集成電路版圖設(shè)計教程-文庫吧資料
2025-01-13 01:53本頁面
【正文】 電路圖 電路圖中 ,用鐘控反相器代替反相器和傳輸門（ TG2）串聯(lián)。阱和襯底的接觸也經(jīng)過通孔連接到 Vdd和 Vss。 Vdd、 Vss和 W用金屬 2作為導(dǎo)線。 2. CMOS RAM單元及陣列 (1） CMOS RAM單元 電路圖 版圖 特點(diǎn) ：版圖用雙層金屬設(shè)計。 ④ 進(jìn)位與求和的輸出反相器采用較大的寬長比。 ③ 用左面一列 A、 B、 C多晶布局器件的串并聯(lián)，右面一列 A、 B、 C多晶布局器件的串聯(lián)。 (6) 全加器 門級電路圖 晶體管級電路圖 版圖 特點(diǎn)： ① 和異或門相似，幾個輸入信號被幾乎所有的器件公用，設(shè)計版圖時要充分注意這一特點(diǎn)。 (4) 與或非門 (AOI) 電路圖 版圖 提示 ：設(shè)計 AOI或 OAI的版圖，一定要熟練掌握 MOS管串聯(lián)和并聯(lián)的畫法后進(jìn)行，看清每個 MOS管的輸入信號，用棍棒圖畫出草圖后再畫版圖。 版圖 2特點(diǎn) :或非門和與或非門分開布局 ,P管和 N管各占一行。 (2) 異或門 電路圖 版圖 1
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