x射線光電子能譜分析(文件)
【正文】 強(qiáng)烈影響常常導(dǎo)致俄歇譜有如下三種可能的變化： (稱為化學(xué)效應(yīng) ) 錳和氧化錳的俄歇電子譜 1）俄歇躍遷不涉及價(jià)帶，化學(xué)環(huán)境的不同將導(dǎo)致內(nèi)層電子能級發(fā)生微小變化，造成俄歇電子能量微小變化，表現(xiàn)在俄歇電子譜圖上，譜線位置有微小移動，這就是化學(xué)位移 。 167。 電子能譜常用激發(fā)源 XPS中最常用的 X射線源主要由燈絲、柵極和陽極靶構(gòu)成 。 UPS中的 HeI氣體放電燈示意圖 U P S 光源的光子能量氣體 I ( e V ) II( e V )He Ne Ar 1 1 H L ym an? 電子通常由金屬的熱發(fā)射過程得到。 半球形電子能量分析器 半球形分析器示意圖 筒鏡形電子能量分析器 筒鏡分析器示意圖 檢測器 檢測器通常為單通道電子倍增器和多通道倍增器 光電子或俄歇電子流 A10~10 9 1 3倍增器 1A~10 4 通道電子倍增器是一種采用連續(xù)倍增電極表面（管狀通道內(nèi)壁涂一層高阻抗材料的薄膜）靜電器件。 真空系統(tǒng) 電子能譜儀的真空系統(tǒng)有兩個基本功能。 298K吸附一層氣體分子所需時間 104Pa時為 1秒； 107Pa時為 1000秒 樣品處理 氣化 冷凍 氣體 液體 固體 采用差分抽氣的方法把氣體引進(jìn)樣品室直接進(jìn)行測定 塊狀 ：直接夾在或粘在樣品托上在樣品托上；粉末 ：可以粘在雙面膠帶上或壓入銦箔（或金屬網(wǎng)）內(nèi)，也可以壓成片再固定在樣品托上。 應(yīng)用舉例 電子能譜目前主要應(yīng)用于催化、金屬腐蝕、粘合、電極過程和半導(dǎo)體材料與器件等這樣一些極有應(yīng)用價(jià)值的領(lǐng)域，探索固體表面的組成、形貌、結(jié)構(gòu)、化學(xué)狀態(tài)、電子結(jié)構(gòu)和表面鍵合等信息。 AES 也不能分析 H、 He，對樣品有一定的破壞作用，但其具有表面靈敏度高（檢測極限小于 1018g）、分析速度快等優(yōu)點(diǎn)，在表面科學(xué)領(lǐng)域主要進(jìn)行 1）表面組成的定性和定量； 2）表面元素的二維分布圖和顯微像； 3）表面元素的三維分布分析 。 體相 Pd原子濃度為 40%的 AgPd合金 Ar轟擊表面清潔處理后，由 于 Ag的濺射幾率較高，合金 表面 Pd的相對濃度為 57% 高溫退火后，合金穩(wěn)定的表 面組成為 Pd32Ag68，表面為 Ag富集。 NiP合金的 Ni 2p3/2 XPS譜 a 清潔表面； b 1barO 403K氧化 1小時 金屬態(tài)的鎳 Ni 較 高 氧 化 態(tài) 的 鎳 Ni3+ NiP合金的 O 1s XPS譜 a 清潔表面； b 1barO 403K氧化 1小時 氧 化 鎳 中 的 氧 表面污染的氧 P2O5 中 的 氧 NiP合金中 P的 2p XPS譜 a 清潔表面； b 1barO 403K氧化 1小時 P2O5 中 的 磷 氧吸附對表面 B和 Ni的影響 NiB合金表面 AES譜 1L= 1
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