薄膜材料物理--第三章金屬薄膜的導(dǎo)電(2)(編輯修改稿)
2025-02-03 07:51 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 ? ? ????? ? ? ??aa設(shè) 島 的 斷 面 為 ， 所 以 一 個(gè) 電 子 從 一 個(gè) 島 到 下 一 個(gè) 島在 單 位 時(shí) 間 內(nèi) 躍 遷 次 數(shù) 為 ： 設(shè) 平 均 島 間 距 離 為 所 以 載 流 子 傳 輸 速 度 和 遷 移 率 為 : 注 ： 在 溫 度 下 ， 帶 有 電 子 的 小 島 數(shù) 為 ： （ 單 位 面 積 ）()e x p( )xnNkT? ???第 五 講 第三章 金屬薄膜的導(dǎo)電 式中： N是島 狀薄膜單位面積內(nèi)小島數(shù)目， 是活化能。即是將一個(gè)電子從一個(gè) 中性小島移到另一個(gè)中性小島所需要的能量。設(shè)每個(gè)小島的體積為 4/3πa3, 則島狀薄膜總體積為： 343Na?? ?39。333 e x p4 43axnna kTaN?????? ? ????? ??????? ?39。2 234 e x p 2 e x p4aaxddn q q ma h k T??? ? ? ????? ? ? ??????? ??并設(shè)帶電的小島帶一個(gè)電子（成一個(gè)空穴）。 則島狀薄膜的載流子密度： 所以島狀薄膜的電導(dǎo)率為： ? ?39。 x?第 五 講 第三章 金屬薄膜的導(dǎo)電 ? ?39。2 234 e x p 2 e x p4aaxddn q q ma h k T??? ? ? ????? ? ? ??????? ??? ?39。234 e x p 2 e x p4a a axV d dJ E q V md a h k T??? ? ? ????? ? ? ? ?????????2 ad??? ?32432Fadad???? ? 232143aF a FaadRdda?????? ? ???????口相鄰兩島的中心距離為 ∴ 薄膜的方塊電阻為： ∴ 薄膜的電流密度為： 所以島狀薄膜的電導(dǎo)率為： 第 五 講 第三章 金屬薄膜的導(dǎo)電 結(jié)論：小島線度 a↓→ 載流子密度 na↑→σ a↑→R 口 ↓ 島間距離 d↑→ σ a ↓ （ ∵ 指數(shù)衰減比 d2增加快） 關(guān)于島狀薄膜電導(dǎo)理論： 還有允許態(tài)間隧道理論 … 通過基片的隧道理論 … 第 五 講 第三章 金屬薄膜的導(dǎo)電 ,FRbd??? ?39。21 xd R d nT C RR d T d T k T??? ? ? ?T C R Fd ndd n d nl d nbd T d T d T d T?? ? ? ? ?1 Fd n ddnd T d
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