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正文內(nèi)容

催化作用導(dǎo)論第二章多相催化反應(yīng)過程(參考版)

2025-02-24 11:01本頁面
  

【正文】 將 θ表達(dá)式代入( 2- 26),并化簡(jiǎn),得:真實(shí)表面吸附 脫附速率方程 假設(shè):吸附活化能 Ea( θ)隨覆蓋度 θ線性增加,脫附活化能 Ed( θ)隨 θ線性減少,即: ( 226)當(dāng)平衡時(shí), ra=在這種情況下: Ea(θ), Ed(θ), S*(θ)與 θ無關(guān),代入基本方程式,得到:理想吸附層的吸附、脫附速率方程 但由于表面的不均勻或吸附分子間的相互作用,使得 Ea, Ed和 S*四、吸附動(dòng)力學(xué)四、吸附動(dòng)力學(xué) 我們?cè)谕茖?dǎo)Langmuir吸附等溫式時(shí),已經(jīng)得到了吸附速率基本方程式,即:吸附速率:脫附速率:凈吸附速率:ka、 kd分別為吸附和脫附速率常數(shù)。 上述三式在Langmuir理論基礎(chǔ)上,根據(jù)吸附熱與覆蓋度之間的三種關(guān)系而導(dǎo)出的。吸附量的測(cè)定可用容量法、重量法或色譜法,對(duì)于大多氣體化學(xué)吸附的研究,常常采用容量法,即在靜態(tài)裝置中將 — 定量數(shù)的氣體引入具有一定體積的吸附容器中,根據(jù)氣體壓力的變化可以測(cè)出氣體在固體吸附劑表面上的吸附量。固體表面吸附量是研究吸附作用的一項(xiàng)基本數(shù)據(jù)。作圖得一直線。同樣可以得出Freundlich的直線表達(dá)式:以 適用壓力范圍比 L式寬。= Freundlich吸附等溫式。弗蘭德里希吸附等溫式最初是從實(shí)驗(yàn)中總結(jié)出來的,更適合于用來作數(shù)據(jù)的擬合和內(nèi)插。4)) Freundlich吸吸附等溫式附等溫式 弗蘭德里希( Freundlich)認(rèn)為,吸附熱是隨著覆蓋度的增加不是線性下降而是指數(shù)關(guān)系:同樣代入式得到弗蘭德里希吸附等溫式: 中等覆蓋度的含義是最活潑的部位已被占滿,最不活潑的部位全空著。( 1)吸附熱與覆蓋度呈線性關(guān)系。在上面的推導(dǎo)中,我們知道 Temkin吸附等溫式有兩個(gè)假設(shè),也就是說適用于下列情況下:積分得出,式中: Temkin吸附等溫式還可以用 作圖,得一直線。以 代入上式,整理得:( 224)這就是著名的Temkin吸附等溫式。很小,可略去不計(jì),則上式變?yōu)椋涸谥械雀采w度時(shí), 在溫度一定時(shí), a、 f 在真實(shí)的不均勻表面上,將式( 2- 23)代入上式:取對(duì)數(shù)并整理得:或 ( 2- 23)式中, q0是覆蓋度為 0時(shí)的吸附熱; α為常數(shù)。值可以判斷固體物質(zhì)的吸附行為屬第 II類型還是第 III類型吸附。以兩常數(shù)公式為基本依據(jù),由 =1時(shí),式( 2- 22)即可還原為 Langmuir等溫式。 當(dāng) n例如在多孔物質(zhì)上進(jìn)行的吸附,由于孔徑限制,其吸附層只能是有限的幾層,那么代入( 2- 19)式就可得到所謂的三常數(shù)公式:( 2- 21)則式( 2- 20)變?yōu)椋? ∞。 1時(shí), V才能 由上式可知只有當(dāng) x ∞。當(dāng)氣相壓力為液體的飽和蒸氣壓時(shí),氣相與液相已達(dá)到無差別境界,可以認(rèn)為 V這就是著名的BET兩常數(shù)公式。 ( 2- 20)( 2- 19)將式( 2- 17)代入式( 2- 12)得:( 2- 17)其中===再設(shè) ( 2- 13)=…E3E2于是就有:( 2- 12) 由式( 2- 10)和( 2- 11)得到:被吸氣體的總體積為: 吸附劑的總面積為: 平衡時(shí),即有上式。表示能克服表面凈吸附位能的吸附分子的幾率; a, b均為比例常數(shù),據(jù)第一條假定這三個(gè)數(shù)值均為常數(shù)。根據(jù)氣體動(dòng)力學(xué)理論, E1為空白表面上的吸附熱,( 2- 8)1平衡時(shí),空白表面層與單分子層之間有下列平衡關(guān)系:1, S4=3, S36, S1S0如上圖所示。 Si代表被空白表面,第一層、第二層、 …… 從下列 BET的模型示意圖就可來推導(dǎo) BET公式。理論上其層數(shù)可以擴(kuò)展到無窮層,從吸附方式上講,未等第一層吸滿就可能有第二層,第三層 …… 的吸附同時(shí)發(fā)生,且從第二層開始,其吸附作用就類同于氣相凝聚為液相的作用。( 1)與Langmuir假定一樣,固體表面是均勻的,被吸附分子之間無相互作用,即空白表面的吸附幾率不受被吸附分子影響而始終如一。 多分子層吸附模型的基本假定和要點(diǎn)如下: Emmett和 Teller三人于 1938年提出,并用他們的名字命名。BET吸附理論是對(duì)朗格繆爾吸附理論第二個(gè)基本假設(shè)的重大修正,即多分子層吸附模型。 為了修正 L理論,相繼又提出了一些等溫式,其中主要的有:2)) BET吸附等溫式吸附等溫式( 2)吸附熱與覆蓋度有關(guān) 。( 1)實(shí)際表面是不均勻的 。Langmuir模型是一種理想吸附模型,與實(shí)際的非理想吸附存在偏差。書寫 Langmuir吸附等溫式的簡(jiǎn)單規(guī)則就是這個(gè)通式,其中 biPi稱為 i分子的吸附項(xiàng)。這就是 Langmuir吸附等溫式的通式。( 2- 7) n為發(fā)生競(jìng)爭(zhēng)吸附的組分。( 2- 6)180。1θAθBfB(θ)180。fA(θ)ⅢⅢ 、競(jìng)爭(zhēng)吸附的、競(jìng)爭(zhēng)吸附的Langmuir等溫式等溫式 當(dāng)吸附體系中,有兩種或兩種以上的物質(zhì)在同一吸附位上吸附,則稱為競(jìng)爭(zhēng)吸附。作圖為一直線,則說明該吸附過程為解離吸附,且符合 Langmuir吸附模型。同樣,若實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù) =θ2180。=f則假設(shè)吸附系統(tǒng)中,只有一種吸附分子 A2吸附,且為解離吸附(如 H2在Cu表面上即為解離吸附),那么可寫為: ⅡⅡ 、解離吸附的、解離吸附的Langmuir等溫式(單分子解離吸附)等溫式(單分子解離吸附) 要驗(yàn)證某一吸附體系是否是遵循 Langmuir方程,可用相應(yīng)的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)作圖,若為一直線則符合。由此可求得一定溫度下,氣體的飽和吸附體積和吸附平衡常數(shù)。代入Langmuir等溫式,整理后得:當(dāng)溫度一定時(shí), b、Vm均是常數(shù) 。 被吸附氣體的體積; Vm—— 吸附飽和時(shí)的氣體體積。還可以表示為: 1, θ→1所以有: θ∝ P,解釋了等溫線( Ⅰ );( 2)高壓下, b( 24)這就是著名的Langmuir吸附等溫式。(θ) = θf(θ) =(θ)是被占據(jù)的位置所占的分?jǐn)?shù),即: (θ)是空位所占的分?jǐn)?shù), f決定于吸附性質(zhì),分以下幾種情況。求解。由于大多數(shù)的吸附都是放熱的,所以當(dāng)溫度 T升高時(shí), b值就下降。( 2- 3) rd,即( 2- 2)在平衡時(shí), ra(θ);因此: 式中 ka為吸附速度常數(shù)。則 因此吸附速度為:者所占的分?jǐn)?shù),由 Boltzmann(θ);( 1)與 表面碰撞的速度,據(jù)氣體運(yùn)動(dòng)論,其值為 P/(2πmKT)1/2; 也就是說,當(dāng)達(dá)到吸附平衡時(shí),固體表面上的吸附與解吸仍在不斷地進(jìn)行,只是二者速度相等。 ( 3)所有位置都是等價(jià)的,被吸附分子的能量與其它分子的存在無關(guān)。因此吸附只進(jìn)行到單分子層為止。( 2)表面的位置數(shù)是確定的,每個(gè)吸附位置只能吸附一個(gè)氣體分子。( 1)表面本質(zhì)上是均勻的。Langmuir吸附是一種理想的化學(xué)吸附模型,它基于以下假設(shè):1)) Langmuir吸附速吸附速度式與等溫式度式與等溫式 這里把催化劑的表面空位及吸附形成的表面化合物也分別視為反應(yīng)物與產(chǎn)物,它們的濃度用空位率和表面覆蓋率的函數(shù)來表示。一般地, 化學(xué)吸附是吸附與脫附的可逆化學(xué)過程。熱力學(xué)方法熱力學(xué)方法:即令吸附氣體在氣相和吸附相的化學(xué)勢(shì)相等,然后求解。(θ)不易確定。因?yàn)轶w系復(fù)雜時(shí),函數(shù) 動(dòng)力學(xué)方法動(dòng)力學(xué)方法:即令相應(yīng)的吸附速率和脫附速率相等,然后求解。 原則上,可以有兩種方法來證明各吸附等溫式。這些理論的共同特點(diǎn)是必須就表面性質(zhì)和氣 — 固表面間的相互作用問題作一些假設(shè)。表示吸附能無限增加(如 II、 III,可多層吸附)。2)高壓下, ① 這是由于吸附質(zhì)分子間的相互作用大于吸附質(zhì)分子與吸附劑表面的相互作用。v II型吸附等溫線是最常碰到的,在無孔粉末顆?;蛟诖罂字械奈匠3J沁@類等溫線。v I型吸附等溫線限于單層或準(zhǔn)單層,大多數(shù)化學(xué)吸附等溫線和完全的微孔物質(zhì)(如活性炭)和分子篩的吸附等溫線屬于此類。但經(jīng)驗(yàn)表明,大多數(shù)等溫線都屬五大主要類型之一。v 吸附等溫線: 在等溫條件下,氣體在固體表面上的吸附量與其平衡壓力間的關(guān)系稱為吸附等溫線。它是吸附體系、溫度和壓力的函數(shù)。為了定量地表達(dá)固體催化劑對(duì)氣態(tài)反應(yīng)物的吸附能力,需要研究吸附速度和吸附平衡及其影響因素。吸附速度與吸附平衡即吸附分子在表面是移動(dòng)的。 q,所以在不到發(fā)生脫附的溫度,被吸附分子便在表面發(fā)生移動(dòng)。 171。 位移動(dòng)的能壘高度( Em)。理想表面上的位能變化 能壘( Em):限制吸附分子進(jìn)行位 若 Ea≤0,稱非活化吸附(快化學(xué)吸附),例如 H2在 W , Ni等上。 →由于過渡態(tài)的穩(wěn)定,體系位能迅速沿化學(xué)吸附曲線下降至最低點(diǎn)達(dá)到吸附態(tài)。DHH,通過物理吸附,吸收能量Ea171。- Ea+=EdqP-物理吸附熱, r0, H2與表面的距離 197。=+=q-化學(xué)吸附熱, r0180。( Morse公式, D:圖中 DH2; a:雙原子分子簡(jiǎn)諧振子模型的彈力常數(shù))圖中: P-物理吸附位能曲線 : 三、吸附熱力學(xué) 多點(diǎn)解離再如: CO在過渡態(tài)金屬上的吸附: ( A) ( B) ( C) 單點(diǎn)吸附態(tài) 雙點(diǎn)吸附態(tài)(線型結(jié)構(gòu)) (橋式結(jié)構(gòu)) 不同的吸附質(zhì)在不同的吸附表面,其吸附性能及吸附的狀態(tài)大不相同,而反應(yīng)物在催化劑表面上的不同吸附態(tài),將導(dǎo)致最終形成不同的產(chǎn)物。比如 H23)吸附鍵類型是共價(jià)鍵、離子鍵還是配位鍵,以及吸附物種所帶的電荷類型與多少等。2)催化劑表面吸附中心的狀態(tài)是原子、離子還是它們的集團(tuán)。HMCH 3
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