eda競賽培訓(xùn)提綱許軍(參考版)
2025-01-13 12:08本頁面
【正文】 復(fù)習(xí)思考題 CMOS電路的照片，其中左邊包含鋁線層，右邊則已將鋁線層去除，試畫出其對應(yīng)的電路圖，并分析其實(shí)現(xiàn)的邏輯功能（提示：左圖中最上邊的鋁線是電源線 VDD，最下邊的鋁線是地線 GND）。另外，利用 ν MOS結(jié)構(gòu)還可以很方便地實(shí)現(xiàn)線性電阻、ν MOS神經(jīng)元電路結(jié)構(gòu)、柔性邏輯電路等新型電路結(jié)構(gòu)。這樣，一個(gè) D/A轉(zhuǎn)換器就可以非常簡單地構(gòu)造出來。 則輸出電壓為 其中 γ 是浮柵增益因子， X X … Xn是二值數(shù)字信號(hào)，Vi＝ XiVDD， Xi＝ 0或 1。 這個(gè)電路的一個(gè)最大的用途是實(shí)現(xiàn)單管 D/A轉(zhuǎn)換器 。 23( 1 ) *231 1 1 1T O T nnT H T HC C C CV V V V VC C C C? ? ? ? ? ? ? ? 0nT O T iiCC?? ?1 2 0n T O TT O T T O TC C C C CCC?? ? ? ? ? ? ???（ 3） ν MOS的基本應(yīng)用 求和過程是一種電壓工作模式 ， 除了充放電電流之外沒有其它電流 ， 因此功耗很低 ， 這個(gè)特點(diǎn)在實(shí)現(xiàn)高密度集成時(shí)非常關(guān)鍵 。這樣的假設(shè)并不妨礙后面的普遍性分析。 圖中 ， φ F是浮柵電勢 ， V V … Vn是輸入信號(hào)電壓 ，C C … Cn是各個(gè)輸入柵與浮柵之間的電容 ， C0是浮柵和襯底之間的電容 ， Q0、 Q Q … Qn是在各個(gè)電容上儲(chǔ)存的電量 。 n個(gè)輸入柵與浮柵通過電容耦合。這種結(jié)構(gòu)通常需要在器件的漏端制作出專門的隧道氧化層，工藝上比較復(fù)雜。 電子注入到浮柵之后 ， 正常情況下無法流出 ， 因此就停留在浮柵上 ， 這樣就使得器件的開啟電壓提高 ， 相當(dāng)于寫入信息 “ 1”； （ 2） 工作
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