eda競(jìng)賽培訓(xùn)提綱許軍(編輯修改稿)
2025-02-06 12:08 本頁(yè)面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 83。編程機(jī)制：如圖所示 ， 當(dāng)在控制柵和漏端同時(shí)加高電壓 ， 而源極接地 ， 則源區(qū)的電子將在溝道區(qū)橫向電場(chǎng)的作用下向漏區(qū)加速運(yùn)動(dòng) ， 并獲得較大的動(dòng)能 ， 從而成為熱電子 ， 其中部分熱電子 （ 幸運(yùn)電子 ） 將在柵極縱向電場(chǎng)的作用下越過(guò)硅－二氧化硅勢(shì)壘到達(dá)浮柵 ，形成熱電子注入電流 。 電子注入到浮柵之后 ， 正常情況下無(wú)法流出 ， 因此就停留在浮柵上 ， 這樣就使得器件的開(kāi)啟電壓提高 ， 相當(dāng)于寫(xiě)入信息 “ 1”； 擦除機(jī)制：當(dāng)把控制柵接地 ， 而在漏端加高電壓時(shí) ，則可以使浮柵上的電子通過(guò)隧道穿透效應(yīng)釋放到漏區(qū) ，從而使器件的開(kāi)啟電壓恢復(fù)到原來(lái)較低的數(shù)值 ， 相當(dāng)于把存儲(chǔ)單元中的內(nèi)容擦除為 “ 0”； 這種結(jié)構(gòu)通常需要在器件的漏端制作出專門(mén)的隧道氧化層，工藝上比較復(fù)雜。 ν MOS（ NeuronMOS） 簡(jiǎn)介 （ 1）器件基本結(jié)構(gòu)： ν MOS的基本結(jié)構(gòu)如圖所示，這是一個(gè) N溝道的 MOS晶體管，柵極在電學(xué)意義上處于浮空狀態(tài)，稱為 “ 浮柵 ” 。 n個(gè)輸入柵與浮柵通過(guò)電容耦合。各個(gè)電壓和電容的定義亦如圖中所示，圖中同時(shí)給出了該器件的電路符號(hào)表征。 圖中 ， φ F是浮柵電勢(shì) ， V V … Vn是輸入信號(hào)電壓 ，C C … Cn是各個(gè)輸入柵與浮柵之間的電容 ， C0是浮柵和襯底之間的電容 ， Q0、 Q Q … Qn是在各個(gè)電容上儲(chǔ)存的電量 。 （ 2） 工作原理分析：設(shè) QF等于浮柵上的凈電荷量 ， 那么 假設(shè)浮柵在工作中沒(méi)有電荷注入，那么 QF等于浮柵上的初始電荷量，在大多數(shù)情況下，為了簡(jiǎn)單，我們假設(shè)初始電荷為 0。這樣的假設(shè)并不妨礙后面的普遍性分析。襯底和源接地，即 Vs＝ V0＝ 0，所有的信號(hào)電壓都相對(duì)于地，那么上式進(jìn)一步簡(jiǎn)化為 0
教學(xué)課件相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1