據(jù)提交 版圖 幾何 設計規(guī)則 ? 集成電路的制造必然受到工藝技術(shù)水平的限制 ， 受到器件物理參數(shù)的制約 ， 為了保證器件正確工作和提高芯片的成品率 ， 要求設計者在版圖設計時遵循一定的設計規(guī)則 ， 這些設計規(guī)則直接由流片廠家提供 。 ? 設計規(guī)則主要包括各層的最小寬度 、 層與層之間的最小間距等。 最小 寬度指封閉幾何圖形的內(nèi)邊之間的距離 ?m CMOS工藝中各版圖層的線條最小寬度 層 (layer) 最小寬度 (minWidth) 單位： lambda=?m N阱 (N_well) 12 擴散層 (P_plus_select/N_plus_select) 2 多晶硅 (Poly) 2 有源層 (Active) 3 接觸孔 (Contact) 2*2(固定尺寸 ) 第一層金屬 (Metal1) 3 接觸孔 (Via1) 2*2(固定尺寸 ) 第二層金屬 (Metal2) 3 第二層多晶硅 (Electrode) 3 接觸孔 (Via2) 2*2(固定尺寸 ) 第三層金屬 (Metal3) 5 2. 最小間距 (minSep) 間距指各幾何圖形外邊界之間的距離 ?m CMOS工藝版圖各層圖形之間的最小間隔 最小寬度 (minSep) 單位： lambda= N_well Active Poly P_l\plus_select/ N_plus_select Contact Metal1 Via1 Metal2 Electrode Via2 Metal3 N_well 18 Active 6 3 Poly 1 3 P_plus_select/ N_plus_select 3 2 Contact 2 2 3 Metal1 3 Via1 2 2 2 3 Metal2 4 Electrode 2 2 3 3 Via2 2 3 Metal3 15 15 15 15 3 3. 最小交疊 (min Overlap) 交迭有兩種形式： a)一幾何圖形內(nèi)邊界到另一圖形的內(nèi)邊界長度(overlap) b)一幾何圖形外邊界到另一圖形的內(nèi)邊界長度(extension) XY(a) (b) X Y N_well Active Poly P_l\plus_select/N_plus_select Contact Metal1 Via1 Metal2 Elect
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