第一章材料的電學-資料下載頁
2025-09-30 15:26本頁面
【正文】 表示損耗，稱為損耗因子，是表示電介質損耗的特征參數(shù)，其中 ? 為電導率。在實際應用中，通常用損耗角正切表示電介質在交變電場下的損耗， 0???? ?r39。ta nrr??? ?4. 材料的介電性 電介質的物理參數(shù) 三、介電弛豫 弛豫過程：一個宏觀系統(tǒng)由于周圍環(huán)境的變化或受到外界的作用而變?yōu)榉菬崞胶鉅顟B(tài) ， 這個系統(tǒng)再從非平衡狀態(tài)過渡到新的熱平衡態(tài)的整個過程就稱為弛豫過程 。 弛豫過程實質上是系統(tǒng)中微觀粒子由于相互作用而交換能量 ， 最后達到穩(wěn)定分布的過程 。 弛豫過程的宏觀規(guī)律決定于系統(tǒng)中微觀粒子相互作用的性質 。 因此 ， 研究弛豫現(xiàn)象是獲得這些相互作用的信息的最有效途徑之一 。 4. 材料的介電性 電介質的物理參數(shù) 四、介電損耗 ? 電介質在電場作用下的往往會發(fā)生電能轉變?yōu)槠渌问降哪埽ㄈ鐭崮埽┑那闆r，即發(fā)生電能的損耗。常 將電介質在電場作用下，單位時間消耗的電能叫介質損耗。 電介質在電場作用下的往往會發(fā)生電能轉變?yōu)槠渌问降哪埽ㄈ鐭崮埽┑那闆r，即發(fā)生電能的損耗。常 將電介質在電場作用下，單位時間消耗的電能叫介質損耗。 4. 材料的介電性 電介質的物理參數(shù) 4. 材料的介電性 電介質的擊穿 擊穿場強 —— 電介質所能承受的不被擊穿的最大場強。 擊穿電壓 —— 電介質（或電容器）擊穿時兩極板的電壓。 電介質的擊穿 一般外電場不太強時，電介質只被極化，不影響其絕緣性能。當其處在很強的外電場中時，電介質分子的正負電荷中心被拉開，甚至脫離約束而成為自由電荷，電介質變?yōu)閷щ姴牧稀?當施加在電介質上的電壓增大到一定值時，使電介質失去絕緣性的現(xiàn)象稱為 擊穿(breakdown)。 5. 材料的超導性 超導特性 什么是超導體 ？ 1. 零電阻 將超導體冷卻到某一臨界溫度 （ TC）以下時電阻突然降為零的現(xiàn)象稱為超導體的零電阻現(xiàn)象 。 不同超導體的臨界溫度各不相同 。 例如 ，汞的臨界溫度為 （ K為絕對溫度 ， 0K相當于零下 273℃ ） ， 而高溫超導體 YBCO的臨界溫度為 94K。 5. 材料的超導性 超導特性 2. 完全抗磁性 當超導體冷卻到臨界溫度以下而轉變?yōu)槌瑢B(tài)后 ， 只要周圍的外加磁場沒有強到破壞超導性的程度 ， 超導體就會把穿透到體內(nèi)的磁力線完全排斥出體外 ， 在超導體內(nèi)永遠保持磁感應強度為零 。超導體的這種特殊性質被稱為“ 邁斯納效應 ” 。 邁斯納效應與零電阻現(xiàn)象是超導體的兩個基本特性 ， 它們既互相獨立 ， 又密切聯(lián)系 。 5. 材料的超導性 超導特性 3. 超導態(tài)的臨界參數(shù) ? 溫度 （ TC） —— 超導體必須冷卻至某一臨界溫度以下才能保持其超導性 。 ?臨界電流密度 （ JC） —— 通過超導體的電流密度必須小于某一臨界電流密度才能保持超導體的超導性 。 ?臨界磁場 （ HC） —— 施加給超導體的磁場必須小于某一臨界磁場才能保持超導體的超導性 。 以上三個參數(shù)彼此關聯(lián) ， 其相互關系如右圖所示 。 5. 材料的超導性 超導體分類 目前已查明在常壓下具有超導電性的元素金屬有 32種（如右圖元素周期表中青色方框所示），而在高壓下或制成薄膜狀時具有超導電性的元素金屬有 14種（如右圖元素周期表中綠色方框所示）。 第 I類超導體 第 I類超導體主要包括一些在常溫下具有良好導電性的純金屬，如鋁、鋅、鎵、鎘、錫、銦等，該類超導體的溶點較低、質地較軟，亦被稱作 “ 軟超導體 ” 。其特征是由正常態(tài)過渡到超導態(tài)時沒有中間態(tài)，并且具有完全抗磁性。第 I類超導體由于其臨界電流密度和臨界磁場較低，因而沒有很好的實用價值。 5. 材料的超導性 超導體分類 5. 材料的超導性 超導體分類 第 II類超導體 除金屬元素釩 、 锝和鈮外 ， 第 II類超導體主要包括金屬化合物及其合金 。 第 II類超導體和第 I類超導體的區(qū)別主要在于： 1)第 II類超導體由正常態(tài)轉變?yōu)槌瑢B(tài)時有一個中間態(tài) （ 混合態(tài) ） 2)第 II類超導體的混合態(tài)中有磁通線存在 ， 而第 I類超導體沒有； 3)第 II類超導體比第 I類超導體有更 5. 材料的超導性 超導體分類 第 II類超導體根據(jù)其是否具有磁通釘扎中心而分為理想第 II類超導體和非理想第 II類超導體。 理想第 II類超導體的晶體結構比較完整，不存在磁通釘扎中心，并且當磁通線均勻排列時，在磁通線周圍的渦旋電流將彼此抵消，其體內(nèi)無電流通過，從而不具有高臨界電流密度。非理想第 II類超導體的晶體結構存在缺陷，并且存在磁通釘扎中心，其體內(nèi)的磁通線排列不均勻，體內(nèi)各處的渦旋電流不能完全抵消，出現(xiàn)體內(nèi)電流，從而具有高臨界電流密度。在實際上，真正適合于實際應用的超導材料是非理想第 II類超導體。 5. 材料的超導性 超導體分類
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