cmos反相器原理圖版圖的仿真設(shè)計(jì)學(xué)年畢業(yè)論文-文庫(kù)吧資料
2025-06-28 18:34本頁(yè)面
【正文】 再減?。ㄋ俾首兟┖洼敵鰩缀鯙榱阄鍌€(gè)階段，與理論分析一致，分別對(duì)應(yīng)N管截止，P管飽和導(dǎo)通階段，N管飽和導(dǎo)通，P管非飽和導(dǎo)通階段，N管、P管都飽和導(dǎo)通階段，N管非飽和導(dǎo)通，P管飽和導(dǎo)通階段，N管N管非飽和導(dǎo)通，P管截止階段。圖117 分析設(shè)定細(xì)則圖118 最后的直流分析網(wǎng)表 進(jìn)行模擬此步驟和“反相器瞬時(shí)分析”中的相同，在此從略，如圖119。輸出設(shè)定與瞬態(tài)分析相同，不在多做介紹。即在文件結(jié)尾插入命令“.dc lin param vin 0 ”.其設(shè)置如下: Insert Commend Analysis DC transfer SweepSweep1,在打開的對(duì)話框中的Sweep type下拉列表中選擇Liner項(xiàng)，在Paramemter type下拉框中選擇Source項(xiàng)，在name文本框中輸入“v3”，之后先單擊Accept按鈕，在單擊Insert Commend按鈕即可。添加文件后的Spice稍后給出。如下圖115 和116所示。即選擇待編輯對(duì)象單擊工具命令欄中的Edit Object按鈕，在彈出的對(duì)話框中進(jìn)行電壓源屬性的編輯。由于設(shè)計(jì)是用來進(jìn)行反相器的直流分析，所以要加入兩個(gè)直流電壓源。操作流程如下：進(jìn)入SEdit建立反相器直流傳輸仿真電路生成Spice文件在TSpice環(huán)境下插入仿真命令并仿真查看與分析仿真結(jié)果。 .print tran v(IN) v(OUT)。 進(jìn)行過各種設(shè)定后，Spice文件如圖112出在文件中新加入了如下命令行：.include D: \。最后單擊Insert Commend按鈕即可。此次設(shè)計(jì)中主要觀察輸入節(jié)點(diǎn)IN和輸出接點(diǎn)OUT的電壓，則可以在Plot type下拉列表中選擇Vlotage選項(xiàng)，在Node Name 文本框中輸入IN（區(qū)分大小寫），單擊Add按鈕，就將節(jié)點(diǎn)IN加入到了觀察節(jié)點(diǎn)列表中。此時(shí)在Spice文件中會(huì)出現(xiàn)命令行“.tran 1n 400n”。圖19 包含文件命令窗口和5）方法類似，還需要在Spice文件中的結(jié)尾插入分析和輸出設(shè)定的命令。之后單擊Insert Commend按鈕即可。簡(jiǎn)便的方法是單擊TSpice軟件的命令菜單欄中的”插入命令” (Insert Commend）按鈕，在彈出的對(duì)話框中選擇Include file項(xiàng)。圖18 輸出成Spice格式文件由于不同的流程有不同的特性，所以在仿真之前，必須引入MOS組件的模型文件，以供TSpice模擬用。較簡(jiǎn)便的方法是單擊命令工具條上的啟動(dòng)TSpice按鈕，則會(huì)自動(dòng)輸出成Spice格式文件并打開TSpice軟件。操作流程如下：進(jìn)入SEdit—建立反相器仿真電路生成Spice文件在TSpice環(huán)境下插入仿真命令并仿真查看與分析仿真結(jié)果。并使用TSpice組件仿真。圖 15 加入輸入端口IN引入輸入輸出端口后完整的反相器電路圖如圖16所示。如圖 15所示。編輯后反相器結(jié)果圖[4]如圖14所示。移動(dòng)各個(gè)對(duì)象到合適位置后，選擇原理圖工具條中的連線按鈕連接各個(gè)對(duì)象節(jié)點(diǎn)以組建成反相器。結(jié)果如圖 13所示。編輯反相器電路會(huì)用到NMOS,PMOS,Vdd,Gnd這四個(gè)模塊。SEdit本身附有4個(gè)組件庫(kù)， , , 。每次打開一個(gè)新文件時(shí)便自動(dòng)打開一個(gè)模塊并命名為“Module0”；也可以重命名模塊名。如圖圖 12所示。圖 11 SEdit默認(rèn)的工作環(huán)境是黑底白線，但可以按照用戶的喜好自行設(shè)定。在本例中在SEdit文件夾中新建立“inv”文件夾，并將新文件以文件名“inv”存與此文件夾中。操作流程如下:進(jìn)入SEdit建立新文件—環(huán)境設(shè)置—編輯模塊—引用模塊—編輯反相器—加入輸入輸出—完成反相器電路。（6）邏輯擺幅大（低電平0V，高電平VDD ）。（5）負(fù)載能力強(qiáng)。多數(shù)CMOS電路可在3～18V的電源電壓范圍內(nèi)正常工作。輸入噪聲容限可達(dá)到VDD/2。CMOS電路靜態(tài)電流很小，約為納安數(shù)量級(jí)。為保證電位接觸的良好，在接觸點(diǎn)采用重?fù)诫s結(jié)構(gòu)。在P型硅襯底上專門制作一塊N型區(qū)域(n阱)，作為PMOS的襯底。目錄摘要 IAbstract II前言 3第一章 使用SEdit編輯設(shè)計(jì)CMOS反相器原理圖 4 4 4 4 5 5 6 7 反相器的輸出成果 7 8 8 8 9 10 11 12 進(jìn)入SEdit 12 加入工作電源和輸入直流信號(hào) 12 編輯直流電壓源
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