cmos反相器的分析與設計-文庫吧資料
2025-01-24 02:29本頁面
【正文】 ( ) NNL D B N D B P G N i G P i D B N D B P N P i o xiiC C C C C C C W W L C??? ? ? ? ? ? ? ???? 柵電容決定于柵面積 (W L)和單位面積柵氧化層電容Cox。39。 L D B N D B P l inC C C C C? ? ? ?29 CMOS反相器的負載電容 ? pn結電容用平均電容代替： ? 如果連線較短， 連線寄生電容 Cl可以忽略 。 0N L M i t i tN H M D D i tV V VV V V? ? ???24 25 例 題 ? 一個 CMOS反相器， Kr=1，設 VDD = 5V， VTN = ， VTP = 1V， Cox = 108 F/cm2， μn = 500 cm2/Vs、 μp = 200 cm2/Vs。 23 CMOS反相器的直流噪聲容限 ? 由邏輯閾值 確定 噪聲容限 ： ? 若 Vit=VDD/2， VNHM =VNLM＝ VDD/2。 ? 實際 VTC曲線 ： ? (3)不再是垂線段；偏移。 ? ? ? ?22 00D P D N N in TN in TN ou toutI I K V V V V VV??? ? ? ? ? ? ????16 CMOS反相器的直流電壓傳輸特性 ? Vin=VTN的垂直線 ：NMOS截止 /導通 ? Vin=VDD+VTP的垂直線 ： PMOS導通 /截止 ? Vin－ VTN=Vout的斜線 ：NMOS飽和區(qū) /線性區(qū) ? Vin－ VTP=Vout的斜線 ：PMOS線性區(qū) /飽和區(qū) 17 18 3區(qū)的高度為兩個閾值之和 Voltage Transfer Characteristic(VTC) V DD V V in out Vout +VTP=Vin Vout+VTN =Vin CMOS反相器的直流電壓傳輸特性 ? 理想 VTC曲線 ： ? (1)為輸出高電平區(qū)， (2)、 (3)、 (4)為轉變區(qū)， (5)為輸出低電平區(qū)。 14 ? ? ? ?? ?221N in T N P in T P D Dr T N D D T PitrK V V K V V VK V V VVK? ? ? ????? CMOS反相器的直流電壓傳輸特性 ? (4) Vout+VTNVinVDD+VTP， NMOS線性 ， PMOS飽和 ? Vout隨 Vin的增加而非線性地下降 。 ? ? ? ?22 0D N D P P in TP D D in TP ou tou t D DI I K V V V V V VVV??? ? ? ? ? ? ? ????11 CMOS反相器的直流電壓傳輸特性 ? (2) VTNVinVout+VTP ， NMOS飽和， PMOS線性 ? Vout隨 Vin的增加而非線性地下降 , Kr=KN/KP為比例因子 。第 3章 CMOS反相器的分析與設計 第 3章 CMOS反相器的分析與設計 ? CMOS反相器的結構和基本特性 ? CMOS反相器的直流特性 ? CMOS反相器的瞬態(tài)特性 ? CMOS反相器的設計 2 CMOS反相器 的結構和基本特性 ? NMOS管的襯底接地，PMOS管的襯底接 VDD。 ? 輸入端 —— 柵極 ? 輸出端 —— ？極 ? 如何判斷分析器中 NMOS和 PMOS器件的源漏區(qū)？ ? 是否有襯偏效應？ 3 4 CMOS Inverter V D D G N D I n p u t O u t p u t特點： Vin作為 PMOS和 NMOS的共柵極； Vout作為共漏極； VDD作為 PMOS的源極和體端； GND作為 NMOS的源極和體端 V DDV VinouttV V in out 反相器的邏輯符號 CMOS反相器的結構和基本特性 ? 若輸入為“ 1” (Vin= VDD)： ? VGSN = VDD ， VGSP = 0V ? NMOS導通， PMOS截止 ?輸出“ 0” (Vout = 0V) o u t i nVV?5 CMOS反相器的結構和基本特性 ? 若輸入為“ 0” (Vin = 0V)： ? VGSN = 0V， VGSP=－ VDD ? NMOS截止， PMOS導通 ?輸出“ 1” (Vout = VDD) o u t i nVV?6 CMOS反相器的結構和基本特性 ? 無比電路 ? 數字電路中作為
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