熱載流子效應ppt課件(編輯修改稿)
2025-05-28 12:07 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 引起的襯底電流 很大時 , 可使源與襯底之間 處于正向偏置狀態(tài) , 引起正 向注入 , 導致閂鎖效應 微電子器件的可靠性 復旦大學材料科學系 11 襯底電流模型 Isub＝ C1Id exp(Bi/Em) Isub＝ a Id (VdsVdsat)b (Ai/Bi) 其中 a, b為常數(shù) .Ai,Bi為碰撞離化系數(shù) ， a=?108－ ?105 Vdsat b = 襯底電流的另一種表示形式為： Isub = (VDSVdsat)ID exp(?106/?ymax) =(VDSVDSsat)IDexp(?106tox1/3rj1/3/(VDSVdsatt) 微電子器件的可靠性 復旦大學材料科學系 12 襯底電流模型 微電子器件的可靠性 復旦大學材料科學系 13 柵電流模型 NMOS 器件中 , 當柵 氧化層較薄時 (小于150A), 柵電流主要由溝道熱電子注入所引起的。 微電子器件的可靠性 復旦大學材料科學系 14 影響熱電子效應的參數(shù) 1. 溝道長度 L MOS FET的有效溝道長度 l和溝道中的最大場強 ?max。 ?max ＝ (VDSVDSsat)/l l ＝ ? 15nm l ＝ ?10－ 2tox1/8 rj1/3L1/5 tox ? 15nm, L? ?m, 式中 rj 源 、 漏的結(jié)深 ， tox 柵氧化層厚度 ， L是溝道長度 。 得到 ?max = (VDSVDSsat)/ ? 15nm ?max = (VDSVDSsat)/(?10－ 2tox1/8 rj1/3L1/5) tox ? 15nm, L? ?m 微電子器件的可靠性 復旦大學材料科學系 15 影響熱電子效應的參數(shù) 微電子器件的可靠性 復旦大學材料科學系 16 改進熱電子效應的工藝措施 減少氧化層界面的硅－氫鍵 由于熱電子所產(chǎn)生的陷阱與氧化層中已有的 硅－氫鍵的數(shù)量有關(guān) , 因而要減少柵氧化產(chǎn)生 的硅－氫鍵的數(shù)量
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