pcb工藝-鍍通孔(參考版)
2025-07-17 20:45本頁面
【正文】 中國最大的管理資料下載中心 (收集 \整理 . 部分版權(quán)歸原作者所有 ) 第 19 頁 共 20 頁 本章中介紹了傳統(tǒng)薄化銅 , 厚化銅以及直接電鍍等幾種鍍通孔方式 .未來製程走勢 : A. 縮短製程 B. 減少污染 C. 小孔通孔能力 中國最大的管理資料下載中心 (收集 \整理 . 部分版權(quán)歸原作者所有 ) 第 20 頁 共 20 頁 D. 降低成本 E. 底材多樣化處理能力 而此製程是 PCB 製作的基礎(chǔ)工程 ,若處理不好影響良率及信賴度因此要仔細(xì)評估與選擇何種藥水及設(shè)備 . 。但放眼國外，除歐洲應(yīng)用者很多以外，美、日 (尤其是美國 )並不普偏，一些大的電子公司 (如製造電腦、大哥大等 )並不 Approve 直接電鍍製程，這也是國內(nèi)此製程普及率尚低的原因之一。故萬一底材未能在前處理製程中完成良好的活化時(shí)則會(huì)造成孔破 (Hole Void)，而且經(jīng)過乾膜或印刷後 , 可能進(jìn)一步的惡化，終必成為 中國最大的管理資料下載中心 (收集 \整理 . 部分版權(quán)歸原作者所有 ) 第 18 頁 共 20 頁 板子品質(zhì)上極大的隱憂。 d. 厚化銅主要的目的是既能完成非導(dǎo)體的金屬化同時(shí)又可取代一次鍍銅 ，能夠發(fā)揮大量的設(shè)備、人力、物料、及操作時(shí)間的節(jié)省，但化學(xué)銅槽本身比傳統(tǒng)的無電銅要貴，管理不 易，要利用特定的自動(dòng)添加設(shè)備。 c. 厚化銅之外表能接受油墨或乾膜之附著，所以印刷前儘少做磨刷或其他化學(xué)粗化。也就是說厚化銅與板面銅箔間的附著力也為關(guān)鍵 ，應(yīng)特別注意其鍍前活化之過程如整孔及微蝕是否完美。日本某些商 用消費(fèi)性電子產(chǎn)品用 24小時(shí)以上的長時(shí)間的全加成鍍銅，而且只鍍在孔及線 路部份 .日本之外尚不多見 , 高雄日立化成數(shù)年前尚有 CC41 製程 , 目前已關(guān)掉該生產(chǎn)線 厚化銅基本觀念 a. 厚化銅也仍然採用與傳統(tǒng)無電銅相似的配方，即仍以銅離子、強(qiáng)鹼、及甲醛做為反應(yīng)的原動(dòng)力，但與溫度及其所產(chǎn)生的副產(chǎn)物關(guān)係較大。但 若能把化學(xué)銅層的厚度提高到 100 微吋左右，則自然可以直接做線路轉(zhuǎn)移的工 作，無需再一道全板的電鍍銅步驟而省卻了設(shè)備，藥水、人力、及時(shí)間，並達(dá) 簡化製程減少問題的良好目標(biāo)。 (5) Impurity 少有殘留，且吸附 Pd+2 少，故能有較少 (6) 由於無 Cl, 對 BlackOxide 的 attack 相對減少，故 Pink Ring 較輕微 (7) 由於吸附較密，將來作無電 解銅時(shí) Coverage 也會(huì)較密較好 e. 整個(gè)反應(yīng)狀態(tài)見 圖 所示 一次銅 (Panel plating) 非導(dǎo)體的孔壁經(jīng) PTH 金屬化後，立即進(jìn)行電鍍銅製程 , 其目的是鍍上 200~500 微英吋以保護(hù)僅有 20~40 微英吋厚的化學(xué)銅被後製 中國最大的管理資料下載中心 (收集 \整理 . 部分版權(quán)歸原作者所有 ) 第 17 頁 共 20 頁 程破壞而造成孔破 (Void)。也沒有 Sn+2 + Fe+2 a Sn+4 +Cu 作用。因其形成之單層膜不易再附上其他 Conditioner 而與 Cleaner 共同作用洗去多餘雜質(zhì) 3. 其設(shè)計(jì)是一道酸一道鹼的藥液浸泡，使各種不同來源的板子皆有良好的 wetting作用 ,其 Formula： Wetting agent + 10 ml/l H2SO4 4. 若水質(zhì)不潔而含 M+2(如 ： Ca+ Mg+ Fe+2 等 )則 Amine 及 Wetting agent 易與之結(jié)合而形成沉澱，故水質(zhì)硬度應(yīng)特別留意 5. 當(dāng)板子浸入水中， Cu正電迅速與 OH中和而呈負(fù)電。相反若太低則會(huì)因 H2 的流失而形成沉積速率過低。 ： 中國最大的管理資料下載中心 (收集 \整理 . 部分版權(quán)歸原作者所有 ) 第 14 頁 共 20 頁 4. 由於槽液在操作開始時(shí)缺少 H2含量，故其活性可能不夠， 而且改變溫度也易使槽液不穩(wěn)定。 中國最大的管理資料下載中心 (收集 \整理 . 部分版權(quán)歸原作者所有 ) 第 13 頁 共 20 頁 4. 孔壁吸附了負(fù)離子團(tuán)，即中和形成中和電性 e. 速化 Accelerator 1. Pd 膠體吸附後必須去除 Sn，使 Pd2+曝露，如此才能在未來無電解銅中產(chǎn)生催化作用形成化學(xué)銅 2. 基本化學(xué)反應(yīng)為： Pd+2/Sn+2 (HF)→Pd+2(ad) + Sn+2 (aq) Pd+2(ad) (HCHO)→Pd(s) 3. 一般而言 Sn 與 Pd 特性不同， Pd 為貴金屬而 Sn 則不然，因此其主反應(yīng)可如下： Sn+2a Sn+4 +
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