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正文內(nèi)容

電子元器件入門(編輯修改稿)

2024-07-24 15:28 本頁面
 

【文章內(nèi)容簡介】 路電路形式直流通道靜態(tài)工作點交流通道微變等效電路riRb//rberoRCRC用途多級放大電路的中間級輸入、輸出級或緩沖級高頻電路或恒流源電路b。三極管三種放大電路的區(qū)別及判斷可以從放大電路中通過交流信號的傳輸路徑來判斷,沒有交流信號通過的極,就叫此極為公共極。注:交流信號從基極輸入,集電極輸出,那發(fā)射極就叫公共極。 交流信號從基極輸入,發(fā)射極輸出,那集電極就叫公共極。交流信號從發(fā)射極輸入,集電極輸出,那基極就叫公共極。 用萬用表判斷半導(dǎo)體三極管的極性和類型(用指針式萬用表). a。先選量程:R﹡100或R﹡1K檔位.b。判別半導(dǎo)體三極管基極:用萬用表黑表筆固定三極管的某一個電極,紅表筆分別接半導(dǎo)體三極管另外兩各電極,觀察指針偏轉(zhuǎn),若兩次的測量阻值都大或是都小,則改腳所接就是基極(兩次阻值都小的為NPN型管,兩次阻值都大的為PNP型管),若兩次測量阻值一大一小,則用黑筆重新固定半導(dǎo)體三極管一個引腳極繼續(xù)測量,直到找到基極。c。.判別半導(dǎo)體三極管的c極和e極:確定基極后,對于NPN管,用萬用表兩表筆接三極管另外兩極,交替測量兩次,若兩次測量的結(jié)果不相等,則其中測得阻值較小得一次黑筆接的是e極,紅筆接得是c極(若是PNP型管則黑紅表筆所接得電極相反)。d。 判別半導(dǎo)體三極管的類型. 如果已知某個半導(dǎo)體三極管的基極,可以用紅表筆接基極,黑表筆分別測量其另外兩個電極引腳,如果測得的電阻值很大,則該三極管是NPN型半導(dǎo)體三極管,如果 測量的電阻值都很小,則該三極管是PNP型半導(dǎo)體三極管. 現(xiàn)在常見的三極管大部分是塑封的,如何準(zhǔn)確判斷三極管的三只引腳哪個是b、c、e?三極管的b極很容易測出來,但怎么斷定哪個是c哪個是e? a。 這里推薦三種方法:第一種方法:對于有測三極管hFE插孔的指針表,先測出b極后,將三極管隨意插到插孔中去(當(dāng)然b極是可以插準(zhǔn)確的),測一下hFE值,b。然后再將管子倒過來再測一遍,測得hFE值比較大的一次,各管腳插入的位置是正確的。第二種方法:對無hFE測量插孔的表,或管子太大不方便插入插孔的,可以用這種方法:對NPN管,先測出b極(管子是NPN還是PNP以及其b腳都很容易測出,是吧?),將表置于R1kΩ檔,將紅表筆接假設(shè)的e極(注意拿紅表筆的手不要碰到表筆尖或管腳),黑表筆接假設(shè)的c極,同時用手指捏住表筆尖及這個管腳,將管子拿起來,用你的舌尖舔一下b極,看表頭指針應(yīng)有一定的偏轉(zhuǎn),如果你各表筆接得正確,指針偏轉(zhuǎn)會大些,如果接得不對,指針偏轉(zhuǎn)會小些,差別是很明顯的。由此就可判定管子的c、e極。對PNP管,要將黑表筆接假設(shè)的e極(手不要碰到筆尖或管腳),紅表筆接假設(shè)的c極,同時用手指捏住表筆尖及這個管腳,然后用舌尖舔一下b極,如果各表筆接得正確,表頭指針會偏轉(zhuǎn)得比較大。當(dāng)然測量時表筆要交換一下測兩次,比較讀數(shù)后才能最后判定。這個方法適用于所有外形的三極管,方便實用。根據(jù)表針的偏轉(zhuǎn)幅度,還可以估計出管子的放大能力,當(dāng)然這是憑經(jīng)驗的。c。第三種方法:先判定管子的NPN或PNP類型及其b極后,將表置于R10kΩ檔,對NPN管,黑表筆接e極,紅表筆接c極時,表針可能會有一定偏轉(zhuǎn),對PNP管,黑表筆接c極,紅表筆接e極時,表針可能會有一定的偏轉(zhuǎn),反過來都不會有偏轉(zhuǎn)。由此也可以判定三極管的c、e極。不過對于高耐壓的管子,這個方法就不適用了。 對于常見的進口型號的大功率塑封管,其c極基本都是在中間(我還沒見過b在中間的)。中、小功率管有的b極可能在中間。比如常用的9014三極管及其系列的其它型號三極管、2SC1812N5402N5551等三極管,其b極有的在就中間。當(dāng)然它們也有c極在中間的。所以在維修更換三極管時,尤其是這些小功率三極管,不可拿來就按原樣直接安上,一定要先測一下. 半導(dǎo)體三極管的分類:a。按頻率分:高頻管和低頻管 b。按功率分:小功率管,中功率管和的功率管 c。按機構(gòu)分:PNP管和NPN管 d。按材質(zhì)分:硅管和鍺管 e。按功能分:開關(guān)管和放大 半導(dǎo)體三極管特性:三極管具有放大功能(三極管是電流控制型器件-通過基極電流或是發(fā)射極電流去控制集電極電流;又由于其多子和少子都可導(dǎo)電稱為雙極型元件) NPN型三極管共發(fā)射極的特性曲線。 IC(mA) IB(mA) 80μA 4 飽UCE=0V 1V 和 放大區(qū) 60μA 3 區(qū) ΔIC ΔIB 40μA 2 20μA 1 0 UBE(V) IB=0μA 截止區(qū)輸入特性曲線 0 2 4 6 8 UCE(V)輸出特性曲線三極管各區(qū)的工作條件:1. 放大區(qū):發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)反偏:2. 飽和區(qū):發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)正偏;3. 截止區(qū):發(fā)射結(jié)反偏,集電結(jié)反偏。 半導(dǎo)體三極管的好壞檢測a。先選量程:R﹡100或R﹡1K檔位 b。測量PNP型半導(dǎo)體三極管的發(fā)射極和集電極的正向電阻值:紅表筆接基極,黑表筆接發(fā)射極,所測得阻值為發(fā)射極正向電阻值,若將黑表筆接集電極(紅表筆不動),所測得阻值便是集電極的正向電阻值,正向電阻值愈小愈好.c。測量PNP型半導(dǎo)體三極管的發(fā)射極和集電極的反向電阻值:將黑表筆接基極,紅表筆分別接發(fā)射極與集電極,所測得阻值分別為發(fā)射極和集電極的反向電阻,反向電阻愈小愈好.d。測量NPN型半導(dǎo)體三極管的發(fā)射極和集電極的正向電阻值的方法和測量PNP型半導(dǎo)體三極管的方法相反. 第六節(jié) 場效應(yīng)管(MOS管):FET(Fieldeffect transistor) 場效應(yīng)管分類:結(jié)型場效應(yīng)管和絕緣柵型場效應(yīng)管 場效應(yīng)管電路符號: D D G G 結(jié)型場效應(yīng)管 S S N溝道 P溝道:G(柵極),D(漏極),S(源極) D D D D GG G G 絕緣柵型場效應(yīng)管 S S S 增強型 S 耗盡型 N溝道 P溝道 N溝道 P溝道注:場效應(yīng)管屬于電壓控制型元件,又利用多子導(dǎo)電故稱單極型元件,且具有輸入電阻高,噪聲小,功耗低,無二次擊穿現(xiàn)象等優(yōu)點。:具有較高輸入電阻高、輸入電流低于零,幾乎不要向信號源吸取電流,在在基極注入電流的大小,直接影響集電極電流的大小,利用輸出電流控制輸出電源的半導(dǎo)體。 (1)場效應(yīng)管是電壓控制元件,而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號源取較少電流的情況下,應(yīng)選用場效應(yīng)管;而在信號電壓較低,又允許從信號源取較多電流的條件下,應(yīng)選用晶體管。 (2)場效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電,所以稱之為單極型器件,而晶體管是即有多數(shù)載流子,也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電。被稱之為雙極型器件。 (3)有些場效應(yīng)管的源極和漏極可以互換使用,柵壓也可正可負(fù),靈活性比晶體管好。 (4)場效應(yīng)管能在很小電流和很低電壓的條件下工作,而且它的制造工藝可以很方便地把很多場效應(yīng)管集成在一塊硅片上,因此場效應(yīng)管 場效應(yīng)管好壞與極性判別:將萬用表的量程選擇在RX1K檔,用黑表筆接D極,紅表筆接S極,用手同時觸及一下G,D極,場效應(yīng)管應(yīng)呈瞬時導(dǎo)通狀態(tài),即表針擺向阻值較小的位置,再用手觸及一下G,S極, 場效應(yīng)管應(yīng)無反應(yīng),. 將萬用表的量程選擇在RX1K檔,分別測量場效應(yīng)管三個管腳之間的電阻阻值,若某腳與其他兩腳之間的電阻值均為無窮大時,并且再交換表筆后仍為無窮大時,則此腳為G極,交換表筆后再測量一次,其中阻值較小的一次,黑表筆接的是S極,紅表筆接的是D極. 第七節(jié) 集成電路 集成電路的英文縮寫 IC(integrate circuit) 電路中的表示符號: U :集成電路是在一塊單晶硅上,用光刻法制作出很多三極管,二極管,電阻和電容,并按照特定的要求把他們連接起來,重量輕,可靠性高和性能穩(wěn)定等優(yōu)點,所以特別是大規(guī)模和超大規(guī)模的集成電路的出現(xiàn),是電子設(shè)備在微型化,可靠性和靈活性方面向前推進了一大步. 集成電路常見的封裝形式 BGA(ball grid array)球柵陣列(封裝) 見圖二 QFP(quad flat package)四面有鷗翼型腳(封裝) 見圖一 SOIC(small outline integrated circuit) 兩面有鷗翼型腳(封裝) 見圖五PLCC(plastic leaded chip carrier)四邊有內(nèi)勾型腳(封裝) 見圖三SOJ(small outline junction) 兩邊有內(nèi)勾型腳(封裝) 見圖四 圖一 圖二 圖三
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