eda競賽培訓提綱許軍(編輯修改稿)
2025-02-06 12:08 本頁面
【文章內容簡介】 83。編程機制：如圖所示 ， 當在控制柵和漏端同時加高電壓 ， 而源極接地 ， 則源區(qū)的電子將在溝道區(qū)橫向電場的作用下向漏區(qū)加速運動 ， 并獲得較大的動能 ， 從而成為熱電子 ， 其中部分熱電子 （ 幸運電子 ） 將在柵極縱向電場的作用下越過硅－二氧化硅勢壘到達浮柵 ，形成熱電子注入電流 。 電子注入到浮柵之后 ， 正常情況下無法流出 ， 因此就停留在浮柵上 ， 這樣就使得器件的開啟電壓提高 ， 相當于寫入信息 “ 1”； 擦除機制：當把控制柵接地 ， 而在漏端加高電壓時 ，則可以使浮柵上的電子通過隧道穿透效應釋放到漏區(qū) ，從而使器件的開啟電壓恢復到原來較低的數(shù)值 ， 相當于把存儲單元中的內容擦除為 “ 0”； 這種結構通常需要在器件的漏端制作出專門的隧道氧化層，工藝上比較復雜。 ν MOS（ NeuronMOS） 簡介 （ 1）器件基本結構： ν MOS的基本結構如圖所示，這是一個 N溝道的 MOS晶體管，柵極在電學意義上處于浮空狀態(tài)，稱為 “ 浮柵 ” 。 n個輸入柵與浮柵通過電容耦合。各個電壓和電容的定義亦如圖中所示，圖中同時給出了該器件的電路符號表征。 圖中 ， φ F是浮柵電勢 ， V V … Vn是輸入信號電壓 ，C C … Cn是各個輸入柵與浮柵之間的電容 ， C0是浮柵和襯底之間的電容 ， Q0、 Q Q … Qn是在各個電容上儲存的電量 。 （ 2） 工作原理分析：設 QF等于浮柵上的凈電荷量 ， 那么 假設浮柵在工作中沒有電荷注入，那么 QF等于浮柵上的初始電荷量，在大多數(shù)情況下，為了簡單，我們假設初始電荷為 0。這樣的假設并不妨礙后面的普遍性分析。襯底和源接地，即 Vs＝ V0＝ 0，所有的信號電壓都相對于地，那么上式進一步簡化為 0
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