x射線光電子能譜分析-文庫吧資料
2025-05-18 16:46本頁面
【正文】 A10~10 9 1 3倍增器 1A~10 4 通道電子倍增器是一種采用連續(xù)倍增電極表面（管狀通道內(nèi)壁涂一層高阻抗材料的薄膜）靜電器件。 常用于 AES的一種電子槍 電子能量分析器 電子能量分析器其作用是探測樣品發(fā)射出來的不同能量電子的相對強(qiáng)度。 UPS中的 HeI氣體放電燈示意圖 U P S 光源的光子能量氣體 I ( e V ) II( e V )He Ne Ar 1 1 H L ym an? 電子通常由金屬的熱發(fā)射過程得到。即用球面彎曲的石英晶體制成，能夠使來自 X射線源的光線產(chǎn)生衍射和 “ 聚焦 ” ，從而去掉伴線和韌致輻射，并降低能量寬度，提高譜儀的分辨率。 電子能譜常用激發(fā)源 XPS中最常用的 X射線源主要由燈絲、柵極和陽極靶構(gòu)成 。 激發(fā)源 電子能譜儀通常采用的激發(fā)源有三種： X射線源 、 真空紫外燈 和 電子槍 。 167。 Mo2C、 SiC、石墨和金剛石中 碳的 KLL（ KVV或）俄歇譜 3)能量損失機(jī)理導(dǎo)致的變化將改變俄歇峰低能側(cè)的拖尾峰。 N(E) 化學(xué)效應(yīng) 化學(xué)環(huán)境的強(qiáng)烈影響常常導(dǎo)致俄歇譜有如下三種可能的變化： (稱為化學(xué)效應(yīng) ) 錳和氧化錳的俄歇電子譜 1）俄歇躍遷不涉及價帶，化學(xué)環(huán)境的不同將導(dǎo)致內(nèi)層電子能級發(fā)生微小變化，造成俄歇電子能量微小變化，表現(xiàn)在俄歇電子譜圖上，譜線位置有微小移動，這就是化學(xué)位移 。 俄歇譜圖 石墨的俄歇譜 從微分前俄歇譜的 看出，這部分電子能量減小后迭加在俄歇峰的低能側(cè)，把峰的前沿變成一個緩慢變化的斜坡，而峰的高能側(cè)則保持原來的趨勢不變。 俄歇過程和俄歇電子能量 WXY俄歇過程示意圖 WXY躍遷產(chǎn)生的俄歇電子的動能可近似地用經(jīng)驗(yàn)公式估算 ， 即： ???????)()()(ZEZEZEEYXWW X Y俄歇電子 功 函 數(shù) 原子序數(shù) 實(shí)驗(yàn)值在 和 之間 21 43另一表達(dá)式 俄歇躍遷能量的另一表達(dá)式為： ?????????)}1()({21)}1()({21)(ZEZEZEZEZEEYYXXWW X Y俄歇過程至少有兩個能級和三個電子參與，所以氫原子和氦原子不能產(chǎn)生俄歇電子。 ?1968年 ，使俄歇電子能譜開始進(jìn)入實(shí)用階段。 俄歇電子能譜 (AES) 俄歇電子能譜的基本機(jī)理是：入射電子束或 X射線使原子內(nèi)層能級電子電離，外層電子產(chǎn)生無輻射俄歇躍遷，發(fā)射俄歇電子，用電子能譜儀在真空中對它們進(jìn)行探測。因此當(dāng)被測原子的氧化價態(tài)增加，或與電負(fù)性大的原子結(jié)合時，都導(dǎo)致其 XPS峰將向結(jié)合能的增加方向位移。 譜圖特征 右圖是表面被氧化且有部分碳污染的金屬鋁的典型的圖譜 是寬能量范圍掃描的全譜 低結(jié)合能端的放大譜 O 和 C 兩條譜線的存在 表明金屬鋁的表面已被部 分氧化并受有機(jī)物的污染 O的 KLL俄歇譜線
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