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2025-01-07 12:08 本頁(yè)面
【正文】 112( 2 2 )21nDDO U T nnVV X X X? ?? ? ? ? ? ? ??復(fù)習(xí)思考題 E/D型 NMOS電路的版圖，試畫出其對(duì)應(yīng)的電路圖，并分析其實(shí)現(xiàn)的邏輯功能。輸出電壓與一個(gè)由 n位二值數(shù)字信號(hào)的輸入表示的模擬電壓成比例。單管 D/A轉(zhuǎn)換器 由一個(gè)具有 n個(gè)輸入柵的 n溝道 ν MOS晶體管和一個(gè)電阻 R組成的源極跟隨器如右圖所示，如果電阻 R遠(yuǎn)大于 ν MOS晶體管導(dǎo)通時(shí)的電阻，那么 *OU T F T HVV ???如果閾值電壓 V*TH=0， 那么 VOUT=φ F。 這里我們引入一個(gè)參數(shù) γ （浮柵增益因子），它的定義是 γV DD表示當(dāng)所有的輸入柵為 VDD時(shí)，浮柵得到的最大電壓。 （ 2） 工作原理分析：設(shè) QF等于浮柵上的凈電荷量 ， 那么 假設(shè)浮柵在工作中沒(méi)有電荷注入，那么 QF等于浮柵上的初始電荷量，在大多數(shù)情況下，為了簡(jiǎn)單，我們假設(shè)初始電荷為 0。 ν MOS（ NeuronMOS） 簡(jiǎn)介 （ 1）器件基本結(jié)構(gòu)： ν MOS的基本結(jié)構(gòu)如圖所示，這是一個(gè) N溝道的 MOS晶體管，柵極在電學(xué)意義上處于浮空狀態(tài)，稱為 “ 浮柵 ” 。編程機(jī)制：如圖所示 ， 當(dāng)在控制柵和漏端同時(shí)加高電壓 ， 而源極接地 ， 則源區(qū)的電子將在溝道區(qū)橫向電場(chǎng)的作用下向漏區(qū)加速運(yùn)動(dòng) ， 并獲得較大的動(dòng)能 ， 從而成為熱電子 ， 其中部分熱電子 （ 幸運(yùn)電子 ） 將在柵極縱向電場(chǎng)的作用下越過(guò)硅－二氧化硅勢(shì)壘到達(dá)浮柵 ，形成熱電子注入電流 。 肖特基二極管場(chǎng)效應(yīng)晶體管邏輯（ Schottky Diode FET Logic），其中第一級(jí)采用二極管實(shí)現(xiàn)邏輯 “ 或 ”和電平移動(dòng)的功能，
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