金屬的強(qiáng)化方法及機(jī)理-資料下載頁
2025-08-16 01:44本頁面
【正文】 經(jīng)固溶處理后的合金在室溫下放置或加熱到低于溶解度曲線的某一溫度保溫，合金將產(chǎn)生脫溶析出，即 B將以新相的形式從過飽和α 相中彌散析出，這個(gè)過程即是 時(shí)效 。通常將在室溫下放置產(chǎn)生的時(shí)效稱為 自然時(shí)效 ；將加熱到室溫以上某一溫度進(jìn)行的時(shí)效稱為 人工時(shí)效 。 隨著時(shí)效時(shí)間的延長，由于彌散新相的析出而使合金的強(qiáng)度、硬度升高，這種現(xiàn)象稱為 時(shí)效硬化 。時(shí)效硬化即脫溶沉淀引起的 沉淀硬化 。 ?繞過機(jī)制 ： 基體與中間相的界面上存在點(diǎn)陣畸 變和應(yīng)力場(chǎng)，成為位錯(cuò)滑動(dòng)的障礙?；瑒?dòng)位錯(cuò)遇 到這種障礙變得 彎曲 ， 隨切應(yīng)力加大，位錯(cuò)彎曲 程度加劇，并逐漸成為 環(huán)狀 。 由于兩個(gè)顆粒間的 位錯(cuò)線段符號(hào)相反，它們將 斷開 ， 形成包圍小顆 粒的 位錯(cuò)環(huán) 。 位錯(cuò)則越過顆粒繼續(xù)向前滑動(dòng)。隨 著位錯(cuò)不斷繞過第二相顆粒，顆粒周圍的位錯(cuò)環(huán) 數(shù)逐漸增加，對(duì)后來的位錯(cuò)造成更大的阻力。 位錯(cuò) → 切應(yīng)力 第二相顆粒 彌散強(qiáng)化機(jī)制 ?切過機(jī)制 ： 位錯(cuò)與顆粒之間的阻力較小時(shí)，直 接切過第二相顆粒，結(jié)果硬顆粒被切成上下兩部分，并在切割面上產(chǎn)生位移，顆粒與基體間的界 面面積增大，需要做功。并且，由于第二相與基 體結(jié)構(gòu)不同，位錯(cuò)掃過小顆粒必然引起局部原子 錯(cuò)排，這也會(huì)增加位錯(cuò)運(yùn)動(dòng)的阻力，從而使金屬 強(qiáng)化。 新的界面 新的界面 Mg17Al12 Mg3Sb2
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