實(shí)習(xí)報(bào)告集成電路版圖工程師崗位的實(shí)習(xí)報(bào)告-免費(fèi)閱讀
【正文】 2． 實(shí)習(xí)單位對(duì) 學(xué)生工作態(tài)度、工作完成情況 綜合評(píng)價(jià)。感謝李大剛老師在電路分析上給我的幫助，使得我能夠較快地明白電路工作的原理，以及版圖設(shè)計(jì)中需要注意的部分。因此采用了下列的方式進(jìn)行修正： 在修正了上述的幾個(gè)原因以后，對(duì)版圖進(jìn)行了重新布局，得到最終版圖如下圖所示： 四、致謝 值此論文完成之際，謹(jǐn)向曾經(jīng)給予過(guò)我指導(dǎo)、關(guān)心和幫助的人們表示最衷心的感謝。 3. 器件方向的高度一致性 在對(duì)帶隙基準(zhǔn)源模塊進(jìn)行版圖設(shè)計(jì)的過(guò)程當(dāng)中，由于該模塊是一個(gè)需要高度匹配的模塊，所以應(yīng)該將所有器件擺放的方向都一致。其實(shí)這樣對(duì)于電路的運(yùn)行是相當(dāng)不穩(wěn)定的，會(huì)很容易造成天線效應(yīng)的發(fā)生，這也是為什么在對(duì)數(shù)字電路做 DRC 的時(shí)候忽略了天線效應(yīng)報(bào)錯(cuò)的原因。劃封金屬能夠提供必要的低阻通路而且不需要消耗大量額外的管芯面積。也就是說(shuō)，在電容的版圖設(shè)計(jì)中，不用過(guò)多的考慮電容的精度要求，可以在將所有的晶體管位置擺放好了以后，再將電容填充進(jìn)版圖，使得版圖顯得更加緊湊。 6. 隔離需求分析 這是一個(gè)需要高度匹配的帶隙基準(zhǔn)源電路，對(duì)于差分對(duì)管之間的隔離顯得尤為重要。版圖的匹配設(shè)計(jì)主要是提高器件和連接線在形狀、方向、相對(duì)位置等方面的匹配程度，以減小版 圖失配帶來(lái)的誤差。 1. 這個(gè)電路功能分析 這是一個(gè)帶隙基準(zhǔn)源電路，其作用是為電路提供一個(gè)與電源和工藝無(wú)關(guān)的，具有確定溫度特性的直流電壓。 此外，由于是數(shù)字電路，可以采用一個(gè)較大的 N阱將所有的 PMOS 管全部包含在里面，并且針對(duì)于每一個(gè)小的數(shù)字模塊（例如一個(gè)與非門結(jié)構(gòu)），其各自擁有一個(gè) N 阱的接觸。 3. 這個(gè)電路中匹配的分析 由于該電路是數(shù)字電路，對(duì)匹配沒(méi)有特殊的要求，只需要比較對(duì)稱的放置各個(gè)晶體管即可。 此外，由于是數(shù)字電路，可以采用一個(gè)較大的 N阱將所有的 PMOS 管全部包含在里面，并且針對(duì)于每一個(gè)小的數(shù)字模塊（例如一個(gè)與非門結(jié)構(gòu)），其各自擁有一個(gè) N 阱的接觸。 2. 這個(gè)電路的電流分析 根據(jù)電路設(shè)計(jì)者的要求，需要將電源線和地線的走線稍微寬一些，一般控制在 6um 左右，其余的內(nèi)部連線一般控制在 左右。針對(duì)與這兩個(gè)比較另類的元件，可以考慮將其旋轉(zhuǎn) 90176。 4. 這個(gè)電路的器件擺放分析 根據(jù)與電路設(shè)計(jì)者的交流，得知該電路的器件最好按照條形布局（即按照類似于一個(gè)單元格的形式）進(jìn)行設(shè)計(jì)。在流片完成后對(duì)該芯片進(jìn)行測(cè)試，以便確定芯片設(shè)計(jì)和制造的可靠性和可實(shí)現(xiàn)性。向相應(yīng)的工藝廠出據(jù) Tooling 單和芯片的封裝管腳圖，并在芯片制作完成以后對(duì)工藝廠商提供的 PCM 參數(shù)表進(jìn)行相應(yīng)的分析。 華微電子擁有先進(jìn)的 EDA設(shè)計(jì)工具和測(cè)試手段，具備了計(jì)算機(jī)、通訊、消費(fèi)類電子等領(lǐng)域 CMOS， BiCMOS， Bipolar 集成電路產(chǎn)品的設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)能力。 實(shí)習(xí)要求： 1. 基本熟悉集成電路版圖設(shè)計(jì)軟件 Virtuoso 的使用，進(jìn)行版圖設(shè)計(jì)和版圖驗(yàn)證； 2. 掌握集成電路版圖設(shè)計(jì)流程以及版圖設(shè)計(jì)規(guī)則文件； 3. 基本熟悉反向集成電路設(shè)計(jì)軟件 ChipLogic 的使用； 4. 完成對(duì)邏輯模塊和帶隙基準(zhǔn)電流源集成電路版圖設(shè)計(jì)，并通過(guò) DIVA和 Calibre 環(huán)境下的 DRC、 LVS 驗(yàn)證。注冊(cè)資本金 7000 萬(wàn)元，由 中國(guó)華大集成電路設(shè)計(jì)集團(tuán)有限公司 、成都成電大學(xué)科技園有限公司、成都創(chuàng)新風(fēng)險(xiǎn)投資有限公司、上海華微國(guó)際貿(mào)易有限公司 共同投資創(chuàng)辦。這就需要從事該職業(yè)的人，了解一些比較復(fù)雜的原理，例如：半導(dǎo)體物理、固體物理、器件物理等。這些額外的添加的檢查語(yǔ)句可以使得最終設(shè)計(jì)出來(lái)的版圖具有更高的可靠性。 注： XFAB 的設(shè)計(jì)規(guī)則（部分） metal1 metal2 contact 178。由于最后需要將16 個(gè)類似的單元模塊并結(jié)到一起，所以在設(shè)計(jì)電源線和地線的布局時(shí)，采用的是該電路左半部分為電源線走線，右半部分為地線的走線，這樣設(shè)計(jì)的目的同時(shí)也是在分析了 PAD 的布局以后得出的。 為了使得以后在合圖的過(guò)程之中減少工作量，在與電路設(shè)計(jì)者交涉以后，對(duì)每一個(gè)輸入和輸出端口都進(jìn)行了命名，以便于以后合圖是通過(guò)端口名稱直接對(duì)應(yīng)連接。 6. 隔離需求分析 由于是數(shù)字單元，且根據(jù) XFAB 的工藝特點(diǎn)，選擇了常見(jiàn)的 PN 結(jié)隔離方式隔離 NMOS與 PMOS 器件。 數(shù)字模塊 8的版圖 根據(jù)之前對(duì) 數(shù)字模塊 8的分析，最終得出該電路的版圖如下圖所示： 整體數(shù)字模塊版圖設(shè)計(jì)分析 整體數(shù)字模塊的電路分析 可以很清楚的看到，該電路是將之前的數(shù)字模塊拼接起來(lái)的，而每一個(gè)模塊又是將之前的每一個(gè)子模塊拼接起來(lái)的。并且考慮到是整體數(shù)字模塊的合成圖，所以明確的分隔開(kāi)有源區(qū)和場(chǎng)區(qū)，根據(jù) XFAB 的工藝，將會(huì)采用 LOCOS 工藝進(jìn)行相應(yīng)的隔離（縱然 LOCOS 工藝存在有鳥(niǎo)嘴效應(yīng)）。 整體數(shù)字模塊的版圖 根據(jù)之前對(duì)數(shù)字模塊的分析，最終得出該電路的版圖如下圖所示： 帶隙基準(zhǔn)電流源的版圖設(shè)計(jì)分析 帶隙基準(zhǔn)源模塊的電路分析 可以很清楚的看到，該電路最大的特點(diǎn)便是存在有很多并聯(lián)的修調(diào)電阻，并且修調(diào)電阻基本上流過(guò)了整個(gè)電路的總電流，也就是說(shuō)，在設(shè)計(jì)電阻的版圖時(shí)，盡量將金屬線走線走寬一些，并且可以采用多條供電線的方案將電流分配到每一個(gè)修調(diào)電阻中。 2. 這個(gè)電路的電流分析 根據(jù)電路仿真結(jié)果，以及和電路設(shè)計(jì)者的交涉，知道在基準(zhǔn)核心的修 調(diào)電阻部分基本流過(guò)了整個(gè)電路最大的電流，約為 3uA，根據(jù) XFAB 提供的金屬線（第一層鋁線）的參數(shù)，可知該處的金屬走線寬度應(yīng)大于 。 上圖便是采用分割器件的形式設(shè)計(jì)的 PMOS 差分對(duì)管版圖 5. 金屬層選擇分析 這個(gè)問(wèn)題，在與電路設(shè)計(jì)這交涉的過(guò)程中，電路設(shè)計(jì)者要求在關(guān)鍵的引線上盡量采用寄生參數(shù)小的金屬層。因此，在布局時(shí)，將所有的修調(diào)電阻都放在了整個(gè)版圖的最右側(cè)，而將對(duì)稱管基本上都放在左側(cè)。因此，必須將三極管和 MOS 管的位置分隔開(kāi)，以免對(duì)三極管打襯底電
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