薄膜材料物理--第一章薄膜的形成(1)-資料下載頁
2025-01-07 07:51本頁面
【正文】 大 值? 可見臨界核最不穩(wěn)定，只有 r r*→ ?G↓→ 才穩(wěn)定 第一講 第一章 薄膜的形成 svvvvararG r r fG r f gG f r g rdGr G fdr g? ? ? ?? ? ? ???? ? ? ? ???? ? ??? ? ?212 2 223220033203002 c os 2 c ossi n si n2 3 c os c os4 ( )44 ( )31 ( )320 , 16 ( ) / 3**? ? ?? ? ???? ? ? ????? ? ??? ? ? ? ? ?假 設(shè) 微 滴 為 球 帽 形（ 1 ） 面 積 （ 1 ）面 積（ ） =4形 成 該 微 滴 后 ， 體 系 總 的 自 由 能 變 化4 （ ） vg2 ?? r1?2?0?第一講 第一章 薄膜的形成 fG??? ? ? ???????2 0 10 ( ) 0 0c os0*? ? ? ? ????? ? ??22201 當(dāng) 時 ， 完 全 潤 濕 ， ， 即 形成 穩(wěn) 定 核 無 需 克 服 能 量 位 壘 ， 由 ，可 知 ， 則 最 大 ?；?片 表 面 上 有 臺 階 、 微 裂 縫 等 ， 有 助 于 （+ ） 促 進(jìn) 成 核第一講 第一章 薄膜的形成 ② 成核速率 ? 在單位面積，單位時間內(nèi)產(chǎn)生的穩(wěn)定核數(shù)量 — 臨界核長大速率 ? 臨界核長大 ,入射原子直接與臨界核碰撞相結(jié)合 (很少） 吸附原子做表面遷移 → 碰撞 → 結(jié)合（為主） ? 臨界核長成穩(wěn)定核的速率決定于： ①單位面積上的臨界核數(shù) — 臨界核密度 ②每個臨界核的捕獲范圍 ③所有吸附原子向臨界核運動的總速度 第一講 第一章 薄膜的形成 ① 臨界核密度 n0— 單位面積上的吸附點數(shù) (1015/cm2) Z — 色爾道維持修正因子， Z≈10 2 例如， Ag在 NaCl上沉積， n* ≈10 11/cm2 ② 每個臨界核的捕獲范圍為： ③每個吸附原子的表面遷移速度： ④在基片單位表面上吸附的原子數(shù)（原子密度）為： Ar??2 s i n*?xPv a v E k T a0 0 // 0e x p( / ) ? ? ? 吸 附 點 間 的 距 離pPR R E k Tv?01( ) e x p( / )??1nn Z n G kT0 e x p ( / )**?? ?? *r?sin*r第一講 第一章 薄膜的形成 xPPI n A n v I Zn A n v ZE E GvI Zn a R rv kT??111000 ( 2 si n ) e x p ( )****? ? ? ?????2比 例 系 數(shù) ， 約 為 10微 滴 的 表 面 能 和 體 積 的 自 由 能 變 化 用 塊 材 數(shù) 值 不 ？?所以成核速率：
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