【導讀】本課程設計利用集成驅動電路實現(xiàn)絕緣柵雙極晶體管IGBT的驅動電路設計。要求為IGBT提供一定幅值的正反向柵極電壓GEU。驅動電路要具有隔離輸入、輸出信號的功能。具有過電壓保護和du/dt保護能力。具有完善的短路保護能力。撰寫課程設計說明書(論文)。絕緣柵雙極晶體管IGBT的額定電壓1200V,額定電流400A,最大開關頻率20kHz,驅動電壓+15V,關斷電壓-5V。同時,提出了針對這些不足在設計驅動電路時應當采取的幾種有效方法。(非穿通)型設計。備的DMOS平面柵結構,其設計規(guī)則從5微米先進到3微米。由于它要求對少數(shù)載流子壽命進行控制致使其輸運效率變壞。另一方面,非穿通。得“成本—性能”的綜合效果得到進一步改善。實現(xiàn),它采用了弱穿通芯片結構,又采用了更先進的寬元胞間距的設計。功能的IGBT器件的新概念正在進行研究,以求得進一步優(yōu)化。同時,IGBT的容量等級也在快速提升,單管電壓已6500V,無均。因此,根據(jù)IGBT的型號類型和。參數(shù)指標合理設計驅動電路對于充分發(fā)揮IGBT的性能是十分重要的。