半導(dǎo)體材料的拋光-資料下載頁
2025-07-25 13:57本頁面
【正文】 執(zhí)行修正墊料。合適的工藝適應(yīng)調(diào)節(jié)工具仍沒有充分開發(fā)。CMP技術(shù)在潔凈區(qū)域的應(yīng)用進(jìn)行了相當(dāng)有爭議的討論，因?yàn)榍謇砟チ项w粒是一個(gè)問題。但是，在理論上，這個(gè)問題被已經(jīng)被解決了。對(duì)于清洗，不同的流程，例如水和超聲波浴在今天已經(jīng)被使用。CMP材料去除過程包括一個(gè)化學(xué)過程和機(jī)械過程。圖5所示為去除速率對(duì)拋光壓力和溫度的依賴性。由于化學(xué)和機(jī)械之間的相互作用，總除去率比每個(gè)單獨(dú)去除的總和要高。去除率隨著壓力的增加而增加，飽和度大約從1牛頓/平方厘米開始。顆粒濃度的增加也會(huì)使去除率增加，一般使用1%（質(zhì)量百分比）濃度。溫度的提高對(duì)去除率的提升有著顯著效果，但是高溫度下的操作會(huì)影響極其的精度。3總結(jié)如今，半導(dǎo)體材料的拋光是半導(dǎo)體技術(shù)的關(guān)鍵。對(duì)相對(duì)較新的化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)的更好的理解和應(yīng)用是十分重要的。此技術(shù)由玻璃拋光衍生而來，由于有可用的模型，CMP技術(shù)將會(huì)在實(shí)踐中進(jìn)一步發(fā)展。由于關(guān)于CMP的項(xiàng)目的研究結(jié)果是保密的，其具體信息十分罕見，所以這項(xiàng)技術(shù)的研究也變得相當(dāng)復(fù)
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