ldk單晶爐熱場ppt課件-資料下載頁
2024-12-08 02:48本頁面
【正文】 決定，一般來說，中心溫度高高，晶體邊緣溫度低，即 ②熔體的徑向溫度梯度 主要是靠四周的加熱器決定的，所以中心溫 度低， 靠近坩堝處溫度高，徑向溫度梯度總是正數，即 SdTdr?????? LdTdr?????? SLdTdr ???????SdTdr??????LdTdr??????三、熱場的溫度梯度 ③ 在晶體生長過程中，結晶界面處的徑向溫度梯度 是變 化的，將晶體縱剖，作結晶界面顯示，如下圖所示。 晶體生正過程中 變化情況 SLdTdr ???????SLdTdr ???????三、熱場的溫度梯度 ? 單晶硅最初等直徑生長時，生長界面的徑向溫度梯度是正數，即 隨著單晶不斷生長，結晶界面由凸向熔體逐漸變平，生長界面的徑向 溫度梯度 逐漸等于 0。一般來說，單晶硅中部結晶界面平坦， 單晶逐漸生長到尾部，生長界面由平逐漸凹向熔體，越接近單晶尾部 ，生長界面越凹。這說明生長界面的徑向溫度梯度 由等于 0變成 0，而且負值越來越小。 ? 在坩堝里整個熔硅表面，由于熔硅傳熱，單晶硅散熱和結晶放出結晶潛熱，單晶生長時，最初可近似認為熔硅表面徑向溫度梯度 ， 生長到單晶中部時，近似可看作 ，單晶硅尾部生長時， 由小于 0轉為大于 0。 0SLdTdr ????????SLdTdr???????0SLdTdr ????????0SLdTdr ????????SLdTdr???????0SLdTdr ????????SLdTdr???????? 總之， 合理的熱場的溫度分布需要滿足以下條件： ①晶體中縱向溫度梯度 足夠大，但不能過大，保證晶體生長中有 足夠散熱能力，帶走結晶潛熱。 ②熔體中的縱向溫度梯度 比較大，保證熔體內不產生新的晶核， 但是，過大容易產生位錯，造成斷苞。 ③結晶界面處的縱向溫度梯度 適當的大，從而形成必要的過冷度 ，使單晶有足夠的生長動力，不能太大，否則會產生結構缺陷，而徑向溫度梯度要盡可能小，即 ，使結晶界面趨于平坦。 SdTdy??????LdTdy??????SLdTdy???????0SLdTdr???????
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