ldk單晶爐熱場ppt課件(參考版)
2024-12-11 02:48本頁面
【正文】 ③結(jié)晶界面處的縱向溫度梯度 適當?shù)拇?，從而形成必要的過冷度 ，使單晶有足夠的生長動力，不能太大，否則會產(chǎn)生結(jié)構(gòu)缺陷，而徑向溫度梯度要盡可能小，即 ，使結(jié)晶界面趨于平坦。 0SLdTdr ????????SLdTdr???????0SLdTdr ????????0SLdTdr ????????SLdTdr???????0SLdTdr ????????SLdTdr???????? 總之， 合理的熱場的溫度分布需要滿足以下條件： ①晶體中縱向溫度梯度 足夠大，但不能過大，保證晶體生長中有 足夠散熱能力，帶走結(jié)晶潛熱。這說明生長界面的徑向溫度梯度 由等于 0變成 0，而且負值越來越小。 晶體生正過程中 變化情況 SLdTdr ???????SLdTdr ???????三、熱場的溫度梯度 ? 單晶硅最初等直徑生長時，生長界面的徑向溫度梯度是正數(shù)，即 隨著單晶不斷生長，結(jié)晶界面由凸向熔體逐漸變平，生長界面的徑向 溫度梯度 逐漸等于 0。 0LdTdy???????LdTdy??????LdTdy??????LdTdy??????三、熱場的溫度梯度 ? 熱場的徑向溫度梯度，包括晶體 、熔體 、固液交界面 三種晶向溫度梯度。單晶硅生長不穩(wěn)定。即 ①溫度梯度 較大 時：離開液面越遠，溫度越高，即使有較小的溫度降低，生長界面以下熔體溫度高于結(jié)晶溫度，不會使局部生長較快，生長界面較平坦，晶體生正是穩(wěn)定的。 總之，晶體的縱向溫度梯度要足夠大，但不能過大。 ② 如果 較小 ：晶體生長產(chǎn)生的結(jié)晶潛熱不能及時散掉，單晶硅溫 度增高，結(jié)晶界面溫度隨著增高，熔體表面的過冷度減少，單晶硅的 正常生長就會受到影響。 這是兩種完全不同的溫度分布，但是最能影響結(jié)晶狀 態(tài)的生長界面處的溫度梯度 。 溫度梯度也有兩種： 晶體中的縱向溫度梯度 和徑向溫度梯度 。 三、熱場的溫度梯度 dTdy 然后沿著軸線上某點沿著徑向測量，發(fā)現(xiàn)溫度是逐漸上升的， 加熱器中心溫度最低 ，加熱器溫度 最高 ，成拋物線變化，它的變化率稱為 徑向溫度梯度 ，用 表示。 dTdr1212TTTr r r?? ???三、熱場的溫度梯度 顯
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