eda競賽培訓提綱許軍-文庫吧資料
2025-01-16 12:08本頁面
【正文】 原理分析： 直接耦合場效應晶體管邏輯（ DirectCoupled FET Logic），圖中所示為一個具有兩個輸入端的或非門電路。EDA競賽培訓提綱 ―― 新器件與工藝部分 第一部分：集成電路制造工藝流程 第二部分：新型器件結構與制造技術 第三部分：新材料、新結構和新原理在 小尺寸器件中的應用簡介 第一部分：集成電路制造工藝流程 1. 典型的雙極型集成電路工藝流程簡介； 2. CMOS集成電路工藝流程簡介 ； 3. 雙極型與 CMOS相兼容的集成電路工藝流程（ BiCMOS）簡介； 4. 集成電路版圖設計中需要引起注意的若干問題 雙極型集成電路工藝流程簡介 兩種常用的器件隔離方式： PN結隔離與介質隔離 典型的雙極型集成電路工藝流程簡介 CMOS集成電路工藝流程簡介 三種常見的 CMOS結構 CMOS集成電路工藝流程簡介 E/DNMOS工藝流程示意圖 雙極型與 CMOS相兼容的集成電路工藝流程（ BiCMOS）簡介 SiBiCMOS， SiGeBiCMOS 集成電路版圖設計中需要引起注意的若干問題 （抑制 Latchup效應問題、輸入 /輸出的 ESD防護問題、天線效應問題等） 第二部分：新型器件結構與制造技術 1. 超高速與微波應用領域中的 GaAs器件結構與工藝技術； 2. 超高速與抗輻射應用領域中的 SOI器件結構與工藝技術； 3. 適用于超深亞微米 CMOS集成電路的 FinFET器件結構與工藝技術； 4. 適用于極低功耗 CMOS集成電路的動態(tài)
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