電子元器件失效性分析報告(參考版)
2024-08-14 05:50本頁面
【正文】 能干的人，不在情緒上計較，只在做事上認真；無能的人！不在做事上認真，只在情緒上計較。什么是奮斗？奮斗就是每天很難，可一年一年卻越來越容易。PDF created with pdfFactory Pro trial version 失效分析的發(fā)展方向l 失效定位成為關(guān)鍵技術(shù)l 非破壞l 非接觸l 高空間分辨率l 高靈敏度PDF created with pdfFactory Pro trial version 無損失效分析技術(shù)l 無損分析的重要性 (從質(zhì)檢和失效分析兩方面考慮)l 檢漏技術(shù)l X射線透視技術(shù)用途：觀察芯片和內(nèi)引線的完整性l 反射式掃描聲學顯微技術(shù)用途：觀察芯片粘接的完整性，微裂紋，界面斷層PDF created with pdfFactory Pro trial version 檢漏技術(shù)l 粗檢：負壓法、氟碳加壓法l 細檢：氦質(zhì)譜檢漏法PDF created with pdfFactory Pro trial version 負壓法檢漏酒精PDF created with pdfFactory Pro trial version 接機械泵焊點染色法PDF created with pdfFactory Pro trial version F113沸點氟碳加壓法FC43 沸點180C加熱至125CPDF created with pdfFactory Pro trial version X射線透視與反射式聲掃描比較種 類應 用 優(yōu) 勢基 本 原 理X 射 線 透 視 象 觀 察 材 料 高 密 度 區(qū) 的 完整 性 ， 如 器 件 內(nèi) 引 線 斷裂透 過 材 料 高 密 度 區(qū)X 射 線 強 度 衰 減CSAM 象觀 察 材 料 內(nèi) 部 空 隙 ， 如芯 片 粘 接 不 良 ， 器 件 封裝 不 良超 聲 波 傳 播 遇 空 氣隙 受 阻 反 射樣品制備技術(shù)l 種類：打開封裝、去鈍化層、去層間介質(zhì)、拋切面技術(shù)、去金屬化層l 作用：增強可視性和可測試性l 風險及防范：監(jiān)控PDF created with pdfFactory Pro trial version 打開塑料封裝的技術(shù)PDF created with pdfFactory Pro trial version 去鈍化層的技術(shù)l 濕法：如用HF：H2O＝1：1溶液去SiO85％ HPO3溶液，溫度160C去 Si3N4l 干法：CF4和O2氣體作等離子腐蝕去SiNx和聚酰亞胺l 干濕法對比PDF created with pdfFactory Pro trial version 去層間介質(zhì)l 作用：多層結(jié)構(gòu)芯片失效分析l 方法：反應離子腐蝕l 特點：材料選擇性和方向性l 結(jié)果PDF created with pdfFactory Pro trial version l 作用去金屬化Al層技術(shù)l 配方：30％HCl 或 30％H2SO4KOH 、NaOH溶液l 應用實例PDF created with pdfFactory Pro trial version 形貌象技術(shù)l 光學顯微術(shù)：分辨率3600A，倍數(shù)倍 1200X景深小，構(gòu)造簡單對多層結(jié)構(gòu)有透明性，可不制樣l 掃描電子顯微鏡：分辨率50A，倍數(shù)10萬景深大，構(gòu)造復雜對多層結(jié)構(gòu)無透明性，需制樣PDF created with pdfFactory Pro trial version 以測量電流效應為基礎的失效定位技術(shù)l 紅外熱象技術(shù)l 光發(fā)射顯微鏡用途：熱分布圖，定熱點用途：微漏電點失效定位柵氧化層缺陷，pn結(jié)缺陷，閂鎖效應l 電子束感生電流象 用途：pn結(jié)缺陷PDF created with pdfFactory Pro trial version 單端輸出束感生電流象（EBIC）l EBIC的用途：用SEM觀察pn結(jié)缺陷l 傳統(tǒng)EBIC用雙端輸出，每次只能觀察一個結(jié)l 單端輸出EBIC可同時觀察芯片所觀察芯片所有pn結(jié)的缺陷，適用于VVLSI失效分析l 例某CMOS電路的EBICPDF created with pdfFactory Pro trial version 原理PDF created with pdfFactory Pro trial version 封裝內(nèi)部氣體成份分析封裝內(nèi)部水汽和腐蝕性氣體的危害：l 引起芯片表面漏
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