【正文】 再結(jié)合這些問題設(shè)計(jì)了驅(qū)動(dòng)電路并對(duì)其進(jìn)行了優(yōu)化 。實(shí)在不懂的問題，可以和團(tuán)隊(duì)交流，再者上網(wǎng)查資料。這次的設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)，在以后的學(xué)習(xí)。除了文中特別加以標(biāo)注引用的內(nèi)容外，本論文不包含任何其他個(gè)人或集體已經(jīng)發(fā)表或撰寫的成果作品。 、圖表要求： 1）文字通順，語言流暢，書寫字跡工整，打印字體及大小符合要求，無錯(cuò)別字，不準(zhǔn)請他人代寫 2）工程設(shè)計(jì)類題目的圖紙，要求部分用尺規(guī)繪制，部分用計(jì)算機(jī)繪制，所有圖紙應(yīng)符合國家技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范。本人完全意識(shí)到本聲明的法律后果由本人承擔(dān)。也讓我懂得無論多么大的設(shè)計(jì)，都應(yīng)該分模塊去完成，才會(huì)把看似難題的東西解決掉。為了能夠使設(shè)計(jì)更加合理，對(duì)很多實(shí)際問題也進(jìn)行了比較深入的思考。 經(jīng)過十多天的電力電子課程設(shè)計(jì)讓我懂得了很多，也得到了很多的收獲，受益匪淺。 ②柵極過壓的處理 在柵射間并接入一個(gè)柵射電阻可以解決這個(gè)問題。當(dāng)降柵壓運(yùn)行一段時(shí)間后（一般是 10 ），如果電流恢復(fù)正常，可以再加上正常的柵壓。 經(jīng)過試驗(yàn)發(fā)現(xiàn)該電路在正常工作時(shí)，可以通過 EXB 841 的 3腳發(fā)出 +15V 和5V 電壓信號(hào)驅(qū)動(dòng) IGBT 開通和關(guān)斷，當(dāng) IGBT 發(fā)生過流時(shí)該電路能可靠地進(jìn)行軟關(guān)斷。針對(duì)負(fù)偏壓不足的問題，可以考慮提高負(fù)偏壓。以下結(jié)合設(shè)計(jì)的具體電路 進(jìn)行說明。同時(shí)還有較長的軟關(guān)斷時(shí)間，這就導(dǎo)致不可靠，使保護(hù)效果變差。 ② .存在保護(hù)盲區(qū)。若此時(shí)發(fā)生短路， IGBT 承受大電流而退飽和， uce上升很多，二極管 VD7截止，則 EXB 841的腳 6“懸空”， B點(diǎn)和 C 點(diǎn)電位開始由 8V上升；當(dāng)上升至 13V 時(shí)， Vz1被擊穿， 本科生課程設(shè)計(jì)（論文） 7 V3導(dǎo)通， C4通過 R7和 V3放電， E點(diǎn)電位逐步下降，二極管 VD6導(dǎo)通時(shí) D 點(diǎn)電位也逐步下降，使 EXB 841 的腳 3電位也逐步下降，緩慢關(guān)斷 IGBT。 EXB841 的 6腳通過快速恢復(fù)二極管接至 IGBT 的 C極，檢測 IGBT 的集射之間的通態(tài)電壓降的高低來判斷 IGBT 的過流情況加以保護(hù) 。驅(qū)動(dòng)電路的軟關(guān)斷過程不應(yīng)隨輸入信號(hào)的消失而受到影響。 IGBT 驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)要求 (1).動(dòng)態(tài)驅(qū)動(dòng)能力強(qiáng)，能為 IGBT 柵極提供具有陡峭前后沿的驅(qū)動(dòng)脈沖。因此，在使用 IGBT 時(shí)，最重要的工作就是要設(shè)計(jì)好驅(qū)動(dòng)與保護(hù) 電路。 應(yīng)用場合 : 隨著電力電子技術(shù)朝著大功率、高頻化、模塊化發(fā)展 ,絕緣柵雙極晶體管 (IGBT)已廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、變頻器、電機(jī)控制以及要求快速、低損耗的領(lǐng)域中。 IGBT 的驅(qū)動(dòng)電路是 IGBT 與控制電路之間的接口，它對(duì) IGBT 的正常運(yùn)行具有非常重要的影響。目前，包括一種 “ 反向阻斷型 ” （逆阻型）功能或一種 “ 反向?qū)ㄐ?” （逆導(dǎo)型）功能的 IGBT 器件的新概念正在進(jìn)行研究，以求得進(jìn)一步優(yōu)化。 90 年代中期，溝槽柵結(jié)構(gòu)又返回到一種新概念的 IGBT，它是采用從大規(guī)模集成（ LSI）工藝借鑒來的硅干法刻蝕技術(shù)實(shí)現(xiàn)的新刻蝕工藝，但仍然是穿通（ PT）型芯片結(jié)構(gòu)。 技術(shù)參數(shù)： 絕緣柵雙極晶體管 IGBT 的額定電壓 1200V，額定電流 400A，最大開關(guān)頻率 20kHz，驅(qū)動(dòng)電壓 +15V，關(guān)斷電壓 5V。 電力電子技術(shù) 課程設(shè)計(jì)（論文） 題目： 基于集成驅(qū)動(dòng)電路的 IGBT驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì) 本科生課程設(shè)計(jì)（論文） I 課程設(shè)計(jì)（論文）任務(wù)及評(píng)語 院（系）：電氣工程學(xué)院 教研室：自動(dòng)化 注：成績：平時(shí) 20% 論文質(zhì)量 60% 答辯 20% 以百分制計(jì)算 學(xué) 號(hào) 學(xué)生姓名 專業(yè)班級(jí) 自動(dòng)化 124 課程設(shè)計(jì)（論文）題目 基于集成驅(qū)動(dòng)電路的 IGBT 驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì) 課程設(shè)計(jì)（論文）任務(wù) 課題完成的功能： 本課程設(shè)計(jì)利用 集成驅(qū)動(dòng)電路 實(shí)現(xiàn) 絕緣柵雙極晶體管 IGBT 的驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì) 。 （ 7）撰寫課程設(shè)計(jì)說明書（論文）。幾年當(dāng)中，這種在采用 PT 設(shè)計(jì)的外延片上制備的 DMOS 平面柵結(jié)構(gòu)，其設(shè)計(jì)規(guī)則從 5微米先進(jìn)到 3微米。 1996 年， CSTBT（載流子儲(chǔ)存的溝槽柵雙極晶體管）使第 5代 IGBT 模塊得以實(shí)現(xiàn)，它采用了弱穿通（ LPT）芯片結(jié)構(gòu)，又采用了更先進(jìn)的 寬元胞間距的設(shè)計(jì)。當(dāng)選擇這些驅(qū)動(dòng)電路時(shí)，必須基于以下因素進(jìn)行：器件關(guān)斷偏置的要求、柵極電荷的要求、耐固性的要求等。能夠較全面地鞏固和應(yīng)用“ 電力電子技術(shù) ”課程中所學(xué)的基本理論和基本方法，并初步掌握 利用 IGBT 設(shè)計(jì)的基本方法。但是 IGBT 的門極驅(qū)動(dòng)電路影響 IGBT 的通態(tài)壓降、開關(guān)時(shí)間、開關(guān)損耗、承受短路電流能力及 等參數(shù)，決定了 IGBT 的靜態(tài)與動(dòng)態(tài)特性。特別是用作高頻開關(guān)時(shí)，由于開關(guān)損耗增大，發(fā)熱加劇，選用時(shí)應(yīng)該降溫等使用。 (4).當(dāng) IGBT 處于負(fù)載短路或過流狀態(tài)時(shí)，能在 IGBT 允許時(shí)間內(nèi)通過逐漸降低柵壓自動(dòng)抑制故障電流，實(shí)現(xiàn) IGBT 的軟關(guān)斷。短路過流保護(hù)部分由 V1,V3,V6,VZ1和C2,R3,R4,R5,R6,C3,R7,R8,C4等組成，實(shí)現(xiàn)過流檢測和延時(shí)保護(hù)功能。 (3). 保護(hù)動(dòng)作 IGBT 已正常導(dǎo)通，則 V1和 V2截止， V4導(dǎo)通， V5截止， B點(diǎn)和 C點(diǎn)電位穩(wěn)定在8V 左右， VZ1不被擊穿， V3截止， E 點(diǎn)電位保持為 20V，二極管 VD6截止。IGBT 已嚴(yán)重過流，對(duì)應(yīng)電流約為額定電流的 2～ 3倍，因此，應(yīng)降低 Uceo。因?yàn)榇嬖诿^(qū)時(shí)間。 (2). 改進(jìn)措施 針對(duì)以上不足，可以考慮采取一些有效的措施，從而解決以上問題。針對(duì) EXB 841 軟關(guān)斷保護(hù)不可靠的問題，可以在 EXB 841 的 5腳和 4腳間接一個(gè)可變電阻 ,4 腳和地之間接一個(gè)電容，都是用來調(diào)節(jié)關(guān)斷時(shí)間，保證軟關(guān)斷的可靠性。該電路解決了 EXB 841 存在的過電流保護(hù)無自鎖功能這一問題。這樣一方面可以保護(hù)器件，另一方面如果確定是短路需要關(guān)閉器件時(shí)，不用在相當(dāng)大電流的基礎(chǔ)上執(zhí)行關(guān)斷，反而引入 di/dt 的問題。該電流與 Rg 作用，如果 Rg值偏大，使 Vge 超過 IGBT 開通門限電壓值，器件就會(huì)被誤觸發(fā)導(dǎo)通。 經(jīng)實(shí)際電路試驗(yàn)證明 ， 所設(shè)計(jì)的電路完全可以對(duì) IGBT 進(jìn)行有效的驅(qū)動(dòng) 、 控制和過電流保護(hù) 。也正因此，我對(duì) IGBT 驅(qū)動(dòng)電 路有了更深的認(rèn)識(shí)和了解，同時(shí)，也加強(qiáng)了自己的文件檢索能力，特別是如何利用互聯(lián)網(wǎng)檢 k 索需要的文獻(xiàn)資料。設(shè)計(jì)中提供了基礎(chǔ)。對(duì)本文的研究做出重要貢獻(xiàn)的個(gè)人和集體，均已在文中以明確方式標(biāo)明。圖表整潔，布局合理，文字注釋必須使用工程字書寫，不準(zhǔn)用徒手畫 3）畢業(yè)論文須用 A4 單面打印，論文 50 頁以上的雙面打印 4）圖表應(yīng)繪制于無格子的頁面上 5）軟件工程類課題應(yīng)有程序清單，并提供電子文檔 本科生課程設(shè)計(jì)（論文） 19 1）設(shè)計(jì)（論文） 2）附件：按照任務(wù)書、開題報(bào)告、外文譯文、譯文原文（復(fù)印件）次序裝訂