【總結(jié)】第三章:熱氧化技術(shù)?.二氧化硅及其在器件中的應(yīng)用–.1.SiO2的結(jié)構(gòu)和基本性質(zhì)–1)結(jié)構(gòu):結(jié)晶形二氧化硅(石英晶體)(2.65g/cm3)無定形(非晶)二氧化硅(石英玻璃)(2.20g/cm3
2024-12-08 11:23
【總結(jié)】3晶體結(jié)構(gòu)晶體的特征空間點陣與晶胞晶系與布喇菲點陣典型的晶體結(jié)構(gòu)晶向與晶向指數(shù)晶面與晶面指數(shù)三種典型晶體結(jié)構(gòu)的比較原子體密度、面密度和線密度多晶形性與同素異構(gòu)轉(zhuǎn)變多晶與單晶材料微晶、準(zhǔn)晶與液晶合金相結(jié)構(gòu)晶體缺陷非晶態(tài)合金用X射線衍射法
2024-12-29 14:51
【總結(jié)】1集成電路工藝信息學(xué)院電子科學(xué)與技術(shù)2?參考書:?.Chang,.Sze,“ULSITechnology”?王陽元等,“集成電路工藝原理”?M.Quirk,J.Serda,“半導(dǎo)體制造技術(shù)”?成績計算:?平時成績(出勤、作業(yè)、小測驗)20%+期終考試
2025-01-08 13:07
【總結(jié)】2023/1/281第3章IC制造工藝外延生長掩膜制作光刻原理與流程氧化淀積與刻蝕摻雜原理與工藝?關(guān)心每一步工藝對器件性能的影響,讀懂PDK,挖掘工藝潛力。2023/1/282外延生長(Epitaxy)外延生長的目的n半導(dǎo)體工藝流程中的基
2025-01-08 12:24
2025-01-08 13:39
【總結(jié)】電子科技大學(xué)中山學(xué)院Chap4離子注入?核碰撞和電子碰撞?注入離子在無定形靶中的分布?注入損傷?熱退火電子科技大學(xué)中山學(xué)院離子注入?離子注入是一種將帶電的且具有能量的粒子注入襯底硅的過程,注入能量介于1KeV到1MeV之間,注入深度平均可達(dá)10nm~10um。離子劑量變動范圍,從用于閾值電壓調(diào)
2025-01-08 13:40
【總結(jié)】集成電路工藝原理第四章光刻原理(上)1/34集成電路工藝原理仇志軍邯鄲校區(qū)物理樓435室集成電路工藝原理第四章光刻原理(上)2/34凈化的三個層次:上節(jié)課主要內(nèi)容凈化級別高效凈化凈化的必要性器件:少子壽命?,VT改變,Ion?Ioff?,柵
2025-07-23 00:26
【總結(jié)】第五章:快速熱處理技術(shù)RapidThermalProcessing–目的:注入離子的電激活氧化層缺陷和界面態(tài)的消除消除缺陷和應(yīng)力金屬化(金屬硅化反應(yīng))玻璃介質(zhì)(磷、硼硅玻璃)的熔流覆蓋層的固化表面的平坦化上述的熱處理,多數(shù)屬于后工序。因而,低溫
2024-10-16 19:51
【總結(jié)】半導(dǎo)體半導(dǎo)體集成電路集成電路2.雙極集成電路中元件結(jié)構(gòu)雙極集成電路中元件結(jié)構(gòu)2023/1/28pn+n-epin+P-Sin+-BLCBESP+P+雙極集成電路的基本工藝雙極集成電路的基本工藝2023/1/28P-SiTepiCBEpn+n-epin+P-SiP+P+Sn+-BLTepiA
2025-01-06 18:37
【總結(jié)】半導(dǎo)體制造工藝流程半導(dǎo)體相關(guān)知識?本征材料:純硅9-10個9?N型硅:摻入V族元素磷P、砷As、銻Sb?P型硅:摻入III族元素—鎵Ga、硼B(yǎng)?PN結(jié):NP------+++++半導(dǎo)體元件制造過程可分為
2025-01-06 18:46
【總結(jié)】CMOS集成電路設(shè)計基礎(chǔ)-數(shù)字集成電路基礎(chǔ)對邏輯門的基本要求1)魯棒性(用靜態(tài)或穩(wěn)態(tài)行為來表示)靜態(tài)特性常常用電壓傳輸特性(VTC)來表示即輸出與輸入的關(guān)系),傳輸特性上具有一些重要的特征點。邏輯門的功能會因制造過程的差異而偏離設(shè)計的期望值。(2)噪聲容限:芯片內(nèi)外的噪聲會使電路的響應(yīng)偏離設(shè)計的期望值(電感、電容耦合,電源
2025-07-15 18:10
【總結(jié)】復(fù)習(xí)1.高溫氧化工藝硅的熱氧化硅的熱氧化是指在高溫下,硅片表面同氧氣或水進(jìn)行反應(yīng),生成SiO2。硅的熱氧化有:干氧、濕氧、水汽氧化三種。如果氧化前已存在厚度為t0的氧化層,則(3-11)微分方程的解為:(tOX:是總的氧化層厚度)??????tBAttO
2025-01-06 18:43
【總結(jié)】集成電路工藝技術(shù)講座第五講離子注入Ionimplantation引言?半導(dǎo)體工藝中應(yīng)用的離子注入是將高能量的雜質(zhì)離子導(dǎo)入到半導(dǎo)體晶體,以改變半導(dǎo)體,尤其是表面層的電學(xué)性質(zhì).?注入一般在50-500kev能量下進(jìn)行離子注入的優(yōu)點?注入雜質(zhì)不受材料溶解度,擴散系數(shù),化學(xué)結(jié)合力的限制,原則上對各種材料都可摻雜?可精確控制能量和劑量,從而精確控
2025-01-06 18:45
【總結(jié)】SemiconductorMaterialsBasicPrincipleofICPlanarProcessing半導(dǎo)體材料和集成電路平面工藝基礎(chǔ)?References:(Materials)3.材料科學(xué)與技術(shù)叢書—半導(dǎo)體工藝,K.A.杰克遜等主編,(科學(xué)出版社,1999)Process
2025-03-01 04:35
【總結(jié)】第6章CMOS集成電路制造工藝第6章CMOS集成電路制造工藝?CMOS工藝?CMOS版圖設(shè)計?封裝技術(shù)3木版年畫?畫稿?刻版?套色印刷4半導(dǎo)體芯片制作過程5硅片(wafer)的制作6掩模版(mask,reticle)的制作7外延襯底的制作8集成電路加工的基本操作?1、形成薄膜
2025-02-09 20:38