【正文】 管選型原則 ? 主要考慮最大整流電流、最大反向工作電流、截止頻率及反向恢復(fù)時(shí)間等參數(shù)； ? 開關(guān)電源整流、脈沖整流用整流二極管，宜選工作頻率較高、反向恢復(fù)時(shí)間較短、或選快恢復(fù)二極管。使用時(shí)，額定瞬態(tài)脈沖功率大于被保護(hù)線路的最大瞬態(tài)浪涌功率。 ? 反向擊穿電壓 BVCEO與 BVCBO BVCEO是指基極開路時(shí)，集電極與發(fā)射極間的反向擊穿電壓。 2SD1782技術(shù)參數(shù)： 問題： 車間在生產(chǎn)DTSY188 H2型內(nèi)置繼電器卡表時(shí)，經(jīng)常發(fā)現(xiàn)繼電器驅(qū)動(dòng)電路三極管壞。 在 高溫老化爐 60℃ 時(shí)現(xiàn)場(chǎng)測(cè)試走字有問題的表 SDI1和 SDO的波形，結(jié)果發(fā)現(xiàn)有些表計(jì) SDI1的低電平為 ， SDI1的波形相對(duì) SDO上升沿延時(shí) 26μ s，下降沿延時(shí) 20μ s。當(dāng)電路中 大 電流消失后保險(xiǎn)絲又呈低阻狀態(tài) . 作用 : 常用于電腦周邊電子產(chǎn)品 .防止電源短路 、 浪涌電流對(duì)產(chǎn)品的損壞 . 主要參數(shù)： 最大電壓：在 20 ℃ 時(shí)元件兩端能承受最大電壓降 . 保持電流：在 20 ℃ 時(shí)元件流過足以觸發(fā)關(guān)斷的最小電流值 . 原始電阻：在 20 ℃ 時(shí)元件斷開關(guān)阻抗 ,一般只有幾毫歐到幾歐 . 斷開時(shí)間：在 20 ℃ 條件下 ,以 5倍保持電流觸元件斷開最大 時(shí)間 . 恢復(fù)時(shí)間：指 20 ℃ 電源移去后由關(guān)斷到閉合導(dǎo)通 時(shí)間 ,一 般小于 20s. : 概念 : 設(shè)備溫度異常升高 ,當(dāng)溫度超過允許異常溫度時(shí) ,溫度保險(xiǎn)絲便會(huì)自動(dòng)熔斷 ,切斷電源 ,防止電器進(jìn)一步損壞 ,杜絕火災(zāi)發(fā)生 . 作用 : 線圈類產(chǎn)品 (變壓器、電源適配器、充電器及電機(jī) ) 家用電器 (電風(fēng)扇、空調(diào)、電熱器具、加濕器、照明器具 ) 主要參數(shù)： 額定溫度：也稱為動(dòng)作溫度或熔斷溫度 ,它是指在無負(fù)荷的情 況下 ,使溫度以每分鐘 1 ℃ 的速度升至熔斷時(shí)的溫 度 . 熔斷精度：是指溫度保險(xiǎn)絲實(shí)際熔斷溫度與額定溫度 的差值 . 額定電壓： 額定電流： : 概念 : 又稱為保險(xiǎn)電阻 .這是一種兼具電阻器和熔斷器雙重功能的元件 .在電路正常工作時(shí) ,熔斷電阻器的額定功率下發(fā)出的熱量與周圍介質(zhì)達(dá)到平衡 ,它具有電阻器的功能 。 QFP（ Quad Flat Package）：方形扁平封裝。 ? 通過讀懂 datasheet資料，了解到芯片的特性。 ? 電路中 多余不用的輸入端不能懸空， 應(yīng)按不同電路的要求或接地，或通過電阻接地，或接電源。 LM22676模塊擊穿問題 車間反饋國(guó)網(wǎng)上海樣表生產(chǎn)過程中部分表計(jì)有上電后表計(jì)丌工作現(xiàn)象，重新更換 LM22676模塊后表計(jì)工作正常，但在后續(xù)工序部分表計(jì)又重復(fù)出現(xiàn)上電丌工作現(xiàn)象。導(dǎo)致電流互感器初、次級(jí)短路，直入式初級(jí) 220V電壓直接通過電流采樣加在計(jì)量芯片上，導(dǎo)致計(jì)量芯片燒壞。 電流互感器加扎帶固定，防止融化后接觸到繼電器固定 銅片。改進(jìn)后，生產(chǎn)中未出現(xiàn)LM22676擊穿問題。 ? 集成電路拔插前，一定要切斷電源，并注意讓電源濾波電容放電后進(jìn)行。 ? 在 CMOS集成電路尚末接通電源時(shí)，不允許將輸入信號(hào)加到電路的輸入端，必須在加電源的情況下再接通外信號(hào)電源，斷開時(shí)應(yīng)先關(guān)斷外信號(hào)電源。 DIP（ Dual Inline Package）：雙列直插封裝。 傳聲器 :把聲音信號(hào)轉(zhuǎn)變?yōu)橐纛l電信號(hào)的電聲器件 。 解決方案： 單相國(guó)網(wǎng)表高溫走字問題光耦前端電阻改為 560歐 此數(shù)據(jù)常溫下光耦后端低電平為 ， 高溫 60℃ 時(shí)低電平為 ，完全能保證 MCU與 RN8209的正常通訊。 : ? 先假設(shè)三極管的某極為 ” 基極 ” ,將黑表筆接在假設(shè)基極上 ,再將紅表筆依次接到其余兩個(gè)電極上 ,若兩次測(cè)得的電阻都大 (約幾 K到幾十 K),或者都小 (幾百至幾K),對(duì)換表筆重復(fù)上述測(cè)量 ,若測(cè)得兩個(gè)阻值相反 (都很小或都很大 ),則可確定假設(shè)的基極是正確的 ,否則另假設(shè)一極為 ” 基極 ” ,重復(fù)上述測(cè)試 ,以確定基極 . ? 當(dāng)基極確定后 ,將黑表筆接基極 ,紅表筆筆接基它兩極若測(cè)得電阻值都很少 ,則該三極管為 NPN,反之為 PNP. ? 判斷集電極 C和發(fā)射極 E,以 NPN為例 : 把黑表筆接至假充的集電極 C,紅表筆接到假設(shè)的發(fā)射極 E,并用手捏住 B和 C極 ,讀出表頭所示 C,E電阻值 ,然后將紅 ,黑表筆反接重測(cè) .若第一次電阻比第二次小 ,說明原假設(shè)成立 . ? 電流傳輸比 CTR ： 光敏三極管的電流和發(fā)光管的電流比的最小值 ? 隔離電壓： 發(fā)光管和光敏三極管的隔離電壓的最小值 ? 發(fā)光二極管正向壓降 VF ： ? 正向電流 IF ： ? 集電極 發(fā)射極反向擊穿電壓 V(BR)CEO ? 集電極 發(fā)射極飽和壓降 VCE 單相國(guó)網(wǎng)表高溫走字問題問題描述： 品管反映車間在生產(chǎn) DDZY188Z和 DDZY188CZ表計(jì)時(shí)均發(fā)現(xiàn)部分表計(jì) 高溫 60℃ 走字不 準(zhǔn)現(xiàn)象。 三極管的反向工作電壓應(yīng)小于擊穿電壓的（ 1／ 2～ 1／ 3），以 保證管子安全可靠地工作。 功率在 可選貼片式， 插裝式。 把 AC電流變成 DC電流，工作頻率一般小于 10KHz。高亮（發(fā)光強(qiáng)度 10～ 100mcd)。 主要參數(shù) : 標(biāo)稱值 :因?yàn)榇胖榈膯挝皇前凑账谀骋活l率產(chǎn)生的阻抗來標(biāo)稱的，阻抗的單位也是歐姆 .一般以100MHz為標(biāo)準(zhǔn)，比如 2022B601，就是指在100MHz的時(shí)候磁珠的阻抗為 600歐姆。 ? 額定電壓 * 作為電容器的浪涌電壓； ? 工作電壓 160V時(shí)，額定工作電壓 +50V作為浪涌電壓； ? 需快速充放電的場(chǎng)合禁用鋁電解電容。 ? 缺點(diǎn)： 工作電壓低 ， DC電壓 40V；溫度系數(shù)大； ? 適用場(chǎng)合：高頻電路。 （ 2）脫焊和虛焊的開路故障。 Leakage R Stray L from leads and internal plate structure The capacitor we wanted 電容串聯(lián)諧振電路特性 A series resonant circuit 選用原則 ? 紙介電容： ? 優(yōu)點(diǎn)： 體積小、容量大 ? 缺點(diǎn)：固有電感和損耗大 ? 適宜場(chǎng)合：低頻 ? 滌綸電容器（隸屬于薄膜電容器）： ? 優(yōu)點(diǎn)：容量大（幾 pF— 幾百 μF），工作電壓寬，額定電壓有 63V、 100V和 160V幾種，介電常數(shù)大， 耐熱 （工作溫度達(dá) 120~130℃ ）； ? 缺點(diǎn)：損耗大，可代替紙介電容器 ? 適宜場(chǎng)合：適于直流及脈動(dòng)電路的耦合、退耦、旁路、隔直等；高頻電路不宜。 ? 疊片形金屬化聚碳酸酯電容器： ? 無感式結(jié)構(gòu)，高頻損耗小、自愈能力強(qiáng)、耐脈沖性、 無感、電容量大。 ? 耐電壓沖擊性較差，回路中需串聯(lián)保護(hù)電阻， 3Ω/ V。 ? 電感多用于電源濾波回路 ,磁珠多用于信號(hào)回路 ,用于 EMC對(duì)策 。 ? 在高電壓時(shí)選擇 PIN結(jié)構(gòu)快恢復(fù)二極管。 4. 功率在 ， ? 在低電壓 (耐壓 200V)， 大電流下，如需要器件具備 高時(shí)間 特性，選擇 肖特基二極管 ? 整流二極管考慮 最大電流 、 最大反向工作電壓 、 截止頻率 及 反向恢復(fù)時(shí)間 等參數(shù) ? 開關(guān)穩(wěn)壓電源的整流電路及脈沖整流電路中應(yīng)使用工作 頻率高 、 反向恢復(fù)時(shí)間短 的快恢復(fù)二極管。 ? 最大允許集電極電流 ICM 當(dāng) IC很大時(shí)， β值逐漸下降。 ? 放大倍數(shù) 電流放大倍數(shù) β值的大小與工作點(diǎn)的頻率有關(guān)，使用前應(yīng)進(jìn)行實(shí)測(cè)。 我們現(xiàn)在批量使用的光耦是 TLP781 B+檔，數(shù)據(jù)手冊(cè)上的 CTR值為 300%600%，此數(shù)據(jù)為 常溫 25℃光耦工作在放大狀態(tài)的測(cè)量值。P溝耗盡型和增強(qiáng)型四大類 .見下圖 : : Idss — 飽和漏源 電流 .是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管中 ,柵極電壓 UGS=0時(shí)的漏源電流 . Up — 夾斷電壓 .是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管中 ,使漏源間剛截止時(shí)的柵極電壓 . Ut — 開啟電壓 .是指增強(qiáng)型絕緣柵場(chǎng)效管中 ,使漏源間剛導(dǎo)通時(shí)的柵極電壓 . gM — 跨導(dǎo) .是表示柵源電壓 UGS — 對(duì)漏極電流 ID的控制能力 ,即漏極電流 ID變化量與柵源電壓 UGS變化量的比值 .gM 是衡量場(chǎng)效應(yīng)管放大能力的重要參數(shù) . BVDS — 漏源 擊穿電壓 .是指柵源電壓 UGS一定時(shí) ,場(chǎng)效應(yīng)管正常工作所能承受的最大漏源電壓 .這是一項(xiàng)極限參數(shù) ,加在場(chǎng)效應(yīng)管上的工作電壓必須小于 BVDS. PDSM — 最大耗散 功率 ,也是一項(xiàng)極限參數(shù) ,是指場(chǎng)效應(yīng)管性能不變壞時(shí)所允許的最大漏源耗散功率 .使用時(shí) ,場(chǎng)效應(yīng)管實(shí)際功耗應(yīng)小于 PDSM并留有一定余量 . IDSM — 最大漏源 電流 .是一項(xiàng)極限參數(shù) ,指場(chǎng)效應(yīng)管正常工作時(shí) ,漏源間所允許通過最大電流 .場(chǎng)效應(yīng)管的工作電流不應(yīng)超過 IDSM : 判定柵極 G: 將萬用表?yè)苤?R 1k檔 ,用萬用表的負(fù)極任意接一電極 ,另一只表筆依次去接觸其余的兩個(gè)極 ,測(cè)其電阻 .若兩次測(cè)得的電阻值近似相等 ,則負(fù)表筆所接觸的為柵極 ,另外兩電極為漏極和源極 .漏極和源極互換 ,若兩次測(cè)出的電阻都很大 ,則為 N溝道 。 按揚(yáng)聲器音膜分 : 紙盆揚(yáng)聲器 ,非紙盆揚(yáng)聲器 ,帶橡皮邊的 ,帶 泡沫邊的等揚(yáng)聲器 。 COB（ Chip on Board）：板上芯片封裝。當(dāng)電源通斷的瞬間變化，在電源布線上產(chǎn)生沖擊電壓時(shí)，應(yīng)接入大容量電容或保護(hù)電路 。因此除 “三態(tài)門、集電極開路門 ”外， TTL集成電路的輸出端不允許并聯(lián)使用。后續(xù)訂單更改互