【正文】 正確的。第三種方法：先判定管子的NPN或PNP類型及其b極后，將表置于R10kΩ檔，對(duì)NPN管，黑表筆接e極，紅表筆接c極時(shí)，表針可能會(huì)有一定偏轉(zhuǎn)，對(duì)PNP管，黑表筆接c極，紅表筆接e極時(shí)，表針可能會(huì)有一定的偏轉(zhuǎn)，反過來都不會(huì)有偏轉(zhuǎn)。按頻率分：高頻管和低頻管 b。測量PNP型半導(dǎo)體三極管的發(fā)射極和集電極的正向電阻值:紅表筆接基極,黑表筆接發(fā)射極,所測得阻值為發(fā)射極正向電阻值,若將黑表筆接集電極(紅表筆不動(dòng)),所測得阻值便是集電極的正向電阻值,正向電阻值愈小愈好.c。 （3）有些場效應(yīng)管的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負(fù)，靈活性比晶體管好。 1．非在線測量 非在線測量潮在集成電路未焊入電路時(shí)，通過測量其各引腳之間的直流電阻值與已知正常同型號(hào)集成電路各引腳之間的直流電阻值進(jìn)行對(duì)比，以確定其是否正常。它有兩個(gè)輸入端R、S和兩個(gè)輸出端Q、Q。因置位的決定條件是S=0,故稱S 端為置1端。由于置0或置1都是觸發(fā)信號(hào)低電平有效，因此，S端和R端都畫有小圓圈。 ，輸出即刻就會(huì)發(fā)生相應(yīng)的變化，即抗干擾性能較差。此外，幾乎所有的超大規(guī)模存儲(chǔ)器件 ，以及PLD器件都采用CMOS藝制造，且費(fèi)用較低。2. 直流輸入電阻RGS　　在增加?xùn)旁措妷哼^程中，使柵極電流IG由零開始劇增時(shí)的VGS，稱為柵源擊穿電壓BVGS。由于在數(shù)字電路中 ，MOS管導(dǎo)通時(shí)經(jīng)常工作在VDS=0的狀態(tài)下，所以這時(shí)的導(dǎo)通電阻RON可用原點(diǎn)的RON來近似　　這個(gè)數(shù)值越小，代表管子所產(chǎn)生的噪聲越小　　但是，由于電路是互補(bǔ)對(duì)稱的，這種假設(shè)可以是任意的，相反的情況亦將導(dǎo)致相同的結(jié)果。由圖可知，工作點(diǎn)決定了VO＝VOH≈VDD；通過兩器件的電流接近零值 。因此，在過渡區(qū)域，傳輸特性變化比較急劇。每個(gè)輸入端連到一個(gè)N溝道和一個(gè)P溝道MOS管的柵極。因而或非門用得較多。而Mp、MN、MM2所組成的輸入級(jí)與基本的CMOS反相器很相似。同理 ，當(dāng)vI為低電壓時(shí)，電源電壓VDD通過MP以激勵(lì)M2使M2導(dǎo)通，顯然T2基區(qū)的存儲(chǔ)電荷通過M2而消散。同時(shí)，M1A或M1B為T1的基極存儲(chǔ)電荷提供一條釋放道路。設(shè)它們的開啟電壓|VT|=2V且輸入模擬信號(hào)的變化范圍為5V到+5V 。同時(shí)TP的棚壓為5V ，vI在3V到+5V的范圍內(nèi)TP將導(dǎo)通。13．6 整流電路橋式整流電路13．7濾波電路(a) C型濾波電路 (b) 倒L型濾波電路 (c) Ⅱ型濾波電路 圖1 （3）幾種常見的橋式整流濾波電路： A 電容濾波電路： B電感濾波電路 13．8．反饋電路1．正反饋：是指反饋回來的信號(hào)增強(qiáng)輸入信號(hào)（常用與振蕩電路）； 負(fù)反饋：是指反饋回來的信號(hào)削弱原輸入信號(hào)（用與放大電路）。具體方法是：若將負(fù)載電阻 R L 短路，如果反饋?zhàn)饔孟?，則為電壓反饋；如果反饋?zhàn)饔么嬖?，則為電流反饋。注意：若反饋信號(hào)取自輸出電壓信號(hào)，則稱為電壓反饋；若反饋信號(hào)取自輸出電流信號(hào)，則稱為電流反饋。　　在正常工作時(shí)，模擬開關(guān)的導(dǎo)通電阻值約為數(shù)百歐，當(dāng)它與輸入阻抗為兆歐級(jí)的運(yùn)放串接時(shí)，可以忽略不計(jì)?！　槭归_關(guān)接通，可將C端接高電壓+5V。CMOS傳輸門由一個(gè)P溝道和一個(gè)N溝道增強(qiáng)型MOSFET并聯(lián)而成，如上圖所示。與此同時(shí)，M1通過MPA和MpB被VDD所激勵(lì)，從而為T2的基區(qū)存儲(chǔ)電荷提供一條釋放通路。當(dāng)vI為高電壓時(shí)M1導(dǎo)通，T1基區(qū)的存儲(chǔ)電荷迅速消散。13．4 BiCMOS門電路　　雙極型CMOS或BiCMOS的特點(diǎn)在于，利用了雙極型器件的速度快和MOSFET的功耗低兩方面的優(yōu)勢，因而這種邏輯門電路受到用戶的重視 上圖表示基本的BiCMOS反相器電路，為了清楚起見，MOSFET用符號(hào)M表示BJT用T表示?！　∫虼耍@種電路具有或非的邏輯功能，其邏輯表達(dá)式為顯然，n個(gè)輸入端的或非門必須有n個(gè)NMOS管并聯(lián)和n個(gè)PMOS管并聯(lián)。CMOS反相器的平均傳輸延遲時(shí)間約為10ns?？紤]到電路是互補(bǔ)對(duì)稱的，一器件可將另一器件視為它的漏極負(fù)載。這就是說，電路的功耗很小（微瓦量級(jí)）　　下圖分析了另一種極限情況，此時(shí)對(duì)應(yīng)于vI＝0V?！　∈紫瓤紤]兩種極限情況：當(dāng)vI處于邏輯0時(shí) ，相應(yīng)的電壓近似為0V；而當(dāng)vI處于邏輯1時(shí)，相應(yīng)的電壓近似為VDD。由于它的存在，就使一個(gè)放大器即便在沒有信號(hào)輸人時(shí)，在輸　　　出端也出現(xiàn)不規(guī)則的電壓或電流變化　　導(dǎo)通電阻RON說明了VDS對(duì)ID的影響 ，是漏極特性某一點(diǎn)切線的斜率的倒數(shù)　　ID劇增的原因有下列兩個(gè)方面：　?。?）漏極附近耗盡層的雪崩擊穿　?。?）漏源極間的穿通擊穿　　標(biāo)準(zhǔn)的N溝道MOS管，VT約為3～6V；　　12．1 CMOS邏輯門電路CMOS邏輯門電路是在TTL電路問世之后 ，所開發(fā)出的第二種廣泛應(yīng)用的數(shù)字集成器件，從發(fā)展趨勢來看，由于制造工藝的改進(jìn)，CMOS電路的性能有可能超越TTL而成為占主導(dǎo)地位的邏輯器件 。這種觸發(fā)器的觸發(fā)信號(hào)是高電平有效，因此在邏輯符號(hào)的S端和R端沒有小圓圈。從功能方面看，它只能在S和R的作用下置0和置1，所以又稱為置0置1觸發(fā)器，或稱為置位復(fù)位觸發(fā)器。Q=Q=0時(shí)，稱觸發(fā)器處于1態(tài)，反之觸發(fā)器處于0態(tài)。Micro (單位為英寸) .注明:1英寸=第十節(jié) 晶振＂X”,＂Y”:能產(chǎn)生具有一定幅度及頻率波形的振蕩器.::測量電阻方法:用萬用表RX10K檔測量石英晶體振蕩器的正,則說明該石英晶體振蕩器已漏電或擊穿損壞.動(dòng)態(tài)測量方法:用是波器在電路工作時(shí)測量它的實(shí)際振蕩頻是否符合該晶體的額定振蕩頻率,如果是,說明該晶振是正常的,如果該晶體的額定振蕩頻率偏低,偏高或根本不起振,表明該晶振已漏電或擊穿損壞第十一節(jié) 基本邏輯門電路 門電路的概念：實(shí)現(xiàn)基本和常用邏輯運(yùn)算的電子電路，叫邏輯門電路。 （2）場效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，所以稱之為單極型器件，而晶體管是即有多數(shù)載流子，也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電。 半導(dǎo)體三極管的好壞檢測a。當(dāng)然它們也有c極在中間的。根據(jù)表針的偏轉(zhuǎn)幅度，還可以估計(jì)出管子的放大能力，當(dāng)然這是憑經(jīng)驗(yàn)的。 判別半導(dǎo)體三極管的類型. 如果已知某個(gè)半導(dǎo)體三極管的基極,可以用紅表筆接基極,黑表筆分別測量其另外兩個(gè)電極引腳,如果測得的電阻值很大,則該三極管是NPN型半導(dǎo)體三極管,如果 測量的電阻值都很小,則該三極管是PNP型半導(dǎo)體三極管. 現(xiàn)在常見的三極管大部分是塑封的，如何準(zhǔn)確判斷三極管的三只引腳哪個(gè)是b、c、e？三極管的b極很容易測出來，但怎么斷定哪個(gè)是c哪個(gè)是e？ a。 交流信號(hào)從基極輸入，發(fā)射極輸出，那集電極就叫公共極。，放大、飽和、截止，在模擬電路中一般使用放大作用。 `E(發(fā)射極) C(集電極) E(發(fā)射極) C(集電極) B(基極) B(基極) NPN型三極管 PNP型三極管 半導(dǎo)體三極管放大的條件:要實(shí)現(xiàn)放大作用，必須給三極管加合適的電壓，即管子發(fā)射結(jié)必須具備正向偏壓，而集電極必須反向偏壓,這也是三極管的放大必須具備的外部條件。 b、故障特點(diǎn)：穩(wěn)壓二極管的故障主要表現(xiàn)在開路、短路和穩(wěn)壓值不穩(wěn)定。 變?nèi)荻O管是根據(jù)普通二極管內(nèi)部 “PN結(jié)” 的結(jié)電容能隨外加反向電壓的變化而變化這一原理專門設(shè)計(jì)出來的一種特殊二極管。 半導(dǎo)體二極管的導(dǎo)通電壓是: a。 電感器的分類:. 電感在電路中常用“L”加數(shù)字表示，如：L6表示編號(hào)為6的電感。測量時(shí)若表針向右偏轉(zhuǎn)，說明電解電容內(nèi)部斷路。). 電容器的品牌有: 主板電容主要分為臺(tái)系和日系兩種,日系品牌有：NICHICON，RUBICON，RUBYCON（紅寶石）、KZG、SANYO（三洋）、PANASONIC（松下）、NIPPON、FUJITSU（富士通）等；臺(tái)系品牌有：TAICON、GLUXCON、TEAPO、CAPXON、OST、GSC、RLS等。2200表示2200PF。 。表 電阻的作用為分流、限流、分壓、偏置、濾波（與電容器組合使用）和阻抗匹配等。a、直標(biāo)法是將電阻器的標(biāo)稱值用數(shù)字和文字符號(hào)直接標(biāo)在電阻體上,其允許偏差則用百分?jǐn)?shù)表示,未標(biāo)偏差值的即為177。1%紅22177。5%銀177。電容的特性主要是隔直流通交流,通低頻阻高頻 電容器在電路中一般用“C”. 電容器的識(shí)別方法與電阻的識(shí)別方法基本相同，分直標(biāo)法、色標(biāo)法和數(shù)標(biāo)法3種。224表示22*104=d: 表針停下來所指示的阻值為該電容的漏電電阻，此阻值愈大愈好，最好應(yīng)接近無窮大處。c．線路上通電狀態(tài)時(shí)檢測,若懷疑電解電容只在通電狀態(tài)下才存在擊穿故障，可以給電路通電，然后用萬用表直流擋測量該電容器兩端的直流電壓，如果電壓很低或?yàn)椋埃?，則是該電容器已擊穿。電感在電路中可與電容組成振蕩電路。 半導(dǎo)體二極管可分為整流、檢波、發(fā)光、光電、變?nèi)莸茸饔谩? 變?nèi)荻O管發(fā)生故障，主要表現(xiàn)為漏電或性能變差：（1）發(fā)生漏電現(xiàn)象時(shí)，高頻調(diào)制電路將不工作或調(diào)制性能變差。）見圖三. 圖三 硅和鍺管的伏安特性曲線 半導(dǎo)體二極管的好壞判別:用萬用表(指針表)R﹡100或R﹡1K檔測量二極管的正,反向電阻要求在1K左右,正向電阻越小,說明二極管內(nèi)部斷路,若反向電阻為零,表明二極管以擊穿,內(nèi)部斷開或擊穿的二極管均不能使用。即β=ΔIc/ΔIb。半導(dǎo)體三極管的三種基本的放大電路。先選量程：R﹡100或R﹡1K檔位.b。第二種方法：對(duì)無hFE測量插孔的表，或管子太大不方便插入插孔的,可以用這種方法：對(duì)NPN管，先測出b極（管子是NPN還是PNP以及其b腳都很容易測出，是吧？），將表置于R1kΩ檔，將紅表筆接假設(shè)的e極（注意拿紅表筆的手不要碰到表筆尖或管腳），黑表筆接假設(shè)的c極，同時(shí)用手指捏住表筆尖及這個(gè)管腳，將管子拿起來，用你的舌尖舔一下b極，看表頭指針應(yīng)有一定的偏轉(zhuǎn)，如果你各表筆接得正確，指針偏轉(zhuǎn)會(huì)大些，如果接得不對(duì)，指針偏轉(zhuǎn)會(huì)小些，差別是很明顯的。由此也可以判定三極管的c、e極。按功率分：小功率管，中功率管和的功率管 c。測量PNP型半導(dǎo)體三極管的發(fā)射極和集電極的反向電阻值:將黑表筆接基極,紅表筆分別接發(fā)射極與集電極,所測得阻值分別為發(fā)射極和集電極的反向電阻,反向電阻愈小愈好.