【正文】 圖四圖五。1. 對(duì)于BGA封裝（用坐標(biāo)表示）：在打點(diǎn)或是有顏色標(biāo)示處逆時(shí)針開始數(shù)用英文字母表示－A,B,C,D,E……(其中I,O基本不用)，順時(shí)針用數(shù)字表示－1，2，3，4，5，6……其中字母位橫坐標(biāo)，數(shù)字為縱坐標(biāo) 如：A1,A22. 對(duì)于其他的封裝：在打點(diǎn)，有凹槽或是有顏色標(biāo)示處逆時(shí)針開始數(shù)為第一腳，第二腳，第三腳…… 集成電路常用的檢測(cè)方法有在線測(cè)量法、非在線測(cè)量法和代換法。 1．非在線測(cè)量 非在線測(cè)量潮在集成電路未焊入電路時(shí)，通過測(cè)量其各引腳之間的直流電阻值與已知正常同型號(hào)集成電路各引腳之間的直流電阻值進(jìn)行對(duì)比，以確定其是否正常。2．在線測(cè)量 在線測(cè)量法是利用電壓測(cè)量法、電阻測(cè)量法及電流測(cè)量法等，通過在電路上測(cè)量集成電路的各引腳電壓值、電阻值和電流值是否正常，來判斷該集成電路是否損壞。3．代換法 代換法是用已知完好的同型號(hào)、同規(guī)格集成電路來代換被測(cè)集成電路，可以判斷出該集成電路是否損壞。第八節(jié) Socket,Slot Socket和Slot的異同: Socket是一種插座封裝形式,是一種矩型的插座(見圖六)。 Slot是一種插槽封裝形式,是一種長(zhǎng)方形的插槽(圖七). 圖六 圖七第九節(jié) PCB的簡(jiǎn)介 PCB的英文縮寫PCB(Printed Circuit Board) PCB的作用:PCB作為一塊基板,他是裝載其它電子元器件的載體,所以一塊PCB設(shè)計(jì)的好壞將直接影響到產(chǎn)品質(zhì)量的好壞. PCB的分類和常見的規(guī)格:根據(jù)層數(shù)可分為單面板,而顯示卡用的是8層板. 而主機(jī)板的尺寸為:AT規(guī)格的主機(jī)板尺寸一般為13X12(單位為英寸)。ATX主機(jī)板的尺寸一般為12X96(單位為英寸)。Micro (單位為英寸) .注明:1英寸=第十節(jié) 晶振＂X”,＂Y”:能產(chǎn)生具有一定幅度及頻率波形的振蕩器.::測(cè)量電阻方法:用萬用表RX10K檔測(cè)量石英晶體振蕩器的正,則說明該石英晶體振蕩器已漏電或擊穿損壞.動(dòng)態(tài)測(cè)量方法:用是波器在電路工作時(shí)測(cè)量它的實(shí)際振蕩頻是否符合該晶體的額定振蕩頻率,如果是,說明該晶振是正常的,如果該晶體的額定振蕩頻率偏低,偏高或根本不起振,表明該晶振已漏電或擊穿損壞第十一節(jié) 基本邏輯門電路 門電路的概念：實(shí)現(xiàn)基本和常用邏輯運(yùn)算的電子電路，叫邏輯門電路。實(shí)現(xiàn)與運(yùn)算的叫與門，實(shí)現(xiàn)或運(yùn)算的叫或門，實(shí)現(xiàn)非運(yùn)算的叫非門，也叫做反相器，等等（用邏輯1表示高電平；用邏輯0表示低電平） 與門：邏輯表達(dá)式　　　F＝A B即只有當(dāng)輸入端A和B均為1時(shí),輸出端Y才為1,:74LS08,74LS09等. 或門： 邏輯表達(dá)式　　　F＝A+ B即當(dāng)輸入端A和B有一個(gè)為1時(shí),輸出端Y即為1,所以輸入端A和B均為0時(shí),:74LS32等.．非門 邏輯表達(dá)式 F=A:74LS04,74LS05,74LS06,74LS14等.．與非門 邏輯表達(dá)式 F=AB即只有當(dāng)所有輸入端A和B均為1時(shí),輸出端Y才為0,:74LS00,74LS03,74S31,74LS132等.．或非門： 邏輯表達(dá)式 F=A+B即只要輸入端A和B中有一個(gè)為1時(shí),:74LS02等.．同或門: 邏輯表達(dá)式F=A B+A B=1A F B：邏輯表達(dá)式F=A B+A B=1 A F B ：邏輯表邏輯表達(dá)式F=AB+CD≥1AB＆ C F D ： 電路結(jié)構(gòu) 把兩個(gè)與非門GG2的輸入、輸出端交叉連接，即可構(gòu)成基本RS觸發(fā)器，.(a)所示。它有兩個(gè)輸入端R、S和兩個(gè)輸出端Q、Q。 工作原理 :基本RS觸發(fā)器的邏輯方程為： 根據(jù)上述兩個(gè)式子得到它的四種輸入與輸出的關(guān)系: =S=0時(shí)，則Q=0,Q=1,觸發(fā)器置1。 =0、S=1時(shí)，則Q=1,Q=0,觸發(fā)器置0。 如上所述，當(dāng)觸發(fā)器的兩個(gè)輸入端加入不同邏輯電平時(shí)，它的兩個(gè)輸出端Q和Q有兩種互補(bǔ)的穩(wěn)定狀態(tài)。一般規(guī)定觸發(fā)器Q端的狀態(tài)作為觸發(fā)器的狀態(tài)。通常稱觸發(fā)器處于某種狀態(tài)，實(shí)際是指它的Q端的狀態(tài)。Q=Q=0時(shí)，稱觸發(fā)器處于1態(tài)，反之觸發(fā)器處于0態(tài)。S=0,R=1使觸發(fā)器置1，或稱置位。因置位的決定條件是S=0,故稱S 端為置1端。R=0,S=1時(shí)，使觸發(fā)器置0，或稱復(fù)位。 同理，稱R端為置0端或復(fù)位端。若觸發(fā)器原來為1態(tài)，欲使之變?yōu)?態(tài)，必須令R端的電平由1變0，S端的電平由0變1。這里所加的輸入信號(hào)（低電平）稱為觸發(fā)信號(hào)，由它們導(dǎo)致的轉(zhuǎn)換過程稱為翻轉(zhuǎn)。由于這里的觸發(fā)信號(hào)是電平,因此這種觸發(fā)器稱為電平控制觸發(fā)器。從功能方面看，它只能在S和R的作用下置0和置1，所以又稱為置0置1觸發(fā)器，或稱為置位復(fù)位觸發(fā)器。(b)所示。由于置0或置1都是觸發(fā)信號(hào)低電平有效，因此，S端和R端都畫有小圓圈。 =S=1時(shí)，觸發(fā)器狀態(tài)保持不變。 觸發(fā)器保持狀態(tài)時(shí)，輸入端都加非有效電平（高電平），需要觸發(fā)翻轉(zhuǎn)時(shí)，要求在某一輸入端加一負(fù)脈沖，例如在S端加負(fù)脈沖使觸發(fā)器置1，該脈沖信號(hào)回到高電平后，觸發(fā)器仍維持1狀態(tài)不變，相當(dāng)于把S端某一時(shí)刻的電平信號(hào)存儲(chǔ)起來，這體現(xiàn)了觸發(fā)器具有記憶功能。 =S=0時(shí)，觸發(fā)器狀態(tài)不確定 在此條件下，兩個(gè)與非門的輸出端Q和Q全為1，在兩個(gè)輸入信號(hào)都同時(shí)撤去（回到1）后，由于兩個(gè)與非門的延遲時(shí)間無法確定，觸發(fā)器的狀態(tài)不能確定是1還是0,因此稱這種情況為不定狀態(tài)，這種情況應(yīng)當(dāng)避免。從另外一個(gè)角度來說，正因?yàn)镽端和S端完成置0、置1都是低電平有效，所以二者不能同時(shí)為0。 此外,還可以用或非門的輸入、輸出端交叉連接構(gòu)成置0、置1觸發(fā)器,（a）（b）所示。這種觸發(fā)器的觸發(fā)信號(hào)是高電平有效，因此在邏輯符號(hào)的S端和R端沒有小圓圈。 基本RS觸發(fā)器的特性：、復(fù)位和保持（記憶）的功能； ，屬于電平觸發(fā)方式； （R+S=1），由于兩個(gè)與非門的延遲時(shí)間無法確定；當(dāng)R=S=0時(shí)，將導(dǎo)致下一狀態(tài)的不確定。 ，輸出即刻就會(huì)發(fā)生相應(yīng)的變化，即抗干擾性能較差。第十二節(jié) TTL邏輯門電路　以雙極型半導(dǎo)體管為基本元件，集成在一塊硅片上，并具有一定的邏輯功能的電路稱為雙極型邏輯集成電路，簡(jiǎn)稱TTL邏輯門電路。稱TransistorTransistor Logic,即BJTBJT邏輯門電路，是數(shù)字電子技術(shù)中常用的一種邏輯門電路，應(yīng)用較早，技術(shù)已比較成熟。TTL主要有BJT（Bipolar Junction Transistor 即雙極結(jié)型晶體管，晶體三極管）和電阻構(gòu)成，具有速度快的特點(diǎn)。最早的TTL門電路是74系列，后來出現(xiàn)了74H系列，74L系列，74LS,74AS,74ALS等系列。但是由于TTL功耗大等缺點(diǎn)，正逐漸被CMOS電路取代。12．1 CMOS邏輯門電路CMOS邏輯門電路是在TTL電路問世之后 ，所開發(fā)出的第二種廣泛應(yīng)用的數(shù)字集成器件，從發(fā)展趨勢(shì)來看，由于制造工藝的改進(jìn)，CMOS電路的性能有可能超越TTL而成為占主導(dǎo)地位的邏輯器件 。CMOS電路的工作速度可與TTL相比較，而它的功耗和抗干擾能力則遠(yuǎn)優(yōu)于TTL。此外，幾乎所有的超大規(guī)模存儲(chǔ)器件 ，以及PLD器件都采用CMOS藝制造，且費(fèi)用較低。　　早期生產(chǎn)的CMOS門電路為4000系列 ，隨后發(fā)展為4000B系列。當(dāng)前與TTL兼容的CMO器件如74HCT系列等可與TTL器件交換使用。下面首先討論CMOS反相器，然后介紹其他CMO邏輯門電路。MOS管結(jié)構(gòu)圖MOS管主要參數(shù)：　　開啟電壓（又稱閾值電壓）：使得源極S和漏極D之間開始形成導(dǎo)電溝道所需的柵極電壓；　　標(biāo)準(zhǔn)的N溝道MOS管，VT約為3～6V；　　通過工藝上的改進(jìn)，可以使MOS管的VT值降到2～3V。2. 直流輸入電阻RGS　　即在柵源極之間加的電壓與柵極電流之比　　這一特性有時(shí)以流過柵極的柵流表示　　MOS管的RGS可以很容易地超過1010Ω。3. 漏源擊穿電壓BVDS　　在VGS=0（增強(qiáng)型）的條件下 ，在增加漏源電壓過程中使ID開始劇增時(shí)的VDS稱為漏源擊穿電壓BVDS　　ID劇增的原因有下列兩個(gè)方面：　　（1）漏極附近耗盡層的雪崩擊穿　?。?）漏源極間的穿通擊穿　　有些MOS管中，其溝道長(zhǎng)度較短，不斷增加VDS會(huì)使漏區(qū)的耗盡層一直擴(kuò)展到源區(qū)，使溝道長(zhǎng)度為零，即產(chǎn)生漏源間的穿通，穿通后，源區(qū)中的多數(shù)載流子，將直接受耗盡層電場(chǎng)的吸引，到達(dá)漏區(qū)，產(chǎn)生大的ID4. 柵源擊穿電壓BVGS　　在增加?xùn)旁措妷哼^程中，使柵極電流IG由零開始劇增時(shí)的VGS，稱為柵源擊穿電壓BVGS。5. 低頻跨導(dǎo)gm　　在VDS為某一固定數(shù)值的條件下 ，漏極電流的微變量和引起這個(gè)變化的柵源電壓微變量之比稱為跨導(dǎo)　　gm反映了柵源電壓對(duì)漏極電流的控制能力　　是表征MOS管放大能力的一個(gè)重要參數(shù)　　一般在十分之幾至幾mA/V的范圍內(nèi)6. 導(dǎo)通電阻RON　　導(dǎo)通電阻RON說明了VDS對(duì)ID的影響 ，是漏極特性某一點(diǎn)切線的斜率的倒數(shù)　　在飽和區(qū)，ID幾乎不隨VDS改變，RON的數(shù)值很大 ，一般在幾十千歐到幾百千歐之間　　由于在數(shù)字電路中 ，MOS管導(dǎo)通時(shí)經(jīng)常工作在VDS=0的狀態(tài)下，所以這時(shí)的導(dǎo)通電阻RON可用原點(diǎn)的RON來近似　　對(duì)一般的MOS管而言，RON的數(shù)值在幾百歐以內(nèi)7. 極間電容　　三個(gè)電極之間都存在著極間電容：柵源電容CGS 、柵漏電容CGD和漏源電容CDS　　CGS和CGD約為1～3pF　　～1pF之間8. 低頻噪聲系數(shù)NF　　噪聲是由管子內(nèi)部載流子運(yùn)動(dòng)的不規(guī)則性所引起的　　由于它的存在，就使一個(gè)放大器即便在沒有信號(hào)輸人時(shí)，在輸　　　出端也出現(xiàn)不規(guī)則的電壓或電流變化　　噪聲性能的大小通常用噪聲系數(shù)NF來表示，它的單位為分貝（dB）　　這個(gè)數(shù)值越小，代表管子所產(chǎn)生的噪聲越小　　低頻噪聲系數(shù)是在低頻范圍內(nèi)測(cè)出的噪聲系數(shù)　　場(chǎng)效應(yīng)管的噪聲系數(shù)約為幾個(gè)分貝，它比雙極性三極管的要小第十三節(jié) 單元電路1