磁記錄薄膜和光存儲薄膜(編輯修改稿)
2024-09-03 10:50 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 時材料的電阻率產(chǎn)生相應變化，利用此效應可制成磁頭。只讀不寫。靈敏度高，信號強度不受磁頭運動速度影響，不需感應線圈。利用它與薄膜技術結合，可有效減小體積。 磁性薄膜研究的重要進展之一是超高磁阻材料的發(fā)現(xiàn) ? 如右圖所示，由濺射方法制備的 FeCr多層膜材料顯出極高磁阻效應。這種巨磁阻效應的產(chǎn)生與鐵磁性的Fe成分層間的反鐵磁性耦合作用有關。 ? 目前，這類巨磁阻薄膜材料已被廣泛應用于硬磁盤讀寫磁頭技術。 磁性薄膜記錄介質(zhì)的飽和磁化強度較高，有利于降低介質(zhì)厚度，提高記錄密度和降低成本。 ? 平行記錄方式存在的一個問題是相鄰磁化區(qū)域的磁化矢量間存在著較強的相互作用，它限制了每個磁化區(qū)域的尺寸不能太小，因而存儲密度不易提高。而在垂直磁記錄方式的情況下，記錄介質(zhì)中的磁化矢量垂直于截至平面取向的，每個磁化區(qū)域的翻轉都是近乎獨立的，有利于提高存儲密度。這需要薄
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