【正文】 asi Ａｒｒａｙ基板 G遮光 aSi Drain G遮光 畫素 ITO PA GInsulator ＣＦ基板 Drain上 BM 色 層 色 層 Cell gap UV光 液晶 UV Mask ＣＦ基板 Ｓｅａｌ材 配向膜 Ａｒｒａｙ基板 TFT 公共電極 Ｓｐａｃｅｒ Seal內(nèi) Spacer ＵＶ光（光源： Metal Halide Lamp） 半透膜 一、 ODF段主要工裝設備 Shanghai Tianma Microelectronics 30 本硬化工藝條件特性要求 120℃ 70℃ RT 60min 基板溫度 裝置內(nèi)溫度 本硬化溫度特性曲線 無塵恒溫槽 測定基板 溫度 記錄儀 本硬化爐及溫度曲線測定方法 120℃ 、60min 一、 ODF段主要工裝設備 Shanghai Tianma Microelectronics 31 二、 ODF段輔助設備 MisAlign檢查 Visual Inspection Buffer Transfer Robot Loader/Uloader 輔助工裝設備： Shanghai Tianma Microelectronics 32 三、主要設備工藝參數(shù) Spacer散布與固著 Spacer散布工程的工藝要求： a. 散布密度穩(wěn)定性：中心值 177。 4主要參數(shù)： ?Gap ?Spacer徑，混合比 ?Nozzle直徑 Φ ?Seal材黏度 ?N2壓力 ?基臺移動速度 5難點： ?始終端條件 ?接口部條件 ?拐角部條件 一、 ODF段主要工裝設備 Shanghai Tianma Microelectronics 9 Syringe Block 注射器 注射器蓋 噴嘴 螺絲 酒精清洗 ↓ 用丙酮進行超音波清洗 ↓ 用酒精進行超音波清洗 只需要用酒精擦洗 ※ 在丙酮中會被腐蝕 Ｏ Ring (1) Seal材解凍 生產(chǎn)前作業(yè) (3) Seal材調(diào)和 (4) Seal材脫泡 (5) Seal材充填 卸下注射器 注射器，脫泡充填工具清掃 清掃作業(yè) 未解凍前不能開封 記錄解凍時間 一、 ODF段主要工裝設備 Shanghai Tianma Microelectronics 10 一、 ODF段主要工裝設備 ③ Syringe裝填 ① Seal材と Seal內(nèi) Spacer材の調(diào)合 ②攪拌：５分間 ④脫泡 （遠心真空） ８０Ｐａ以下? ３．５時間 ⑤裝置 Set 回転數(shù)： 1600rpm Seal內(nèi) Spacer材 Seal容器 Seal 脫泡 Shanghai Tianma Microelectronics 11 配向膜 ＩＴＯ膜 Ａｇ 表示部 Ｃｏｒｎｅｒ部 過細 ? 液晶 泄漏 不均一 ? 液晶 泄漏 太り ? 切斷不良 過細 ? 液晶 泄漏 太寬 ? 切斷不良 正確 Ｓｅａｌ斷裂 ? 液晶 泄漏 ［Ｓｅａｌ ｃｏｒｎｅｒ部］ ［Ｓｅａｌ 直線部］ ［Ｓｅａｌ 終端部］ Seal外觀 一、 ODF段主要工裝設備 Shanghai Tianma Microelectronics 12 導電膠涂布 導電膠涂布目的： 在 TFT基板的配線上涂布導電膠 ,使 TFT基板與 C