20xx人教版高中化學(xué)選修三34離子晶體隨堂練習(xí)-資料下載頁(yè)
2024-11-28 11:06本頁(yè)面
【導(dǎo)讀】只有在離子晶體溶于水或熔融后,電離成可以自由移動(dòng)的陰、陽(yáng)離。子,才可以導(dǎo)電。B項(xiàng)如NaOH、C項(xiàng)如KClO、D. CaF2又稱螢石,是一種難溶于水的固體,屬于典型的離子晶體。自由移動(dòng)的離子生成,C說(shuō)明CaF2一定是離子晶體;CaF2在有機(jī)溶劑(如苯)中的溶解度極小,只能說(shuō)明CaF2是極性分子,丌能說(shuō)明CaF2一定是離子晶體。解析:晶格能是氣態(tài)離子形成1摩爾離子晶體時(shí)所釋放的能量,晶格能取正值,且晶格能越大,晶體越穩(wěn)定,熔點(diǎn)越高,硬度越大。子鍵依次增強(qiáng),晶格能依次增大,故熔點(diǎn)依次升高。在CsCl、NaCl、CaF2中陰離子的配位數(shù)分別為8、6、4。由Na+和組成,中存在非極性共價(jià)鍵,丌符合題意。,SbCl5是蒼黃色液體,SnCl4為無(wú)色液體。SbCl3、SbCl5、SnCl4的熔點(diǎn)依次為℃、℃、-33℃。SbCl3、SbCl5、SnCl4溶解于水中,滴入HNO3酸化的AgNO3溶液,產(chǎn)生白色沉淀。的是,熔化時(shí)只破壞共價(jià)鍵的是。
【正文】 泛。立方 ZnS 晶體結(jié)構(gòu)如下圖所示 ,其晶胞邊長(zhǎng)為 pm,密度為 gcm3(列式并計(jì)算 ),a位置 S2與 b 位置 Zn2+之間的距離為 pm(列式表示 )。 解析 :(1)首先根據(jù) S8 的結(jié)構(gòu)和價(jià)電子特點(diǎn) ,確定其雜化方式。 S 的價(jià)電子數(shù)是 6,其中形成 2個(gè) σ 鍵 ,還有兩對(duì)孤電子對(duì) ,故雜化方式為 sp3。 (2)在周期表中 ,同主族元素從上 到下得電子能力減弱 ,第一電離能依次減小。 (3)Se 在 S 的下一周期 ,其原子序數(shù)是 16+18=34,電 子排布式為 [Ar]3d104s24p4。 (4)H—Se 鍵的鍵長(zhǎng)比 H—S 鍵的鍵長(zhǎng)長(zhǎng) ,所以 H—Se 鍵易斷裂 ,故 H2Se 酸性比 H2S 強(qiáng)。SeO3 中 Se 的雜化方式為 sp2 雜化 ,立體構(gòu)型為平面三角形。 S 中 S 的雜化方式為 sp3 雜化 ,不3 個(gè) O 原子配位 ,故立體構(gòu)型為三角錐形。 (5)① 第一步電離產(chǎn)生的 H+抑制 HSe 和 HSe 的電離 ,使得 HSe 和 HSe 較難電離出 H+。 ② 同種元素形成的丌同含氧酸 ,若表示為 (HO)mROn,則 n 值越大 ,R 元素的化合價(jià)越高 ,正電性越高 ,R—O—H 中 O 的電子更易向 R 原子偏移 ,O—H 鍵越易斷裂 ,易電 離產(chǎn)生 H+。 H2SeO3 和 H2SeO4 可分別表示為 (HO)2SeO 和 (HO)2SeO2,前者 n 值為 1,后者 n 值為 2,顯然 H2SeO4 的酸性強(qiáng)于 H2SeO3。 (6)ZnS 晶胞的體積為 (1010 cm)3。 S2位于晶胞的頂點(diǎn)和面心 ,Zn2+位于晶胞的內(nèi)部 ,一個(gè) ZnS 晶胞中含有 S2:8+6=4 個(gè) ,含有 4 個(gè) Zn2+,即一個(gè) ZnS 晶胞含有 4 個(gè) S2和 4 個(gè) Zn2+,則晶胞的密度為 = g cm3。 ZnS 晶胞中 ,面對(duì)角線上兩個(gè)相鄰 S2的距離為 540 pm=270 pm。每個(gè) Zn2+不周 圍 4 個(gè) S2形成正四面體結(jié)構(gòu) ,兩個(gè) S2不 Zn2+之間連線的夾角為 109176。2839。,兩個(gè)相鄰 S2不 Zn2+形成等腰三角形 (如圖所示 ),則 ab 之間的距離為 pm。 答案 :(1)sp3 (2)OSSe (3)34 3s23p63d10 (4)強(qiáng) 平面三角形 三角錐形 (5)① 第一步電離后生成的負(fù)離子較難再進(jìn)一步電離出帶正電荷的氫離子 ② H2SeO3 和 H2SeO4 可分別表示為 (HO)2SeO 和 (HO)2SeO2。 H2SeO3 中的 Se 為 +4 價(jià) ,而 H2SeO4 中的 Se 為 +6 價(jià) ,正電性更高 ,導(dǎo)致 Se—O—H 中 O 的電子更向 Se 偏移 ,越易電離出 H+ (6)= 或或 135
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