【正文】 屬部分有無腐蝕氧化,標志有無完整清晰,測線圈的直流電阻,或指針不動,可判斷電感器本體嚴重短路,線圈的局部短路需用專用儀器進行檢測.第四節(jié) 半導(dǎo)體二極管 英文縮寫：D (Diode) 電路符號是 半導(dǎo)體二極管的分類 分類：a 按材質(zhì)分：硅二極管和鍺二極管； b按用途分：整流二極管，檢波二極管，穩(wěn)壓二極管，發(fā)光二極管，光電二極管，變?nèi)荻O管。 第三節(jié) 電感器 電感器的英文縮寫：L (Inductance) 電路符號： 電感器的國際標準單位是: H(亨利),mH(毫亨),uH（微亨）,nH（納亨）； 電感器的單位換算是: 1H=103m H＝106u H＝109n H；1n H＝103u H=106m H=10 9H 電感器的特性：通直流隔交流；通低頻阻高頻。主要是檢測電容器是否已開路或已擊穿這兩種明顯故障，而對漏電故障由于受外電路的影響一般是測不準的。電容器偏差標志符號：+100%0H、+100%10%R、+50%10%T、+30%10%Q、+50%20%S、+80%20%Z。6n8表示6800PF.b。 一般情況下電阻在電路中有兩種接法:串聯(lián)接法和并聯(lián)接法電阻的計算： R1 R1 R2 R2 串連： 并聯(lián)：R=R1+R2 R=1/R1+1/R2 多個電阻的串并聯(lián)的計算方法：串聯(lián)：R總串=R1+R2+R3+……Rn. 并聯(lián)：1/R總并=1/R+2/R+3/R……1/Rn 電阻器好壞的檢測: a、用指針萬用表判定電阻的好壞:首先選擇測量檔位,再將倍率檔旋鈕置于適當?shù)臋n位,一般100歐姆以下電阻器可選RX1檔,100歐姆1K歐姆的電阻器可選RX10檔,1K歐姆10K歐姆電阻器可選RX100檔,10K100K歐姆的電阻器可選RX1K檔,100K歐姆以上的電阻器可選RX10K檔.b、測量檔位選擇確定后,對萬用表電阻檔為進行校0, 校0的方法是:將萬用表兩表筆金屬棒短接,觀察指針有無到0的位置,如果不在0位置,調(diào)整調(diào)零旋鈕表針指向電阻刻度的0位置.c、接著將萬用表 的 兩表筆分別和電阻器的兩端相接,表針應(yīng)指在相應(yīng)的阻值刻度上,如果表針不動和指示不穩(wěn)定或指示值與電阻器上的標示值相差很大,則說明該電阻器已損壞.d、用數(shù)字萬用表判定電阻的好壞。%紫77177。、 122=1200Ω=、 1402=14000Ω=14KΩ、 R22=、 50C=324*100=、17R8=、000=0Ω、 0=0Ω.c、色環(huán)標注法使用最多，普通的色環(huán)電阻器用4環(huán)表示,精密電阻器用5環(huán)表示,緊靠電阻體一端頭的色環(huán)為第一環(huán),：如果色環(huán)電阻器用四環(huán)表示,前面兩位數(shù)字是有效數(shù)字,第三位是10的倍冪, 第四環(huán)是色環(huán)電阻器的誤差范圍(見圖一)第一章 電子元器件第一節(jié)、電阻器 電阻器的含義:在電路中對電流有阻礙作用并且造成能量消耗的部分叫電阻. 電阻器的英文縮寫：R（Resistor） 及排阻RN 電阻器在電路符號： R 或 WWW 電阻器的常見單位:千歐姆（KΩ）, 兆歐姆（MΩ） 電阻器的單位換算: 1兆歐=103千歐=106歐 電阻器的特性：電阻為線性原件，即電阻兩端電壓與流過電阻的電流成正比，通過這段導(dǎo)體的電流強度與這段導(dǎo)體的電阻成反比。 104則表示100KΩ、。%藍66177。一般是2位數(shù)字和1位字母表示，兩個數(shù)字是有效數(shù)字，字母表示10的倍冪,:代碼阻值代碼阻值代碼阻值代碼阻值代碼阻值coderesiscanecoderesiscancecoderesiscancecoderesiscancecoderesiscance11002116241261614228168121022216542267624328269831052316943274634428371541072417444280644538473251102517845287654648575061132618246294664758676871152718747301674878778781182819148309684998880691212949316695118982510124302005032470523908451112731320551332715369186612130322105234072549928871313333215533487356293909141373422154357745769493115140352265536575590949811614336232563747660495953171473723757383/388776199697618150382435839278634969761915439249594027964920153402556041280665symbolABCDEFGHXYZmultipliers100101102103104105106107101102103 SMT電阻的尺寸表示：用長和寬表示（如0201，0603，0805，1206等，）。 直標法是將電容的標稱值用數(shù)字和單位在電容的本體上表示出來：如：220MF表示220UF；.；。電容器的色標法與電阻相同。表針向右擺動的角度越大（表針還應(yīng)該向左回擺），說明這一電解電容的電容量也越大，反之說明容量越小。對換萬用表筆測兩次，以漏電大（電阻值小）的一次為準，黑表筆所接一腳為負極，另一腳為正極。如：棕、黑、金、金表示1uH（誤差5%）的電感。目視法判斷半導(dǎo)體二極管的極性:,另外一端是正極. b。出現(xiàn)上述情況之一時，就應(yīng)該更換同型號的變?nèi)荻O管。：半導(dǎo)體三極管（簡稱晶體管）是內(nèi)部含有2個PN結(jié)，并且具有放大能力的特殊器件。極間反向電流，集電極與基極的反向飽和電流。共射極放大電路共集電極放大電路共基極放大電路電路形式直流通道靜態(tài)工作點交流通道微變等效電路riRb//rberoRCRC用途多級放大電路的中間級輸入、輸出級或緩沖級高頻電路或恒流源電路b。c。對PNP管，要將黑表筆接假設(shè)的e極（手不要碰到筆尖或管腳），紅表筆接假設(shè)的c極，同時用手指捏住表筆尖及這個管腳，然后用舌尖舔一下b極，如果各表筆接得正確，表頭指針會偏轉(zhuǎn)得比較大。 對于常見的進口型號的大功率塑封管，其c極基本都是在中間（我還沒見過b在中間的）。按材質(zhì)分：硅管和鍺管 e。：具有較高輸入電阻高、輸入電流低于零，幾乎不要向信號源吸取電流，在在基極注入電流的大小，直接影響集電極電流的大小，利用輸出電流控制輸出電源的半導(dǎo)體。第八節(jié) Socket,Slot Socket和Slot的異同: Socket是一種插座封裝形式,是一種矩型的插座(見圖六)。 如上所述，當觸發(fā)器的兩個輸入端加入不同邏輯電平時，它的兩個輸出端Q和Q有兩種互補的穩(wěn)定狀態(tài)。若觸發(fā)器原來為1態(tài)，欲使之變?yōu)?態(tài)，必須令R端的電平由1變0，S端的電平由0變1。 =S=0時，觸發(fā)器狀態(tài)不確定 在此條件下，兩個與非門的輸出端Q和Q全為1，在兩個輸入信號都同時撤去（回到1）后，由于兩個與非門的延遲時間無法確定，觸發(fā)器的狀態(tài)不能確定是1還是0,因此稱這種情況為不定狀態(tài)，這種情況應(yīng)當避免。TTL主要有BJT（Bipolar Junction Transistor 即雙極結(jié)型晶體管，晶體三極管）和電阻構(gòu)成，具有速度快的特點。下面首先討論CMOS反相器，然后介紹其他CMO邏輯門電路。MOS管的RGS可以很容易地超過1010Ω。gm反映了柵源電壓對漏極電流的控制能力　　CGS和CGD約為1～3pF　　由N溝道和P溝道兩種MOSFET組成的電路稱為互補MOS或CMOS電路。由于vSGP＜VT（VTN=|VTP|=VT），負載曲線幾乎是一條與橫軸重合的水平線?！　∠聢D為CMOS反相器的傳輸特性圖。下圖表示當vI=0V時 ，TN截止，TP導(dǎo)通，由VDD通過TP向負載電容CL充電的情況?！　∠聢D是2輸入端CMOS或非門電路?；蚍情T的輸出。當輸出端接有同類BiCMOS門電路時，輸出級能提供足夠大的電流為電容性負載充電。如果要實現(xiàn)或非邏輯關(guān)系，輸入信號用來驅(qū)動并聯(lián)的N溝道MOSFET，而P溝道MOSFET則彼此串聯(lián)。模擬開關(guān)廣泛地用于取樣——保持電路、斬波電路、模數(shù)和數(shù)模轉(zhuǎn)換電路等?！　鬏旈T的工作情況如下：當C端接低電壓5V時TN的柵壓即為5V，vI取5V到+5V范圍內(nèi)的任意值時，TN均不導(dǎo)通。換句話說，當一管的導(dǎo)通電阻減小，則另一管的導(dǎo)通電阻就增加。發(fā)射極與基極同相位，仍為(+)信號，多級放大器在這一瞬時的極性依次類推，假設(shè)在這一瞬時反饋電阻RF的反饋信號使輸入信號加強，則為正反饋，使得輸入信號削弱，則為負反饋