【正文】 成績(jī)： 評(píng)閱教師 簽名： _______ __ 三、實(shí)習(xí)報(bào)告總成績(jī)： 分 （總成績(jī) =指導(dǎo)老師給出成績(jī) X50%+評(píng)閱老師給出成績(jī) X50%） 2020 年 月 日 。 成績(jī)： （實(shí)習(xí)單位蓋章） 二、評(píng)閱老師評(píng)語： 1．實(shí)習(xí)報(bào)告工作量、難度。 1. 熟悉集成電路版圖設(shè)計(jì)軟件 Cadence 的使用； 2. 熟悉集成電路版圖設(shè)計(jì)規(guī)則文件； 3. 熟悉反向 集成電路設(shè)計(jì)軟件 ChipLogic 的使用； 4. 針對(duì)數(shù)字模擬混合集成電路版圖進(jìn)行設(shè)計(jì)設(shè)計(jì)。 李呈同學(xué) 在實(shí)習(xí)期 間得到領(lǐng)導(dǎo)和同事們的一致好評(píng)， 三個(gè)月以 來 集成電路版圖設(shè)計(jì) 理論水平及操作技能均有 一定程度地 提高，希望今后更加努力 ， 成為一個(gè)合格的建設(shè) 性 人才 。 最后，感謝成都華微電子系統(tǒng)有限公司為我提供了良好的工作環(huán)境和生活學(xué)習(xí)上的支持。感謝王一丁同志對(duì)我在適應(yīng)公司環(huán)境方面和電路分析方面給予的無私幫助，在此衷心祝愿他們?cè)谝院蟮墓ぷ骱蜕钪?取得更加璀璨的光芒。感謝朱志勇老師在 CADENCE 使用上給予的極大幫助，使我能夠快速地掌握基本操作要領(lǐng)，一直鼓勵(lì)著我進(jìn)行工作。他經(jīng)常教導(dǎo)我要重視基礎(chǔ)知識(shí)，這將對(duì)我今后的學(xué)習(xí)、工作產(chǎn)生深遠(yuǎn)的影響。他創(chuàng)造的寬松民主的學(xué)習(xí)氛圍、團(tuán)結(jié)和諧的工作環(huán)境、寶貴的設(shè)計(jì)實(shí)踐機(jī)會(huì)使我受益菲淺。 首先我要向我的導(dǎo)師張克林老師致以崇高的敬意和衷心的感謝。 5. 金屬走線 最開始針對(duì)電源線和地線的金屬走線時(shí)都采用的是直接連線的方式，由于電源線和地線的面積比較大，由于存在應(yīng)力的影響，會(huì)使得金屬線容易發(fā)生翹曲，最后導(dǎo)致斷裂。 然而這樣做也會(huì)引入可靠性問題。因此在布局的過程中，應(yīng)該首先將所有晶體管的位置都擺放完全以后再進(jìn)行相應(yīng)的連線設(shè)計(jì)。然而，由于缺乏設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)，只是將該模塊里面的重中之重進(jìn)行了良好的匹配設(shè)計(jì)，而忽略其他的晶體管。因此，在設(shè)計(jì)中還是應(yīng)該更多的考慮器件的可靠性，而并非一味地縮小芯片的面積。 按照 的走線來設(shè)計(jì)電源線和地線也對(duì)芯片工作的可靠性發(fā)起了嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)。這樣，雖然會(huì)導(dǎo)致在以后的布線 中會(huì)更多的走第二層金屬線，顯得比較繁瑣，但卻實(shí)實(shí)在在提高了電路的可靠性，因此是值得采用的?？v然對(duì)于數(shù)字模塊，天線效應(yīng)對(duì)其的影響可以忽略，但是，對(duì)于芯片的可靠性而言卻又是不能忽視的。 在數(shù)字模塊的設(shè)計(jì)當(dāng)中，為了方便，很多連線都直接走的是多晶硅連線。 特別是針對(duì)模擬集成電路版圖設(shè)計(jì)有了更加深刻的認(rèn)識(shí)。由此可以很輕松的設(shè)計(jì)出該 ESD結(jié)構(gòu)的版圖。為了充分利用劃封， ESD 結(jié)構(gòu)必須方在焊盤和劃封之間，或者放在鄰近焊盤之間。與 ESD 器件串聯(lián)的金屬電阻應(yīng)該超過 23 歐姆。因此，必須將三極管和 MOS 管的位置分隔開，以免對(duì)三極管打襯底電位的時(shí)候影響到鄰近的 MOS 管。 該電路中存在有 MOS 管和三極管并存的形式。 針對(duì)于電路的特點(diǎn)（存在有很多的修調(diào)電阻），因?yàn)樾枰詈笥眉す庑拚{(diào)，所以電阻之間走線的間距應(yīng)該稍微有些余度，不能走得過于緊湊。在與電路設(shè)計(jì)者的交涉過程中，了解到該電路的重點(diǎn)是在修調(diào)電阻，而電容并不是重點(diǎn)。因此，在布局時(shí)，將所有的修調(diào)電阻都放在了整個(gè)版圖的最右側(cè)，而將對(duì)稱管基本上都放在左側(cè)。 根據(jù)之前的分析，在布局方面，首先考慮的便是將需要高度匹配的晶體管與流過大電流的修調(diào)電阻單元相隔離。根據(jù)前面所談到少子隔離環(huán)，對(duì)差分對(duì)管進(jìn)行了必要的保護(hù)。 在連接修調(diào)電阻的金屬線上，由于電路需要修調(diào)，按照電路設(shè)計(jì)者的要求，采用了第三層鋁線。 上圖便是采用分割器件的形式設(shè)計(jì)的 PMOS 差分對(duì)管版圖 5. 金屬層選擇分析 這個(gè)問題，在與電路設(shè)計(jì)這交涉的過程中，電路設(shè)計(jì)者要求在關(guān)鍵的引線上盡量采用寄生參數(shù)小的金屬層。 在設(shè)計(jì)的過程當(dāng)中，我們應(yīng)該盡量的使所有的晶體管、電阻、電容都保持同一方向，盡管有些器件的尺寸使得這個(gè)要求很難實(shí)現(xiàn)（例如電路中存在的晶體管負(fù)載和本身的差分對(duì)管的尺寸之間就有很大的差異），這時(shí)，可以將一些晶體管負(fù)載進(jìn)行適當(dāng)?shù)姆指?，分割后，繼續(xù)采用同一方向進(jìn)行匹配。 根據(jù)電路的特性，很容易看到在輸入端必須具有高度匹配，所以采用四方交叉的版圖設(shè)計(jì)方案；電路中存在很多并聯(lián)的修調(diào)電阻（根據(jù) XFAB 的參數(shù)手冊(cè)，該修調(diào)電阻采用第二層多晶硅來做，可以使得阻值更加精確），對(duì)于這樣的情況，電阻的方向必須一致，并且有必要采用 Dummy 結(jié)構(gòu)，使得流片出來的電阻的阻值盡量精確，而且，由于是修調(diào)電阻，所以走線都走的是第三層鋁線，方便以后激光打斷不需要的鋁線。 3. 這個(gè)電路中匹配的分析 由于工藝與材料特性等方面的原因，幾何形狀和尺寸相同的器件在制造完成后并不一定完全相同，也就是說，工藝過程將引入器件的失配和誤差。 2. 這個(gè)電路的電流分析 根據(jù)電路仿真結(jié)果，以及和電路設(shè)計(jì)者的交涉，知道在基準(zhǔn)核心的修 調(diào)電阻部分基本流過了整個(gè)電路最大的電流，約為 3uA，根據(jù) XFAB 提供的金屬線（第一層鋁線）的參數(shù)，可知該處的金屬走線寬度應(yīng)大于 。由于基準(zhǔn)的精度直接關(guān)系到整個(gè) AD的位數(shù)，因此對(duì)基準(zhǔn)的輸出設(shè)置了 4個(gè)修調(diào)點(diǎn)，兩個(gè)用于修調(diào)溫漂，兩個(gè)用于直流輸出精度。 電路圖的右上方是啟動(dòng)電路，保證上電時(shí)基準(zhǔn)能正常啟動(dòng)；正上方是一個(gè)放大器，保證兩個(gè)縱向 NPN的集電極電位相等；整個(gè)電路圖的下方是帶隙基準(zhǔn)的核心，其中兩個(gè)縱向NPN 管發(fā)射極面積之比為 8:1,輸出電壓經(jīng)過電阻升壓到 ，最后再經(jīng)過緩沖器來驅(qū)動(dòng) 整個(gè)內(nèi)部電路。電路中也存在有寬長(zhǎng)比比較大的管子，對(duì)于這樣的管子需要特別注意其擺放的位置。 整體數(shù)字模塊的版圖 根據(jù)之前對(duì)數(shù)字模塊的分析，最終得出該電路的版圖如下圖所示： 帶隙基準(zhǔn)電流源的版圖設(shè)計(jì)分析 帶隙基準(zhǔn)源模塊的電路分析 可以很清楚的看到，該電路最大的特點(diǎn)便是存在有很多并聯(lián)的修調(diào)電阻，并且修調(diào)電阻基本上流過了整個(gè)電路的總電流，也就是說，在設(shè)計(jì)電阻的版圖時(shí)，