熱載流子效應(yīng)ppt課件-資料下載頁
2025-05-01 12:07本頁面
【正文】 壽命 1。 從熱載流子注入引起陷阱密度的增加 , 可以得到器件估計器件在熱載流子作用下的壽命 . ? = H ? W H 是與氧化層生長工藝有關(guān)的參數(shù) . 2。 在電路可靠性模擬中 , 采用的熱載流子的退化 , 模型 , 其命 ? ? = HW ISUB－ m/ IDm1 微電子器件的可靠性 復旦大學材料科學系 22 NMOS器件熱載流子效應(yīng)的可靠壽命 3。 美國 JEDEC發(fā)布的 JFP122a 中中位壽命 TF TF＝ B IsubN exp(Ea/KT) B 與摻雜分布， sidewall spacing尺寸等有關(guān)的常數(shù)。 Isub =加應(yīng)力的 襯底峰值電流 , N = 2 to 4 Ea = eV to eV 注意 ！ 這是負值 微電子器件的可靠性 復旦大學材料科學系 23 PMOS器件的熱載流子效應(yīng) 一般情況下 ， 熱載流子對 PMOS器件的影響較NMOS FET要弱得多 。 而在亞微米 PMOS FET中 ， 熱載流子效應(yīng)引起人們的注意 。 PMOS FET 的熱載流子效應(yīng)表現(xiàn)在三個方面： 熱電子引起的穿通效應(yīng) 氧化層正電荷效應(yīng) 熱空穴產(chǎn)生的界面態(tài) 。 微電子器件的可靠性 復旦大學材料科學系 24 PMOS中熱電子引起的穿通效應(yīng) 碰撞電離產(chǎn)生的熱電子，在柵電場作用下加速注入到靠近漏極的柵氧化層，在靠近漏極的柵氧化層中形成陷阱。由于這些陷落電子在靠近漏極處感應(yīng)了較多的空穴，類似于增加柵極電壓，所以，降低了溝道中的電場。 重要的是這些陷落電子 使靠近漏極的 N型 Si襯底 表面反型，使的有效溝 道襯底降低。 微電子器件的可靠性 復旦大學材料科學系 25 PMOS氧化層正電荷效應(yīng)和熱空穴產(chǎn)生的界面態(tài) 溝道長度 、 界面態(tài)和 氧化層電荷附近的閾值 電壓隨時間的變化曲線 a. 溝道長度的變化短路 b. 界面態(tài)的變化 c. 氧化層電荷附近的 閾值電壓
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