【正文】 片表面質(zhì)量 B TIR：硅片表面平坦度與參考平面最高到最低的距離。控制在 2um以下（光刻對(duì)焦要求） 拋光硅片表面質(zhì)量 C FPD： 硅片表面一點(diǎn)與參考平面之間的最大距離 拋光硅片表面質(zhì)量 D： 平整度（ DP） DP（％）＝（ 1－ SHpost/ SHpre ） 100％ SHpost＝ CMP之后在硅片表面的一個(gè)特殊位置最高和最低臺(tái)階的高度差 SHpre＝ CMP之前在硅片表面的一個(gè)特殊位置最高和最低臺(tái)階的高度差 注意：平整度與均勻性概念的區(qū)別，平整度為局部概念。 Wafer Measurements for Degree of Planarization SiO2 Substrate Min Max SHpre Min Max SHpost Postpolish measurement Prepolish measurement SiO2 Figure Positive deviation Negative deviation Vacuum chuck Wafer Reference plane Wafer Deformation Figure CMP參數(shù)小結(jié) 1. 拋光時(shí)間：影響磨掉材料的數(shù)量、平整性 2. 磨頭壓力（向下壓力）：影響拋光速率、平坦化和非均勻性 3. 轉(zhuǎn)盤速率；影響拋光速率、非均勻性 4. 磨頭速度：影響非均勻性 5. 磨料化學(xué)成分；材料選擇比（同時(shí)磨掉幾種材料）、拋光速率 6. 磨料流速：影響拋光墊上的磨料數(shù)量和設(shè)備的潤(rùn)滑性能 7. 拋光墊修整：影響拋光速率、非均勻性、 CMP工藝的穩(wěn)定性 8. 硅片 /磨料溫度：影響拋光速率 9. 硅片背壓：影響非均勻性（中央變慢）、碎片 CMP后清洗 CMP清洗重點(diǎn)是去除拋光工藝中帶來的磨料顆粒、被拋光材料帶來的顆粒及磨料中帶來的化學(xué)沾污物。顆粒被機(jī)械性地嵌入硅片表面，或由于靜電力 或原子力而物理粘附在被拋光的硅片表面。 CMP后清洗設(shè)備：毛刷洗擦、酸性噴淋清洗、兆聲波清洗、旋轉(zhuǎn)清洗干燥設(shè)備 溶劑： DI水、稀釋的氫氧化銨 NH4OH（附在毛刷上）。 硅片的清洗 名稱 配方 使用條件 作用 備注 Ⅰ 號(hào)洗液 NH4OH:H2O2:H2O =1:1:5→1:2:7 80177。 5℃ 10min 去油脂 去光刻膠殘膜 去金屬離子 去金屬原子 去重離子 Ⅱ 號(hào)洗液 HCl:H2O2:H2O =1:1:6→1:2:8 80177。 5℃ 10min 去金屬離子 去金屬原子 去一般金屬離子， K,Na等 Ⅲ 號(hào)洗液 H2SO4:H2O2 =3:1 120177。 10℃ 10∽ 15min 去油、去光刻膠、去臘 去金屬離子 去金屬原子 硅片的清洗 配制 1液：先倒入 6份的 DI水，再倒入 1份的氨水，最后倒入1份的雙氧水 作用： H2O2使臘氧化，使光刻膠氧化；氨水與重離子形成溶于水的絡(luò)合物，與油脂發(fā)生皂化反應(yīng)。 配制 2液：先倒入 6份的 DI水，再倒入 1份的鹽酸，最后倒入1份的雙氧水 作用：鹽酸與含 Na的鹽反應(yīng)，除去 Na離子 配制 3液：先倒入 H2O2,再將 99％濃硫酸倒入雙氧水中，會(huì)發(fā)生劇烈放熱反應(yīng)，使用及配制時(shí)需特別小心 作用：使光刻膠氧化（碳化） 當(dāng)前硅圓片的典型規(guī)格 1. 清潔度（顆粒 /cm2） 2. 氧濃度（ cm－ 3） 3. 碳濃度（ cm－ 3） 4. 金屬沾污（ ppb十億分之一） 5. 原生位錯(cuò)（ cm－ 2） 6. 氧誘生堆垛層錯(cuò)（ cm－ 3） 3 7. 直徑、厚度、翹曲、平行度、 8. 電阻率、載流子濃度、遷移率、腐蝕坑密度 ? 靜夜四無鄰，荒居舊業(yè)貧。 , January 24, 2023 ? 雨中黃葉樹，燈下白頭人。 02:45:2502:45:2502:451/24/2023 2:45:25 AM ? 1以我獨(dú)沈久，愧君相見頻。 :45:2502:45Jan2324Jan23 ? 1故人江海別，幾度隔山川。 02:45:2502:45:2502:45Tuesday, January 24, 2023 ? 1乍見翻疑夢(mèng)，相悲各問年。 :45:2502:45:25January 24, 2023 ? 1他鄉(xiāng)生白發(fā)，舊國(guó)見青山。 2023年 1月 24日星期二 上午 2時(shí) 45分 25秒 02:45: ? 1比不了得就不比，得不到的就不要。 。 2023年 1月 上午 2時(shí) 45分 :45January 24, 2023 ? 1行動(dòng)出成果，工作出財(cái)富。 2023年 1月 24日星期二 2時(shí) 45分 25秒 02:45:2524 January 2023 ? 1做前，能夠環(huán)視四周；做時(shí)，你只能或者最好沿著以腳為起點(diǎn)的射線向前。 上午 2時(shí) 45分 25秒 上午 2時(shí) 45分 02:45: ? 沒有失敗，只有暫時(shí)停止成功！。 , January 24, 2023 ? 很多事情努力了未必有結(jié)果，但是不努力卻什么改變也沒有。 02:45:2502:45:2502:451/24/2023 2:45:25 AM ? 1成功就是日復(fù)一日那一點(diǎn)點(diǎn)小小努力的積累。 :45:2502:45Jan2324Jan23 ? 1世間成事，不求其絕對(duì)圓滿，留一份不足，可得無限完美。 02:45:2502:45:2502:45Tuesday, January 24, 2023 ? 1不知香積寺，數(shù)里入云峰。 :45:2502:45:25January 24, 2023 ? 1意志堅(jiān)強(qiáng)的人能把世界放在手中像泥塊一樣任意揉捏。 2023年 1月 24日星期二 上午 2時(shí) 45分 25秒 02:45: ? 1楚塞三湘接，荊門九派通。 。 2023年 1月 上午 2時(shí) 45分 :45January 24, 2023 ? 1少年十五二十時(shí)，步行奪得胡馬騎。 2023年 1月 24日星期二 2時(shí) 45分 25秒 02:45:2524 January 2023 ? 1空山新雨后，天氣晚來秋。 上午 2時(shí) 45分 25秒 上午 2時(shí) 45分 02:45: ? 楊柳散和風(fēng)，青山澹吾慮。 , January 24, 2023 ? 閱讀一切好書如同和過去最杰出的人談話。 02:45:2502:45:2502:451/24/2023 2:45:25 AM ? 1越是沒有本領(lǐng)的就越加自命不凡。 :45:2502:45Jan2324Jan23 ? 1越是無能的人，越喜歡挑剔別人的錯(cuò)兒。 02:45:2502:45:2502:45Tuesday, January 24, 2023 ? 1知人者智，自知者明。勝人者有力，自勝者強(qiáng)。 :45:2502:45:25January 24, 2023 ? 1意志堅(jiān)強(qiáng)的人能把世界放在手中像泥塊一樣任意揉捏。 2023年 1月 24日星期二 上午 2時(shí) 45分 25秒 02:45: ? 1最具挑戰(zhàn)性的挑戰(zhàn)莫過于提升自我。 2023年 1月 上午 2時(shí) 45分 :45January 24, 2023 ? 1業(yè)余生活要有意義，不要越軌。 2023年 1月 24日星期二 2時(shí) 45分 25秒 02:45:2524 January 2023 ? 1一個(gè)人即使已登上頂峰，也仍要自強(qiáng)不息。 上午 2時(shí) 45分 25秒 上午 2時(shí) 45分 02:45: MOMODA POWERPOINT Lorem ipsum dolor sit amet, consectetur adipiscing elit. Fusce id urna blandit, eleifend nulla ac, fringilla purus. Nulla iaculis tempor felis ut cursus. 感 謝 您 的 下 載 觀 看 專家告訴