【正文】 d。 （4）場效應(yīng)管能在很小電流和很低電壓的條件下工作，而且它的制造工藝可以很方便地把很多場效應(yīng)管集成在一塊硅片上，因此場效應(yīng)管 場效應(yīng)管好壞與極性判別:將萬用表的量程選擇在RX1K檔,用黑表筆接D極,紅表筆接S極,用手同時(shí)觸及一下G,D極,場效應(yīng)管應(yīng)呈瞬時(shí)導(dǎo)通狀態(tài),即表針擺向阻值較小的位置,再用手觸及一下G,S極, 場效應(yīng)管應(yīng)無反應(yīng),. 將萬用表的量程選擇在RX1K檔,分別測(cè)量場效應(yīng)管三個(gè)管腳之間的電阻阻值,若某腳與其他兩腳之間的電阻值均為無窮大時(shí),并且再交換表筆后仍為無窮大時(shí),則此腳為G極,交換表筆后再測(cè)量一次,其中阻值較小的一次,黑表筆接的是S極,紅表筆接的是D極. 第七節(jié) 集成電路 集成電路的英文縮寫 IC(integrate circuit) 電路中的表示符號(hào): U :集成電路是在一塊單晶硅上,用光刻法制作出很多三極管,二極管,電阻和電容,并按照特定的要求把他們連接起來,重量輕,可靠性高和性能穩(wěn)定等優(yōu)點(diǎn),所以特別是大規(guī)模和超大規(guī)模的集成電路的出現(xiàn),是電子設(shè)備在微型化,可靠性和靈活性方面向前推進(jìn)了一大步. 集成電路常見的封裝形式 BGA(ball grid array)球柵陣列(封裝) 見圖二 QFP(quad flat package)四面有鷗翼型腳(封裝) 見圖一 SOIC(small outline integrated circuit) 兩面有鷗翼型腳(封裝) 見圖五PLCC(plastic leaded chip carrier)四邊有內(nèi)勾型腳(封裝) 見圖三SOJ(small outline junction) 兩邊有內(nèi)勾型腳(封裝) 見圖四 圖一 圖二 圖三 圖四圖五。2．在線測(cè)量 在線測(cè)量法是利用電壓測(cè)量法、電阻測(cè)量法及電流測(cè)量法等，通過在電路上測(cè)量集成電路的各引腳電壓值、電阻值和電流值是否正常，來判斷該集成電路是否損壞。 工作原理 :基本RS觸發(fā)器的邏輯方程為： 根據(jù)上述兩個(gè)式子得到它的四種輸入與輸出的關(guān)系: =S=0時(shí)，則Q=0,Q=1,觸發(fā)器置1。R=0,S=1時(shí)，使觸發(fā)器置0，或稱復(fù)位。 =S=1時(shí)，觸發(fā)器狀態(tài)保持不變。第十二節(jié) TTL邏輯門電路　以雙極型半導(dǎo)體管為基本元件，集成在一塊硅片上，并具有一定的邏輯功能的電路稱為雙極型邏輯集成電路，簡稱TTL邏輯門電路?！　≡缙谏a(chǎn)的CMOS門電路為4000系列 ，隨后發(fā)展為4000B系列。即在柵源極之間加的電壓與柵極電流之比　　5. 低頻跨導(dǎo)gm　　對(duì)一般的MOS管而言，RON的數(shù)值在幾百歐以內(nèi)7. 極間電容　　低頻噪聲系數(shù)是在低頻范圍內(nèi)測(cè)出的噪聲系數(shù)　　　　下圖分析了當(dāng)vI=VDD時(shí)的工作情況?？梢娚鲜鰞煞N極限情況下的功耗都很低。兩管在VI=VDD/2處轉(zhuǎn)換狀態(tài)。當(dāng)輸入端A、B中只要有一個(gè)為低電平時(shí)，就會(huì)使與它相連的NMOS管截止，與它相連的PMOS管導(dǎo)通，輸出為高電平；僅當(dāng)A、B全為高電平時(shí)，才會(huì)使兩個(gè)串聯(lián)的NMOS管都導(dǎo)通，使兩個(gè)并聯(lián)的PMOS管都截止，輸出為低電平。13．　　上圖為CMOS異或門電路。輸入信號(hào)vI同時(shí)作用于MP和MN的柵極?？梢姡T電路的開關(guān)速度可得到改善。因此 ，只要有一個(gè)輸入端接高電平，輸出即為低電平。為使襯底與漏源極之間的PN結(jié)任何時(shí)刻都不致正偏 ，故TP的襯底接+5V電壓，而TN的襯底接5V電壓 。　　由上分析可知，當(dāng)vI＜3V時(shí)，僅有TN導(dǎo)通，而當(dāng)vI＞+3V時(shí)，僅有TP導(dǎo)通當(dāng)vI在3V到+3V的范圍內(nèi)，TN和TP兩管均導(dǎo)通。2．判別正負(fù)反饋的方法——瞬時(shí)極性法 瞬時(shí)極性法是用來判斷正反饋還是負(fù)反饋的。 ）； 若反饋信號(hào)與輸入信號(hào)在基本放大電路的輸入端以電壓串聯(lián)的形式迭加，則稱為串聯(lián)反饋；若反饋信號(hào)與輸入信號(hào)在基本放大電路的輸入端以電流并聯(lián)的形式迭加，則稱為并聯(lián)反饋。對(duì)于多級(jí)放電電路：在多級(jí)放大器中，由于各級(jí)之間是串聯(lián)起來的，后一級(jí)的輸入電阻就是前級(jí)的負(fù)載，所以，多級(jí)放大器的總電壓放大倍數(shù)等于各級(jí)放大倍數(shù)的乘積，即Ａu＝Ａu1Ａu2……Ａun。這是CMOS傳輸出門的優(yōu)點(diǎn)。可見，當(dāng)C端接低電壓時(shí)，開關(guān)是斷開的。所謂傳輸門（TG）就是一種傳輸模擬信號(hào)的模擬開關(guān)。當(dāng)A和B均為低電平時(shí)，則兩個(gè)MOSFET MPA和MPB均導(dǎo)通，T1導(dǎo)通而MNA和MNB均截止，輸出L為高電平?！　∩鲜鲭娐分蠺1和T2的基區(qū)存儲(chǔ)電荷亦可通過M1和M2釋放，以加快電路的開關(guān)速度。異成門和同或門的邏輯符號(hào)如下圖所示。　　當(dāng)輸入端A、B中只要有一個(gè)為高電平時(shí)，就會(huì)使與它相連的NMOS管導(dǎo)通，與它相連的PMOS管截止，輸出為低電平；僅當(dāng)A、B全為低電平時(shí)，兩個(gè)并聯(lián)NMOS管都截止，兩個(gè)串聯(lián)的PMOS管都導(dǎo)通，輸出為高電平。類似地，亦可分析電容CL的放電過程。由于 VDD＞（VTN＋|VTP|），因此，當(dāng)VDD|VTP|vIVTN 時(shí),TN和TP兩管同時(shí)導(dǎo)通。顯然，這時(shí)的輸出電壓vOL≈0V（典型值＜10mV ，而通過兩管的電流接近于零。為了電路能正常工作，要求電源電壓VDD大于兩個(gè)管子的開啟電壓的絕對(duì)值之和，即VDD＞(VTN＋|VTP|) 。噪聲是由管子內(nèi)部載流子運(yùn)動(dòng)的不規(guī)則性所引起的　　一般在十分之幾至幾mA/V的范圍內(nèi)6. 導(dǎo)通電阻RON　　在VGS=0（增強(qiáng)型）的條件下 ，在增加漏源電壓過程中使ID開始劇增時(shí)的VDS稱為漏源擊穿電壓BVDS　　開啟電壓（又稱閾值電壓）：使得源極S和漏極D之間開始形成導(dǎo)電溝道所需的柵極電壓；　　但是由于TTL功耗大等缺點(diǎn)，正逐漸被CMOS電路取代。 此外,還可以用或非門的輸入、輸出端交叉連接構(gòu)成置0、置1觸發(fā)器,（a）（b）所示。由于這里的觸發(fā)信號(hào)是電平,因此這種觸發(fā)器稱為電平控制觸發(fā)器。通常稱觸發(fā)器處于某種狀態(tài)，實(shí)際是指它的Q端的狀態(tài)。ATX主機(jī)板的尺寸一般為12X96(單位為英寸)。在只允許從信號(hào)源取較少電流的情況下，應(yīng)選用場效應(yīng)管；而在信號(hào)電壓較低，又允許從信號(hào)源取較多電流的條件下，應(yīng)選用晶體管。 IC(mA) IB(mA) 80μA 4 飽UCE=0V 1V 和 放大區(qū) 60μA 3 區(qū) ΔIC ΔIB 40μA 2 20μA 1 0 UBE(V) IB=0μA 截止區(qū)輸入特性曲線 0 2 4 6 8 UCE(V)輸出特性曲線三極管各區(qū)的工作條件：1． 放大區(qū)：發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏：2． 飽和區(qū)：發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)正偏；3． 截止區(qū)：發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)反偏。比如常用的9014三極管及其系列的其它型號(hào)三極管、2SC1812N5402N5551等三極管，其b極有的在就中間。這個(gè)方法適用于所有外形的三極管，方便實(shí)用。d。注：交流信號(hào)從基極輸入，集電極輸出，那發(fā)射極就叫公共極。極限參數(shù)：反向擊穿電壓，集電極最大允許電流、集電極最大允許功率損耗。按材料來分 可分硅和鍺管，我國目前生產(chǎn)的硅管多為NPN型，鍺管多為PNP型。這樣，當(dāng)把穩(wěn)壓管接入電路以后，若由于電源電壓發(fā)生波動(dòng)，或其它原因造成電路中各點(diǎn)電壓變動(dòng)時(shí)，負(fù)載兩端的電壓將基本保持不變。測(cè)試注意事項(xiàng)：用數(shù)字式萬用表去測(cè)二極管時(shí)，紅表筆接二極管的正極，黑表筆接二極管的負(fù)極，此時(shí)測(cè)得的阻值才是二極管的正向?qū)ㄗ柚担@與指針式萬用表的表筆接法剛好相反。 穩(wěn)壓二極管 發(fā)光二極管 光電二極管 變?nèi)荻O管 半導(dǎo)體二極管在電路中常用“D”加數(shù)字表示，如：D5表示編號(hào)為5的半導(dǎo)體二極管。 電感器的作用：濾波，陷波，振蕩，儲(chǔ)存磁能等。用萬用表Ｒ１擋，電路斷開后，先放掉殘存在電容器內(nèi)的電荷。 電容的分類:,是有正負(fù)極之分. 電容器的主要性能指標(biāo)是: 電容器的容量(即儲(chǔ)存電荷的容量),耐壓值(指在額定溫度范圍內(nèi)電容能長時(shí)間可靠工作的最大直流電壓或最大交流電壓的有效值)耐溫值(表示電容所能承受的最高工作溫度。 ,一般為PF,:3表示3PF。首先將萬用表的檔位旋鈕調(diào)到歐姆檔的適當(dāng)檔位,一般200歐姆以下電阻器可選200檔,2002K歐姆電阻器可選2K檔,2K20K歐姆可選20K檔,20K200K歐姆的電阻器可選200K檔,20M歐姆以上的電阻器選擇200M檔.第二節(jié) 電容器 電容器的含義:衡量導(dǎo)體儲(chǔ)存電荷能力的物理量. 電容器的英文縮寫:C (capacitor) 電容器在電路中的表示符號(hào): C 或CN(排容) 電容器常見的單位: 毫法（mF）、微法（uF）、納法（nF）、皮法（pF） 電容器的單位換算: 1法拉=103毫法=106微法=109納法=1012皮法。%灰88白99―20% ~ +50%金5%銀10%無色20%圖11 兩位有效數(shù)字阻值的色環(huán)表示法如果色環(huán)電阻器用五環(huán)表示,前面