【正文】 CAP半導(dǎo)體電容：CAPSEMI可調(diào)電容：CAPVAR：INDUCTOR：發(fā)光二極管：LED :NPN1：：:LAMP:OPAMP：DPY_7SEG_DP(MISCELLANEOUS )。網(wǎng)站使命:電子元器件行業(yè)產(chǎn)品做到最全,為更多的企業(yè)提供更全面的服務(wù).第五篇：電子元器件中英文對(duì)照中英文對(duì)照固定電阻：RES半導(dǎo)體電阻：RESSEMT電位計(jì)；POT變電阻；RVAR可調(diào)電阻。電子元器件采購(gòu)網(wǎng)對(duì)其行業(yè)分成了30個(gè)大分類，并對(duì)每個(gè)分類又細(xì)分出來(lái)上百個(gè)二級(jí)分類。經(jīng)過(guò)不懈努力，我們已成為電子元器件行業(yè)優(yōu)秀的電子商務(wù)平臺(tái)，中國(guó)電子元器件網(wǎng)為企業(yè)和用戶帶來(lái)了切切實(shí)實(shí)的效益，受到了廣大網(wǎng)友和企業(yè)用戶的一致好評(píng)。第四篇：電子元器件采購(gòu)網(wǎng)介紹電子元器件采購(gòu)網(wǎng)介紹電子元器件采購(gòu)網(wǎng)是馬可波羅網(wǎng)旗下的一個(gè)主打電子元器件的b2b網(wǎng)站，是以電子元器件行業(yè)為主的具備采購(gòu)，批發(fā)，供應(yīng)為一體的電子元器件行業(yè)領(lǐng)先的第三方電子商務(wù)B2B平臺(tái)。常見(jiàn)的有陶瓷濾波器、晶體濾波器、聲表面濾波器等。有二極管、三極管雙二極管、雙三極管、五極管、七極管等多種形式。電子管:電子管為真空器件。開(kāi)關(guān)件、插接件:、鈕子開(kāi)關(guān)、按鈕開(kāi)關(guān)、微動(dòng)開(kāi)關(guān)、按鍵開(kāi)關(guān)、凸輪開(kāi)關(guān)如繼電器等。耗電低但本身不發(fā)光,屬于被動(dòng)顯示器件,需外光源照明。廣泛應(yīng)用于廣場(chǎng)、車站、體育場(chǎng)等大型顯示屏。LED 接點(diǎn)陣一般將發(fā)光二極管做成8x8點(diǎn)陣,用來(lái)顯示圖像。熒光數(shù)碼管體積大、驅(qū)動(dòng)電壓高、現(xiàn)已基本淘汰。光電激光器是一種新興器件,主要用在激光唱機(jī)(CD機(jī)),激光視盤機(jī)(VCD機(jī)),激光光盤存儲(chǔ)設(shè)備(如光盤驅(qū)動(dòng)器)等。光電激光LED的壽命長(zhǎng)、功耗小、驅(qū)動(dòng)電壓低、響應(yīng)速度快。硅光電池能把太陽(yáng)能轉(zhuǎn)化為電能。光敏二極管電流線性好、響應(yīng)速度快。常見(jiàn)類型有晶體管型、高靈度達(dá)林頓晶體管型、光可控硅型。通常包括光電耦合器、半導(dǎo)體光敏器件、半導(dǎo)體發(fā)光器件、數(shù)碼和圖像顯示器件。電表用電磁或磁電式表頭。超大規(guī)模(VLSI):集成度大于1000門/片。中規(guī)模(MSI)：集成度13~99門/片?！靼从性雌骷愋头郑嚎煞譃殡p極型，單極型,雙極單極混合型?！靼从猛痉挚煞譃閷Ｓ肐C。數(shù)字IC目前使用最多的是TTL型和COMS型,另外還有微處理器類如單片機(jī)(MCU),數(shù)字信號(hào)處理器(DSP)等?！靼垂δ芊?有模擬IC、數(shù)字IC、接口IC和特殊IC。英文縮寫成IC。△參數(shù)：有最小開(kāi)啟電壓、最小保持電流，最大允許通過(guò)電流。☆可控硅：作用：用低電壓去控制大功率電路的一種無(wú)觸點(diǎn)的半導(dǎo)體器件，常用在可控整流、交流調(diào)壓、無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)等控制器中?！鲄?shù)：三級(jí)管的主要參數(shù)有電流放大倍數(shù)β，集電級(jí)最大允許電流IcM,最大功耗PcM,截止頻率fT , CE極的擊穿電壓BVceo等。△類別: 頻率分可分為高頻管、低頻管；按功率分有小、中、大功率管；按材料分分為硅管、鍺管等。最大允許電流：在長(zhǎng)期正常工作條件下允許通過(guò)的最大正向電流值。△類別：可分為普通、穩(wěn)壓、整流、變?nèi)?、開(kāi)關(guān)、發(fā)光二極管等各種類別。晶體管：☆二極管△作用：二極管具有單向?qū)щ娦?，由一個(gè)PN組成?！骺勺冸娙荩?有單聯(lián)、雙聯(lián)兩種。使用中,~2倍。文字表示是直接將參數(shù)標(biāo)在電容體上。有機(jī)介質(zhì)低頻有機(jī)薄膜?！飨盗兄担弘娙萜鞯南盗兄狄浪胁牧隙?。電解電容器包括鋁電解、鉭電解、鈮電解電容器等?！黝悇e：按所用電介質(zhì)可分為三類：有機(jī)介質(zhì)電容器包括紙介電容、金屬化紙介電容、有機(jī)薄膜電容、滌綸電容。在電路中起耦合、濾波、振蕩、隔直、旁路等作用。互感包括電源變壓器、各種信號(hào)傳輸變壓器等?；締挝皇呛嗬鸋,常用單位有毫亨(mH)、微亨(μH)。△功率：額定功率指允許在電阻器上長(zhǎng)期負(fù)載得最大功率,額定功率及符號(hào)如圖(小功率電阻一般不標(biāo)注)。△系列值：電阻是按系列值生產(chǎn)的,國(guó)際上通常采用E24系列。第三篇：常用電子元器件簡(jiǎn)介常用電子元器件簡(jiǎn)介電阻器△作用：電阻器在電路中主要起分壓，流限，分流，負(fù)載等作用，基本單位是歐姆(Ω),常用單位還有千歐(k), 兆歐(M)。當(dāng)這些射線或宇宙射線照射到半導(dǎo)體存儲(chǔ)器上時(shí)，引起存儲(chǔ)數(shù)據(jù)位的丟失或變化，在下次寫入時(shí)存儲(chǔ)器又能正常工作，它完全是隨機(jī)的發(fā)生，隨意把這種數(shù)據(jù)位丟失叫軟誤差。塑封元器件是以樹脂類聚合物材料封裝的，其中的水汽包括封裝時(shí)殘留于元器件內(nèi)部、表面吸附，經(jīng)材料間的縫隙滲入及外界通過(guò)塑料本身擴(kuò)散進(jìn)入。表現(xiàn)為MOS元器件的閾值電壓漂移或跨導(dǎo)值降低，雙極元器件的電流增益下降，PN結(jié)擊穿電壓蠕變，使元器件性能受到影響，這就是熱載流子效應(yīng)。 熱栽流子效應(yīng)所謂熱載流子，是指其能量比費(fèi)米能寄大幾個(gè)KT以上的載流子，這些載流子與晶格處于熱不平衡狀態(tài)，載流子的溫度超過(guò)了晶格溫度。 與時(shí)間有關(guān)的介質(zhì)擊穿（TDDB)TDDB是影響MOS元器件長(zhǎng)期可靠性的一種重要的失效機(jī)理，當(dāng)對(duì)二氧化硅薄膜施加低于本征擊穿場(chǎng)強(qiáng)的電場(chǎng)強(qiáng)度后，經(jīng)過(guò)一段時(shí)間后會(huì)發(fā)生介質(zhì)擊穿現(xiàn)象，這就是與時(shí)間有關(guān)的介質(zhì)擊穿。根據(jù)引起擊穿的原因之可將介質(zhì)擊穿分為非本征擊穿和本征擊穿兩種：前者是在介質(zhì)中的氣孔、微裂縫、灰塵、纖維絲等疵點(diǎn)附近，因氣體放電、等離子體、電孤、電熱分解等引起的擊穿；后者是外加電場(chǎng)超過(guò)了介質(zhì)材料的介電強(qiáng)度引起的擊穿。 介質(zhì)的擊穿機(jī)理介質(zhì)擊穿，從應(yīng)用角度可分為自愈式擊穿和毀壞性擊穿。靜電放電失效機(jī)理可分為過(guò)電壓場(chǎng)致失效和過(guò)電流熱致失效。 靜電損傷處于不同靜電電位的兩個(gè)物體間發(fā)生的靜電電荷轉(zhuǎn)移就形成了靜電放電，這種靜電放電將給電子元器件帶來(lái)?yè)p傷，引起產(chǎn)品失效。對(duì)CMOS電路的工作沒(méi)有影響，如CMOS電路的輸入端、輸出瑞、電源端或者地端受到外來(lái)的浪涌電壓或電流，就有可能使兩只寄生晶體管都正向?qū)?，使得電源和地之間出現(xiàn)強(qiáng)電流。所謂閂鎖（latchup）是指CMOS電路中固有的寄生可控硅結(jié)構(gòu)被觸發(fā)導(dǎo)通，在電源和地之間形成低阻大電流通路的現(xiàn)象CMOS電路的基本邏輯單元是由一個(gè)P溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管和一個(gè)N溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管以互補(bǔ)形式連接構(gòu)成，為了實(shí)現(xiàn)N溝道MOS管與P溝道MOS管的隔離,必須在N型襯底內(nèi)加進(jìn)一個(gè)P型區(qū)（P阱）或在P型襯底內(nèi)加進(jìn)一個(gè)N型區(qū)（N阱），這樣構(gòu)成了CMOS電路內(nèi)與晶閘管類似的PNPN四層結(jié)構(gòu)，形成了兩個(gè)寄生的NPN和PNP雙極晶體管。對(duì)于MOS元器件，誘發(fā)二次擊穿的機(jī)理是寄生的雙極晶體管作用。 二次擊穿二次擊穿是指當(dāng)元器件被偏置在某一特殊工作點(diǎn)時(shí)（對(duì)于雙極型晶體管，是指V平面上的一點(diǎn)），電壓突然跌落，電流突然上升的物理現(xiàn)象，這時(shí)若無(wú)限流裝置及其它保護(hù)措施，元器件將被燒毀。過(guò)電應(yīng)力通常分為過(guò)壓應(yīng)力和 過(guò)流應(yīng)力。 過(guò)電應(yīng)力電子元器件都在其參數(shù)指標(biāo)中設(shè)定了使用時(shí)所能承受的最大應(yīng)力，包括最高工作環(huán)境溫度或殼溫，最大額定功率，最大工作電壓、電流，峰值電壓，最大輸入、輸出電流、電壓等?？諝庵械乃指皆陔姌O的表面，如果加上電壓，銀就會(huì)在陽(yáng)極處氧化成為帶有正電荷的銀離子，這些離子在電場(chǎng)作用下向陰極移動(dòng)。 銀遷移在電子元器件的貯存及使用中，由于存在濕氣、水分，導(dǎo)致其中相對(duì)活潑的金屬銀離子發(fā)生遷移，導(dǎo)致電子設(shè)備中出現(xiàn)短路，耐壓劣化及絕緣性能變壞等失效。當(dāng)可肯德?tīng)柨斩丛龃蟮揭欢ǔ潭群?，將使鍵合界面強(qiáng)度急劇下降，接觸電阻增大，最終導(dǎo)致開(kāi)路。 柯肯德?tīng)栃?yīng)在AuAl鍵合系統(tǒng)中，若采用金絲熱壓焊工藝，由于在高溫（300攝氏度以上）下，金向鋁中迅速擴(kuò)散。這幾種金屬間化合物的晶格常數(shù)、膨脹系數(shù)、形成過(guò)程中體積的變化、顏色和物理性質(zhì)是不同的，且電導(dǎo)率較低。當(dāng)金屬與電解質(zhì)溶液接觸時(shí)，由電化學(xué)作用而引起的腐蝕叫做電化學(xué)腐蝕，其特點(diǎn)是形成腐蝕電池，電化學(xué)腐蝕過(guò)程的本質(zhì)是腐蝕電池放電的過(guò)程，在這個(gè)過(guò)程中，金屬通常作為陽(yáng)極，被氧化而腐蝕，形成金屬氧化物，而陰極反應(yīng)則跟據(jù)腐蝕類型而異，可發(fā)生氫離子或氧氣的還原，析出氫氣或吸附氧氣。根據(jù)金屬腐蝕過(guò)程的不同特點(diǎn)，可分為化學(xué)腐蝕和電化學(xué)腐蝕。 金屬的腐蝕當(dāng)金屬與周圍的介質(zhì)接觸時(shí)，由于發(fā)生化學(xué)反應(yīng)或電化學(xué)作用而引起金屬的破壞叫做金屬的腐蝕。當(dāng)程度的改變。 表面離子沾污在電子元器件的制造和使用過(guò)程中，因芯片表面沾污了濕氣和導(dǎo)電物質(zhì)或由于輻射電離、靜電電荷積累等因素的影響，將會(huì)在二氧化硅氧化層表面產(chǎn)生正離子和負(fù)離子，這些離子在偏壓作用下能沿表面移動(dòng)。對(duì)鋁、金等金屬膜，電場(chǎng)力很小，金屬離子主要受電子風(fēng)的影響，結(jié)果使金屬離子與電子流一樣朝正極移動(dòng)，在正極端形成金屬離子的堆積，形成晶須，而在負(fù)極端產(chǎn)生空洞，使金屬條斷開(kāi)。在一定溫度下，金屬薄膜中存在一定的空位濃度，金屬離子熱振動(dòng)下激發(fā)到相鄰的空位，形成自擴(kuò)散。鋁金屬化層再結(jié)