磁記錄薄膜和光存儲薄膜-資料下載頁
2025-08-07 10:50本頁面
【正文】 儲薄膜還要求具有以下幾點： ? （ 1）合適的詞轉(zhuǎn)變溫度，從而既保證信息改寫所需要的激光功率不會過高，又要保證薄膜的磁化狀態(tài)具有足夠的穩(wěn)定性。 ? （ 2）較強的克爾磁光效應(yīng)，及材料磁化方向不同時，偏振光的偏振方向改變更大。 相變光存儲 假若激光照射功率不足以使薄膜區(qū)域熔化，但足以加熱其到晶化溫度以上的話，則激光照射區(qū)域?qū)l(fā)生凈化過程而轉(zhuǎn)變?yōu)榫B(tài)結(jié)構(gòu)。由于晶態(tài)與非晶態(tài)區(qū)域的光學(xué)特性不同，晶態(tài)區(qū)域?qū)獾姆瓷淠芰^強，透光性較差。因而依靠不同區(qū)域?qū)す馐姆瓷浠蛲干淠芰Φ淖兓?，就可以讀出被記錄的信息。 ? 對相變光存儲薄膜要求具有以下幾點： ? （ 1）適中的熔化功率密度。 ? （ 2）晶態(tài)和非晶態(tài)兩相間較高的光學(xué)性質(zhì)差。 ? （ 3）非晶態(tài)較高的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性。 ? （ 4）足夠短的再結(jié)晶加熱時間。 ? （ 5）足夠多的讀寫次數(shù)后性能不發(fā)生明顯退化。
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