【正文】 13．10．振蕩電路電感三點(diǎn)式振蕩器考慮LL2間的互感，電路的振蕩頻率可近似表示為　　　　電容三點(diǎn)式振蕩器振蕩頻率：41 / 41。具體方法是：若將負(fù)載電阻 R L 短路，如果反饋?zhàn)饔孟?，則為電壓反饋；如果反饋?zhàn)饔么嬖?，則為電流反饋。注意：若反饋信號取自輸出電壓信號，則稱為電壓反饋；若反饋信號取自輸出電流信號，則稱為電流反饋。4． 負(fù)反饋放大電路的四種類型：A電壓串聯(lián)負(fù)反饋 B 電壓并聯(lián)負(fù)反饋C電流串聯(lián)負(fù)反饋 D電流并聯(lián)負(fù)反饋13．9 放大電路三種基本組態(tài)的放大電路圖： 　共發(fā)射極放大電路 共基極放大電路 共集電極放大電路注意：放大電路共發(fā)射極時(shí)，Ai和Au都比較大，但是輸出電壓和輸入電壓的相位相反；共基極時(shí)，Ai比較大，但是Au較小，輸出電壓與輸入電壓同相，并且具有跟隨關(guān)系，它可作為輸入級，輸出級或起隔離作用的中間級；共集電極時(shí)，Ai較小，Au較大，輸出電壓與輸入電壓同相，多用于寬頻帶放大等。我們在放大器輸入端的基極施加一個(gè)信號電壓VI，設(shè)某一瞬時(shí)該信號的極性為正信號，用(+)表示，經(jīng)三極管V的集電極倒相后變?yōu)樨?fù)信號，用(一)來表示。13．6 整流電路橋式整流電路13．7濾波電路(a) C型濾波電路 (b) 倒L型濾波電路 (c) Ⅱ型濾波電路 圖1 （3）幾種常見的橋式整流濾波電路： A 電容濾波電路： B電感濾波電路 13．8．反饋電路1．正反饋：是指反饋回來的信號增強(qiáng)輸入信號（常用與振蕩電路）； 負(fù)反饋：是指反饋回來的信號削弱原輸入信號（用與放大電路）?！　≡谡９ぷ鲿r(shí)，模擬開關(guān)的導(dǎo)通電阻值約為數(shù)百歐，當(dāng)它與輸入阻抗為兆歐級的運(yùn)放串接時(shí)，可以忽略不計(jì)。由于兩管系并聯(lián)運(yùn)行，可近似地認(rèn)為開關(guān)的導(dǎo)通電阻近似為一常數(shù)。進(jìn)一步分析還可看到，一管導(dǎo)通的程度愈深，另一管的導(dǎo)通程度則相應(yīng)地減小。同時(shí)TP的棚壓為5V ，vI在3V到+5V的范圍內(nèi)TP將導(dǎo)通?！　槭归_關(guān)接通，可將C端接高電壓+5V。同時(shí),TP的柵壓為+5V，TP亦不導(dǎo)通。兩管的柵極由互補(bǔ)的信號電壓（+5V和5V）來控制，分別用Ｃ和表示。設(shè)它們的開啟電壓|VT|=2V且輸入模擬信號的變化范圍為5V到+5V 。CMOS傳輸門由一個(gè)P溝道和一個(gè)N溝道增強(qiáng)型MOSFET并聯(lián)而成，如上圖所示。下面著重介紹CMOS傳輸門。13．CMOS傳輸門MOSFET的輸出特性在原點(diǎn)附近呈線性對稱關(guān)系，因而它們常用作模擬開關(guān)。同時(shí)，M1A或M1B為T1的基極存儲(chǔ)電荷提供一條釋放道路。與此同時(shí)，M1通過MPA和MpB被VDD所激勵(lì)，從而為T2的基區(qū)存儲(chǔ)電荷提供一條釋放通路。正如下圖所示的2輸入端或非門。根據(jù)前述的CMOS門電路的結(jié)構(gòu)和工作原理，同樣可以用BiCMOS技術(shù)實(shí)現(xiàn)或非門和與非門。同理 ，當(dāng)vI為低電壓時(shí)，電源電壓VDD通過MP以激勵(lì)M2使M2導(dǎo)通，顯然T2基區(qū)的存儲(chǔ)電荷通過M2而消散。當(dāng)vI為高電壓時(shí)M1導(dǎo)通，T1基區(qū)的存儲(chǔ)電荷迅速消散。同理，已充電的電容負(fù)載也能迅速地通過T2放電。當(dāng)vI為高電壓時(shí)MN導(dǎo)通而MP截止；而當(dāng)vI為低電壓時(shí),情況則相反，Mp導(dǎo)通，MN截止。而Mp、MN、MM2所組成的輸入級與基本的CMOS反相器很相似。13．4 BiCMOS門電路　　雙極型CMOS或BiCMOS的特點(diǎn)在于，利用了雙極型器件的速度快和MOSFET的功耗低兩方面的優(yōu)勢，因而這種邏輯門電路受到用戶的重視 上圖表示基本的BiCMOS反相器電路，為了清楚起見，MOSFET用符號M表示BJT用T表示。而與或非門的輸出L即為輸入A、B的異或 如在異或門的后面增加一級反相器就構(gòu)成異或非門，由于具有的功能，因而稱為同或門。它由一級或非門和一級與或非門組成。因而或非門用得較多。　　因此，這種電路具有或非的邏輯功能，其邏輯表達(dá)式為顯然，n個(gè)輸入端的或非門必須有n個(gè)NMOS管并聯(lián)和n個(gè)PMOS管并聯(lián)。其中包括兩個(gè)并聯(lián)的N溝道增強(qiáng)型MOS管和兩個(gè)串聯(lián)的P溝道增強(qiáng)型MOS管。　　因此，這種電路具有與非的邏輯功能，即　　n個(gè)輸入端的與非門必須有n個(gè)NMOS管串聯(lián)和n個(gè)PMOS管并聯(lián)。每個(gè)輸入端連到一個(gè)N溝道和一個(gè)P溝道MOS管的柵極。CMOS反相器的平均傳輸延遲時(shí)間約為10ns。由于CMOS反相器中，兩管的gm值均設(shè)計(jì)得較大，其導(dǎo)通電阻較小，充電回路的時(shí)間常數(shù)較小?！　MOS反相器在電容負(fù)載情況下，它的開通時(shí)間與關(guān)閉時(shí)間是相等的，這是因?yàn)殡娐肪哂谢パa(bǔ)對稱的性質(zhì)。因此，在過渡區(qū)域，傳輸特性變化比較急劇?？紤]到電路是互補(bǔ)對稱的，一器件可將另一器件視為它的漏極負(fù)載。圖中VDD=10V，VTN=|VTP|=VT=2V。 　　由此可知，基本CMOS反相器近似于一理想的邏輯單元，其輸出電壓接近于零或+VDD，而功耗幾乎為零。由圖可知，工作點(diǎn)決定了VO＝VOH≈VDD；通過兩器件的電流接近零值 。這就是說，電路的功耗很?。ㄎ⑼吡考墸　∠聢D分析了另一種極限情況，此時(shí)對應(yīng)于vI＝0V。兩條曲線的交點(diǎn)即工作點(diǎn)。在TN的輸出特性iD—vDS（vGSN＝VDD）(注意vDSN=vO)上 ，疊加一條負(fù)載線，它是負(fù)載管TP在 vSGP=0V時(shí)的輸出特性iD－vSD。但是，由于電路是互補(bǔ)對稱的，這種假設(shè)可以是任意的，相反的情況亦將導(dǎo)致相同的結(jié)果?！　∈紫瓤紤]兩種極限情況：當(dāng)vI處于邏輯0時(shí) ，相應(yīng)的電壓近似為0V；而當(dāng)vI處于邏輯1時(shí)，相應(yīng)的電壓近似為VDD。　　下圖表示CMOS反相器電路，由兩只增強(qiáng)型MOSFET組成，其中一個(gè)為N溝道結(jié)構(gòu)，另一個(gè)為P溝道結(jié)構(gòu)。場效應(yīng)管的噪聲系數(shù)約為幾個(gè)分貝，它比雙極性三極管的要小第十三節(jié) 單元電路13．1 CMOS反相器　　由本書模擬部分已知，MOSFET有P溝道和N溝道兩種，每種中又有耗盡型和增強(qiáng)型兩類。這個(gè)數(shù)值越小，代表管子所產(chǎn)生的噪聲越小　　由于它的存在，就使一個(gè)放大器即便在沒有信號輸人時(shí)，在輸　　　出端也出現(xiàn)不規(guī)則的電壓或電流變化　　～1pF之間8. 低頻噪聲系數(shù)NF　　三個(gè)電極之間都存在著極間電容：柵源電容CGS 、柵漏電容CGD和漏源電容CDS　　由于在數(shù)字電路中 ，MOS管導(dǎo)通時(shí)經(jīng)常工作在VDS=0的狀態(tài)下，所以這時(shí)的導(dǎo)通電阻RON可用原點(diǎn)的RON來近似　　導(dǎo)通電阻RON說明了VDS對ID的影響 ，是漏極特性某一點(diǎn)切線的斜率的倒數(shù)　　是表征MOS管放大能力的一個(gè)重要參數(shù)　　在VDS為某一固定數(shù)值的條件下 ，漏極電流的微變量和引起這個(gè)變化的柵源電壓微變量之比稱為跨導(dǎo)　　在增加?xùn)旁措妷哼^程中，使柵極電流IG由零開始劇增時(shí)的VGS，稱為柵源擊穿電壓BVGS。ID劇增的原因有下列兩個(gè)方面：　?。?）漏極附近耗盡層的雪崩擊穿　?。?）漏源極間的穿通擊穿　　3. 漏源擊穿電壓BVDS　　這一特性有時(shí)以流過柵極的柵流表示　　2. 直流輸入電阻RGS　　標(biāo)準(zhǔn)的N溝道MOS管，VT約為3～6V；　　MOS管結(jié)構(gòu)圖MOS管主要參數(shù)：　　當(dāng)前與TTL兼容的CMO器件如74HCT系列等可與TTL器件交換使用。此外，幾乎所有的超大規(guī)模存儲(chǔ)器件 ，以及PLD器件都采用CMOS藝制造，且費(fèi)用較低。12．1 CMOS邏輯門電路CMOS邏輯門電路是在TTL電路問世之后 ，所開發(fā)出的第二種廣泛應(yīng)用的數(shù)字集成器件，從發(fā)展趨勢來看，由于制造工藝的改進(jìn)，CMOS電路的性能有可能超越TTL而成為占主導(dǎo)地位的邏輯器件 。最早的TTL門電路是74系列，后來出現(xiàn)了74H系列，74L系列，74LS,74AS,74ALS等系列。稱TransistorTransistor Logic,即BJTBJT邏輯門電路，是數(shù)字電子技術(shù)中常用的一種邏輯門電路，應(yīng)用較早，技術(shù)已比較成熟。 ，輸出即刻就會(huì)發(fā)生相應(yīng)的變化，即抗干擾性能較差。這種觸發(fā)器的觸發(fā)信號是高電平有效，因此在邏輯符號的S端和R端沒有小圓圈。從另外一個(gè)角度來說，正因?yàn)镽端和S端完成置0、置1都是低電平有效，所以二者不能同時(shí)為0。 觸發(fā)器保持狀態(tài)時(shí)，輸入端都加非有效電平（高電平），需要觸發(fā)翻轉(zhuǎn)時(shí)，要求在某一輸入端加一負(fù)脈沖，例如在S端加負(fù)脈沖使觸發(fā)器置1，該脈沖信號回到高電平后，觸發(fā)器仍維持1狀態(tài)不變，相當(dāng)于把S端某一時(shí)刻的電平信號存儲(chǔ)起來，這體現(xiàn)了觸發(fā)器具有記憶功能。由于置0或置1都是觸發(fā)信號低電平有效，因此，S端和R端都畫有小圓圈。從功能方面看，它只能在S和R的作用下置0和置1，所以又稱為置0置1觸發(fā)器，或稱為置位復(fù)位觸發(fā)器。這里所加的輸入信號（低電平）稱為觸發(fā)信號，由它們導(dǎo)致的轉(zhuǎn)換過程稱為翻轉(zhuǎn)。 同理，稱R端為置0端或復(fù)位端。因置位的決定條件是S=0,故稱S 端為置1端。Q=Q=0時(shí)，稱觸發(fā)器處于1態(tài)，反之觸發(fā)器處于0態(tài)。一般規(guī)定觸發(fā)器Q端的狀態(tài)作為觸發(fā)器的狀態(tài)。 =0、S=1時(shí)，則Q=1,Q=0,觸發(fā)器置0。它有兩個(gè)輸入端R、S和兩個(gè)輸出端Q、Q。Micro (單位為英寸) .注明:1英寸=第十節(jié) 晶振＂X”,＂Y”:能產(chǎn)生具有一定幅度及頻率波形的振蕩器.::測量電阻方法:用萬用表RX10K檔測量石英晶體振蕩器的正,則說明該石英晶體振蕩器已漏電或擊穿損壞.動(dòng)態(tài)測量方法:用是波器在電路工作時(shí)測量它的實(shí)際振蕩頻是否符合該晶體的額定振蕩頻率,如果是,說明該晶振是正常的,如果該晶體的額定振蕩頻率偏低,偏高或根本不起振,表明該晶振已漏電或擊穿損壞第十一節(jié) 基本邏輯門電路 門電路的概念：實(shí)現(xiàn)基本和常用邏輯運(yùn)算的電子電路，叫邏輯門電路。 Slot是一種插槽封裝形式,是一種長方形的插槽(圖七). 圖六 圖七第九節(jié) PCB的簡介 PCB的英文縮寫PCB(Printed Circuit Board) PCB的作用:PCB作為一塊基板,他是裝載其它電子元器件的載體,所以一塊PCB設(shè)計(jì)的好壞將直接影響到產(chǎn)品質(zhì)量的好壞. PCB的分類和常見的規(guī)格:根據(jù)層數(shù)可分為單面板,而顯示卡用的是8層板. 而主機(jī)板的尺寸為:AT規(guī)格的主機(jī)板尺寸一般為13X12(單位為英寸)。3．代換法 代換法是用已知完好的同型號、同規(guī)格集成電路來代換被測集成電路，可以判斷出該集成電路是否損壞。 1．非在線測量 非在線測量潮在集成電路未焊入電路時(shí)，通過測量其各引腳之間的直流電阻值與已知正常同型號集成電路各引腳之間的直流電阻值進(jìn)行對比，以確定其是