【正文】 及對芯片面積的預(yù)估，封裝管殼的確定，對工藝參數(shù)進行分析的過程。向相應(yīng)的工藝廠出據(jù) Tooling 單和芯片的封裝管腳圖，并在芯片制作完成以后對工藝廠商提供的 PCM 參數(shù)表進行相應(yīng)的分析。 4. 結(jié)合電路進行版圖設(shè)計 根據(jù)電路設(shè)計者提供的電路結(jié)合對電流大小，匹配精度的考慮以及工藝廠商提供的設(shè)計規(guī)則文件，進行相應(yīng)的集成電路版圖設(shè)計，并對相應(yīng)的設(shè)計進行 DRC（ Design Rule Check） 和 LVS（ Layout VS Schematic） 檢查。在相應(yīng)的 LVS 檢查文件中也可加入一些額外的檢查，例如端口對應(yīng)檢查等。 6. DRC， LVS 驗證 將設(shè)計成型的集成電路版圖進行相應(yīng)的 DRC 和 LVS 驗證， 針對工藝的不同，可以選擇不同的檢測軟件，以便對于每一次芯片檢測都具有足夠強的針對性。在流片完成后對該芯片進行測試，以便確定芯片設(shè)計和制造的可靠性和可實現(xiàn)性。 數(shù)字模塊 1 版圖設(shè)計分析 數(shù)字模塊 1 的電路分析 可以很清楚的看到，該電路存在有 14 個 PMOS 管、 13 個 NMOS 管以及一個電阻。 2. 這個電路的電流分析 根據(jù)電路設(shè)計者的要求，需要將電源線和地線的走線稍微寬一些，一般控 制在 6um 左右（采用第一層鋁線分別連接電源線和地線），其余的內(nèi)部連線一般控制在 左右（第一層鋁線走線時采用 ，第二層鋁線走線時采用 ）。 via 178。 4. 這個電路的器件擺放分析 根據(jù)與電路設(shè)計者的交流，得知該電路的器件最好按照條形布局（即按照類似于一個單元格的形式）進行設(shè)計。 5. 金屬層選擇分析 由于是數(shù)字單元，且采用的是 的工藝，所以 不需要過多的考慮寄生效應(yīng)，走線以第一層鋁線為主，跨線時采用第二層鋁線。 數(shù)字模塊 1的版圖布局分析 根據(jù)之前對該數(shù)字模塊的分析可以知道，單元模塊采用上為輸出，下為輸入的結(jié)構(gòu)，即是說，在版圖的設(shè)計中，按照電路從左至右的順序來擺放相應(yīng)的器件。 此外，由于是數(shù)字電路，可以采用一個較大的 N阱將所有的 PMOS 管全部包含在里面，并且針對于 每一個小的數(shù)字模塊（例如一個與非門結(jié)構(gòu)），其各自擁有一個 N 阱的接觸。針對與這兩個比較另類的元件，可以考慮將其旋轉(zhuǎn) 90176。 對于電阻的選擇，由于 N阱電阻可以制造出阻值比較大的電阻，縱然 N阱電阻通常比基區(qū)埋層電阻的溫度系數(shù)大，但是針對于 XFAB 工藝線提供的電阻參數(shù)表中可以看到 N 阱電阻的精確度還是比較高的，且相對與基區(qū)埋層電阻所承受的電壓不高的特點，所以最后仍然決定采用 N阱電阻。 針對于其中四個傳輸門結(jié)構(gòu)，采用并豎擺放的形式布局。 數(shù)字模塊 1的版圖 根據(jù)之前對數(shù)字模塊 1的分析，最終得出該電路的版圖如下圖所示： 數(shù)字模塊 8 版圖設(shè)計分析 數(shù)字模塊 8 的電路分析 可以很清楚 的看到，該電路存在有 18 個 PMOS 管、 18個 NMOS 管。 2. 這個電路的電流分析 根據(jù)電路設(shè)計者的要求，需要將電源線和地線的走線稍微寬一些，一般控制在 6um 左右，其余的內(nèi)部連線一般控制在 左右。 4. 這個電路的器件擺放分析 根據(jù) 與電路設(shè)計者的交流，得知該電路的器件最好按照條形布局（即按照類似于一個單元格的形式）進行設(shè)計。 5. 金屬層選擇分析 由于是數(shù)字單元，且采用的是 的工藝，所以不需要過多的考慮寄生效應(yīng)，走線以第一層鋁線為主，跨線時采用第二層鋁線。 數(shù)字模塊 8的版圖布局分析 根據(jù)之前對該數(shù)字模塊的分析可以知道，單元模塊仍然采用上為輸出，下為輸入的結(jié)構(gòu)，即是說，在版圖的設(shè)計中，按照電路從左至右的順序來擺放相應(yīng)的器件。 此外，由于是數(shù)字電路，可以采用一個較大的 N阱將所有的 PMOS 管全部包含在里面，并且針對于每一個小的數(shù)字模塊（例如一個與非門結(jié)構(gòu)），其各自擁有一個 N 阱的接觸。 針對于其中四 個傳輸門結(jié)構(gòu)，采用并豎擺放的形式布局。 同樣的，為了使得以后在合圖的過程之中減少工作量，在與電路設(shè)計者交涉以后，對每一個輸入和輸出端口都進行了命名，以便于以后合圖是通過端口名稱直接對應(yīng)連接。 根據(jù)版圖設(shè)計的順序，對該電路進行了如下的分析： 1. 這個電路功能分析 這是一個數(shù)字電路，用來實現(xiàn)相應(yīng)的組合邏輯和時序邏輯。 3. 這個電路中匹配的分析 由于該電路是數(shù)字電路，對匹配沒有特殊的要求，只需要比較對稱的放置各個晶體管即可。采用單元格上方為輸出，下方為輸入的形式。 6. 隔離需求分析 由于是數(shù)字單元，且根據(jù) XFAB 的工藝特點，選擇了常見的 PN 結(jié)隔離方式隔離 NMOS與 PMOS 器件。 整體數(shù)字模塊的版圖布局分析 根據(jù)之前對該數(shù)字模塊的分析可以知道，單元模塊采用上為輸出，下為輸入的結(jié)構(gòu)，即是說，在版圖的設(shè)計中，按照電路從左至右的順序來擺放相應(yīng)的器件 。 此外，由于是數(shù)字電路，可以采用一個較大的 N阱將所有的 PMOS 管全部包含在里面，并且針對于每一個小的數(shù)字模塊（例如一個與非門結(jié)構(gòu)），其各自擁有一個 N 阱的接觸。盡量多的采用第一層鋁線來連接，并且盡量少的采用多晶硅連線來做連接，這樣做的目的是降低天線效應(yīng)發(fā)生的機率。 在數(shù)字模塊 9中存在有大量的修調(diào)電阻，走線時全部都采用第三層鋁線，便于以后將鋁線斷開時只需要采用一層掩模版。電路中存在有需要高度匹配的單元，例如差 分輸入對（有用 MOS 管搭建的差分輸入單元，也有用三極管搭建的差分輸入單元）。 1. 這個電路功能分析 這是一個帶隙基準源電路，其作用是為電路提供一個與電源和工藝無關(guān)的，具有確定溫度特性的直流電壓。由于原著的所有電阻均使用高精度、低溫漂的薄膜電阻，因此其溫漂僅為7PPm/℃；而工藝線提供的電阻中只有中阻多晶在溫漂和精度上能達到要求，因此設(shè)計的帶隙基準后仿得到的溫漂結(jié)果為 16 PPm/℃。修調(diào)方式為激光打鋁，所有修調(diào)點的電阻均畫為比例電阻，并且通過后仿保證了在典型工藝值下基準不需要任何修調(diào)。 根據(jù)與電路設(shè)計者的交涉，注意到金屬走線中的壓