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2025-07-09 20:45 本頁面
【正文】 直接電鍍種類 大致上可歸為三種替代銅的導體 A. Carbon碳粉 (Graphite 同 ) B. Conductive Polymer導體高分子 C. Palladium鈀金屬 直接電鍍後續(xù)製程有兩種方式 : A. 一次鍍銅後 ,再做影像轉移及二銅 B. 直接做影像轉移及線路電鍍 表歸納目前國內(nèi)己使用中的直接電鍍各商品之分析 ，供業(yè)界參考。 e. 前處理之各製程比傳統(tǒng) PTH 要更謹慎，原因是化學銅的沉積是靠銅離子在板子上之活化生長點 (Active sites)還原出銅金屬並增厚，當此等生長點被銅覆蓋後其他板面上又逐次出現(xiàn)新的生長點再接受銅的沉積，電鍍銅的沉積則不但向上發(fā)展 , 也能橫向延伸?？刂撇缓脮r可能發(fā)生孔壁剝離 (pull away)及板面脫皮。 因此有厚化銅製程出現(xiàn)，此一方式已經(jīng)實際 生產(chǎn)線上進行十數(shù)年，由於鍍液管理困難分析添加之設備需要較高層次之技 術，成本居高不下等 , 此製程已經(jīng)勢微 . 厚化銅的領域又可分為 : A.半加成 SemiAdditive式是完全為了取代全板面電 鍍銅製程 . B.全加成 Fully Additive式則是用於製造加成法線路板所用的。 (3) 無 Cl在外圍，由於 Cl會與 Polyimide 材料產(chǎn)生作用，故無 Cl會有較廣的適用性 (4) 由於 Pd(Amine)+2 asPd+2+Amine 為一平衡反應，吸附反應十分快，且由於粒子小空隙低因而緻密性佳。故其 Max 與 Min 值應與廠商確認做出建議值 6. 如果溫度過高， [NaOH], [HCHO]濃度不當或者 Pd+2 累積過高都可能造成 PTH 粗糙的問題 g. 整個反應狀態(tài)見 圖 所示 中國最大的管理資料下載中心 (收集 \整理 . 部分版權歸原作者所有 ) 第 15 頁 共 20 頁 、鹼性系統(tǒng)： A. 基本製程： Conditioner→ Etch Cleaner→ Catalpretreatment→ Activator→ Reducer→ Electroless Copper B. 單一步驟功能說明 a. Conditioner： Wetting agent + 10 g/l NaOH (A) 1. 以 Wetting agent 的觀念，而非電性 中和，如此可形成較薄的 Film 約 300A，且均勻而不致有附著不上或太厚之虞 2. 基本方式係以親水基與疏水基之特有 Dipol 特性使 Wetting agent 被水排擠，快速吸附至孔壁。除去不足 時會產(chǎn)生 .，而過長時則可能因為過份去除產(chǎn)生破洞，這也是何以 Back_light 觀察時會有缺點的原因 5. 活化後水洗不足或浸泡太久會形成 Sn+2 a Sn(OH)2 或 Sn(OH)4，此易形成膠體膜 . 而 Sn+4 過高也會形成 Sn(OH)4，尤其在 Pd 吸太多時易呈 PTH 粗糙 6. 液中懸浮粒子多，易形成 PTH 粗糙 f. 化學銅沉積 Electroless Deposit 1. 利用孔內(nèi)沉積的 Pd催化無電解銅與 HCHO 作用 , 使化學銅沉積 2. Pd在化學銅槽的功能有二： (1) 作為 Catalyst 吸附 H 之主體，加速 HCHO 的反應 (2) 作為 Conductor，以利 e轉移至 Cu+2 上形成 Cu沉積 3. 其基本反應及 Mechanism 見 圖 。 Stress，減少產(chǎn)生 Void 的機會 . . 製程內(nèi)主要反應及化學名稱 : A．化學反應 : a .主要反應 4MnO4 + 4OH + Epoxy→ 4MnO4= + CO2↑ + 2H2O b. 副反應： 2MnO4 + 2OH ←→ 2MnO4= + 1/2 O2 + H2O (Side reaction) 中國最大的管理資料下載中心 (收集 \整理 . 部分版權歸原作者所有 ) 第 8 頁 共 20 頁 MnO4= + H2O (CI/SO4= /Catalize Rx.) → MnO2↓ + 2OH + 1/2 O2 (Precipitation formation) 2MnO4= + NaOCI + H2O → 2MnO4 + 2OH + NaCI 4MnO4= + NaS2O8 + H2SO4 → 4MnO4 + 2OH + 2Na2SO4 4MnO4= + K2S2O8 + H2SO4 → 4MnO4 + 2OH + 2K2SO4
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