odf段工藝設(shè)備培訓資料(參考版)
2025-01-13 13:02本頁面
【正文】 Shanghai Tianma Microelectronics 37 Thank You ! 。 m ） 到達真空度： 真空到達時間： 60秒內(nèi)達到 1Pa以下； 120秒內(nèi)達到 真空貼合 Shanghai Tianma Microelectronics 36 四、高效空氣微粒子過濾器 ULPA： HEPA： 高效空氣微粒子過濾器 m以上的微粒子 過濾效率達到 %以上 m以上的微粒子 過濾效率達到 %以上 廣泛運用于無菌（塵）室、手術(shù)室、 GMP工程、半導體元氣件的生產(chǎn)車間和一些對空氣潔凈度有極端嚴格要求的場合。 330mm Y方向： +630mm， 550mm Shanghai Tianma Microelectronics 34 三、主要設(shè)備工藝參數(shù) 液晶滴下（ ODF） 主要控制參數(shù)： ? 液晶滴下量（ mg/drop） ? 液晶滴下位置 (滴定形狀 ) ? 液晶滴下打點數(shù)（每屏所需液晶量） ? 液晶脫泡條件（時間、真空度） ? QTime（液晶滴下～真空貼合） Shanghai Tianma Microelectronics 35 三、主要設(shè)備工藝參數(shù) 工藝性能要求： 貼合精度： 177。25p/ mm2 b. 散布的均勻性 c. 沒有 Spacer凝聚 Spacer固著工程的目的： 為避免 Spacer的位置受滴下的液晶流動的影響，通過加熱將已散布的 Spacer固著在 CF基板上。 mask 熱風 Seal材充分硬化達到高信賴性，同時通過加熱再降溫使液晶 Isotropic化，進行重新再配向 熱風爐 （ Oven） （UV硬化 ） （本硬化 ） 一、 ODF段主要工裝設(shè)備 Shanghai Tianma Microelectronics 29 UV硬化原理示意 UV光照射會使 ASi內(nèi)產(chǎn)生電子遷移，破壞 TFT的特性，故 采用 UVMASK遮擋 TFT部。 2UV Lamp Shutter開啟后， Lamp開始照射，保證基板各個部分受到均勻的 UV照射。 貼 合后的Array/CF基板 Vernier與 對 位 標 志 Panel 【Vernier】 【對 位 標 志 】 X/Vernier Y/Vernier 利用畫像處理 、 自動檢測能使 A=B的位置，貼合精度以所測得的 Vernier值來表示。 4主要參數(shù)： ?貼合真空度 ?預 Press時 (LoadCell的壓力 )上下基板的間距 ?LVC電壓 ?Offset 真空貼合結(jié)構(gòu)原理簡圖 一、 ODF段主要工裝設(shè)備 Shanghai Tianma Microelectronics 20 上基板搬入動作流程 一、 ODF段主要工裝設(shè)備 Shanghai Tianma Microelectronics 21 完成基板搬出動作流程 一、 ODF段主要工裝設(shè)備 Shanghai Tianma Microelectronics 22 下基板搬出動作流程 一、 ODF段主要工裝設(shè)備 Shanghai Tianma Microelectronics 23 貼合動作流程 (1) 一、 ODF段主要工裝設(shè)備 Shanghai Tianma Microelectronics 24 貼合動作流程 (2) 一、 ODF段主要工裝設(shè)備 Shanghai Tianma Microelectronics 25 真空 Chamber（高真空） Ｓｅａｌ 液晶 Ｇｌａｓｓ Ｇｌａｓｓ 真空 Chamber（
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