【正文】 2． 實習單位對 學生工作態(tài)度、工作完成情況 綜合評價。感謝李大剛老師在電路分析上給我的幫助，使得我能夠較快地明白電路工作的原理，以及版圖設計中需要注意的部分。因此采用了下列的方式進行修正： 在修正了上述的幾個原因以后，對版圖進行了重新布局，得到最終版圖如下圖所示： 四、致謝 值此論文完成之際，謹向曾經(jīng)給予過我指導、關心和幫助的人們表示最衷心的感謝。 3. 器件方向的高度一致性 在對帶隙基準源模塊進行版圖設計的過程當中，由于該模塊是一個需要高度匹配的模塊，所以應該將所有器件擺放的方向都一致。其實這樣對于電路的運行是相當不穩(wěn)定的，會很容易造成天線效應的發(fā)生，這也是為什么在對數(shù)字電路做 DRC 的時候忽略了天線效應報錯的原因。劃封金屬能夠提供必要的低阻通路而且不需要消耗大量額外的管芯面積。也就是說，在電容的版圖設計中，不用過多的考慮電容的精度要求，可以在將所有的晶體管位置擺放好了以后，再將電容填充進版圖，使得版圖顯得更加緊湊。 6. 隔離需求分析 這是一個需要高度匹配的帶隙基準源電路，對于差分對管之間的隔離顯得尤為重要。版圖的匹配設計主要是提高器件和連接線在形狀、方向、相對位置等方面的匹配程度，以減小版 圖失配帶來的誤差。 1. 這個電路功能分析 這是一個帶隙基準源電路，其作用是為電路提供一個與電源和工藝無關的，具有確定溫度特性的直流電壓。 此外，由于是數(shù)字電路，可以采用一個較大的 N阱將所有的 PMOS 管全部包含在里面，并且針對于每一個小的數(shù)字模塊（例如一個與非門結構），其各自擁有一個 N 阱的接觸。 3. 這個電路中匹配的分析 由于該電路是數(shù)字電路，對匹配沒有特殊的要求，只需要比較對稱的放置各個晶體管即可。 此外，由于是數(shù)字電路，可以采用一個較大的 N阱將所有的 PMOS 管全部包含在里面，并且針對于每一個小的數(shù)字模塊（例如一個與非門結構），其各自擁有一個 N 阱的接觸。 2. 這個電路的電流分析 根據(jù)電路設計者的要求，需要將電源線和地線的走線稍微寬一些，一般控制在 6um 左右，其余的內部連線一般控制在 左右。針對與這兩個比較另類的元件，可以考慮將其旋轉 90176。 4. 這個電路的器件擺放分析 根據(jù)與電路設計者的交流，得知該電路的器件最好按照條形布局（即按照類似于一個單元格的形式）進行設計。在流片完成后對該芯片進行測試，以便確定芯片設計和制造的可靠性和可實現(xiàn)性。向相應的工藝廠出據(jù) Tooling 單和芯片的封裝管腳圖，并在芯片制作完成以后對工藝廠商提供的 PCM 參數(shù)表進行相應的分析。 華微電子擁有先進的 EDA設計工具和測試手段，具備了計算機、通訊、消費類電子等領域 CMOS， BiCMOS， Bipolar 集成電路產品的設計開發(fā)能力。 實習要求： 1. 基本熟悉集成電路版圖設計軟件 Virtuoso 的使用，進行版圖設計和版圖驗證； 2. 掌握集成電路版圖設計流程以及版圖設計規(guī)則文件； 3. 基本熟悉反向集成電路設計軟件 ChipLogic 的使用； 4. 完成對邏輯模塊和帶隙基準電流源集成電路版圖設計，并通過 DIVA和 Calibre 環(huán)境下的 DRC、 LVS 驗證。注冊資本金 7000 萬元，由 中國華大集成電路設計集團有限公司 、成都成電大學科技園有限公司、成都創(chuàng)新風險投資有限公司、上海華微國際貿易有限公司 共同投資創(chuàng)辦。這就需要從事該職業(yè)的人，了解一些比較復雜的原理，例如：半導體物理、固體物理、器件物理等。這些額外的添加的檢查語句可以使得最終設計出來的版圖具有更高的可靠性。 注： XFAB 的設計規(guī)則（部分） metal1 metal2 contact 178。由于最后需要將16 個類似的單元模塊并結到一起，所以在設計電源線和地線的布局時，采用的是該電路左半部分為電源線走線，右半部分為地線的走線，這樣設計的目的同時也是在分析了 PAD 的布局以后得出的。 為了使得以后在合圖的過程之中減少工作量，在與電路設計者交涉以后，對每一個輸入和輸出端口都進行了命名，以便于以后合圖是通過端口名稱直接對應連接。 6. 隔離需求分析 由于是數(shù)字單元，且根據(jù) XFAB 的工藝特點，選擇了常見的 PN 結隔離方式隔離 NMOS與 PMOS 器件。 數(shù)字模塊 8的版圖 根據(jù)之前對 數(shù)字模塊 8的分析，最終得出該電路的版圖如下圖所示： 整體數(shù)字模塊版圖設計分析 整體數(shù)字模塊的電路分析 可以很清楚的看到，該電路是將之前的數(shù)字模塊拼接起來的，而每一個模塊又是將之前的每一個子模塊拼接起來的。并且考慮到是整體數(shù)字模塊的合成圖，所以明確的分隔開有源區(qū)和場區(qū)，根據(jù) XFAB 的工藝，將會采用 LOCOS 工藝進行相應的隔離（縱然 LOCOS 工藝存在有鳥嘴效應）。 整體數(shù)字模塊的版圖 根據(jù)之前對數(shù)字模塊的分析，最終得出該電路的版圖如下圖所示： 帶隙基準電流源的版圖設計分析 帶隙基準源模塊的電路分析 可以很清楚的看到，該電路最大的特點便是存在有很多并聯(lián)的修調電阻，并且修調電阻基本上流過了整個電路的總電流，也就是說，在設計電阻的版圖時，盡量將金屬線走線走寬一些，并且可以采用多條供電線的方案將電流分配到每一個修調電阻中。 2. 這個電路的電流分析 根據(jù)電路仿真結果，以及和電路設計者的交涉，知道在基準核心的修 調電阻部分基本流過了整個電路最大的電流，約為 3uA，根據(jù) XFAB 提供的金屬線（第一層鋁線）的參數(shù)，可知該處的金屬走線寬度應大于 。 上圖便是采用分割器件的形式設計的 PMOS 差分對管版圖 5. 金屬層選擇分析 這個問題，在與電路設計這交涉的過程中，電路設計者要求在關鍵的引線上盡量采用寄生參數(shù)小的金屬層。因此，在布局時，將所有的修調電阻都放在了整個版圖的最右側，而將對稱管基本上都放在左側。因此，必須將三極管和 MOS 管的位置分隔開，以免對三極管打襯底電