高二化學(xué)分子晶體(參考版)
2024-11-15 05:48本頁(yè)面
【正文】 若熔融體導(dǎo)電 ， 則物質(zhì)的晶體類(lèi)型為離子晶體；若熔融體不導(dǎo)電 ， 則物質(zhì)的晶體類(lèi)型為分子晶體 。 (2)將兩種晶體加熱到熔化狀態(tài) ， MgCl2能導(dǎo)電而 AlCl3不能導(dǎo)電 ， 故可證明MgCl2為離子晶體 ， AlCl3為分子晶體 。 【 解析 】 (1)因?yàn)?MgO的熔點(diǎn)遠(yuǎn)高于 MgCl2，所以電解熔融的 MgO需提供更多的能量 ， 更高的溫度 ， 不易于操作 。為什么不用電解 MgO的方法生產(chǎn)鎂；也不用電解AlCl3的方法生產(chǎn)鋁？__________________________________________________。 當(dāng)晶體的類(lèi)型相同時(shí) ， 原子晶體與原子半徑有關(guān)；離子晶體與離子的半徑和離子所帶的電荷數(shù)有關(guān)；分子晶體當(dāng)組成和結(jié)構(gòu)相似時(shí) ， 與相對(duì)分子質(zhì)量的大小有關(guān) ， 一般來(lái)說(shuō) ， 相對(duì)分子質(zhì)量大的 ，熔點(diǎn)高 ， 即 CBr4＞ CF4。 【 答案 】 (1)分子 高 N60、 N2均形成分子晶體 ，且 N60的相對(duì)分子質(zhì)量大 ， 分子間作用力大 ， 故熔 、沸點(diǎn)高 (2)13230 ＜ (3)做高能炸藥 變式訓(xùn)練 2 下列化合物 ， 按其晶體的熔點(diǎn)由高到低排列正確的是 ( ) A． SiO2 CsCl CBr4 CF4 B． SiO2 CsCl CF4 CBr4 C． CsCl SiO2 CBr4 CF4 D． CF4 CBr4 CsCl SiO2 解析： 選 A。 m ol－ 1＜ 0 ，為放熱反應(yīng)，表明穩(wěn)定性 N2＞ N60。 m ol－ 1－30 94 2 k J (2)因每個(gè)氮原子形成三個(gè) N—N鍵，每個(gè) N—N鍵被 2個(gè) N原子共用，故 1 mol N60中存在 N—N鍵： 1 m ol 60 3 12＝ 90 m ol 。 (3)由 (2)列舉 N60的用途 (舉一種 )________。 例 2 (2)1 mol N60分解成 N2時(shí)吸收或放出的熱量是________kJ(已知 N≡N鍵的鍵能為 942 kJmol－ 1。 據(jù)報(bào)道科研人員應(yīng)用計(jì)算機(jī)模擬出結(jié)構(gòu)類(lèi)似 C60的物質(zhì) N60。 特別提醒： 上述總結(jié)的規(guī)律都是一般規(guī)律 ， 不能絕對(duì)化 。 (4)同分異構(gòu)體，支鏈越多，熔、沸點(diǎn)越低。 (2)組成和結(jié)構(gòu)相似的分子晶體，相對(duì)分子質(zhì)量越大，熔、沸點(diǎn)越高，如 SnH4＞ GeH4＞ SiH4＞ CH4。 4．分子晶體 (1)分子間作用力越大，物質(zhì)的熔、沸點(diǎn)越高；具有氫鍵的分子晶體熔、沸點(diǎn)反常的高。 3．離子晶體 一般地說(shuō)，陰、陽(yáng)離子的電荷數(shù)越多，離子半徑越小，則離子間的作用力就越強(qiáng)，其離子晶體的熔、沸點(diǎn)就越高，即：晶格能越大，離子晶體的熔、沸點(diǎn)越高。 2． 原子晶體 由共價(jià)鍵形成的原子晶體中，原子半徑小的鍵長(zhǎng)短，鍵能大，晶體的熔、沸點(diǎn)高。該元素的氣態(tài)氫化物化學(xué)式可寫(xiě)作RH4，最高價(jià)氧化物為 RO2，設(shè) R 相對(duì)原子質(zhì)量為 x ，則32 ＋ x4 ＋ x＝158， x ＝ 28 ，該元素為 Si ， S i O2為原子晶體，故選 C 。 (5)依據(jù)硬度和機(jī)械性能判斷：原子
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