半導(dǎo)體的發(fā)展與歷史-資料下載頁(yè)
2025-06-21 13:59本頁(yè)面
【正文】 研究半導(dǎo)體科學(xué)，把半導(dǎo)體技術(shù)列為國(guó)家四大緊急措施之一。中國(guó)科學(xué)院應(yīng)用物理所首先舉辦了半導(dǎo)體器件短期培訓(xùn)班。請(qǐng)回國(guó)的半導(dǎo)體專家黃昆、吳錫九、黃敞、林蘭英、王守武、成眾志等講授半導(dǎo)體理論、晶體管制造技術(shù)和半導(dǎo)體線路。在五所大學(xué)――北京大學(xué)、復(fù)旦大學(xué)、吉林大學(xué)、廈門(mén)大學(xué)和南京大學(xué)聯(lián)合在北京大學(xué)開(kāi)辦了半導(dǎo)體物理專業(yè)，共同培養(yǎng)第一批半導(dǎo)體人才。培養(yǎng)出了第一批著名的教授：北京大學(xué)的黃昆、復(fù)旦大學(xué)的謝希德、吉林大學(xué)的高鼎三。1957年畢業(yè)的第一批研究生中有中國(guó)科學(xué)院院士王陽(yáng)元（北京大學(xué)微電子所所長(zhǎng)）、工程院院士許居衍（華晶集團(tuán)中央研究院院長(zhǎng)）和電子工業(yè)部總工程師俞忠鈺（北方華虹設(shè)計(jì)公司董事長(zhǎng)）。 1957年，北京電子管廠通過(guò)還原氧化鍺，拉出了鍺單晶。中國(guó)科學(xué)院應(yīng)用物理研究所和二機(jī)部十局第十一所開(kāi)發(fā)鍺晶體管。當(dāng)年，中國(guó)相繼研制出鍺點(diǎn)接觸二極管和三極管（即晶體管）。 1958年，美國(guó)德州儀器公司和仙童公司各自研制發(fā)明了半導(dǎo)體集成電路（IC）之后，發(fā)展極為迅猛，從SSI（小規(guī)模集成電路）起步，經(jīng)過(guò)MSI（中規(guī)模集成電路），發(fā)展到LSI（大規(guī)模集成電路），然后發(fā)展到現(xiàn)在的VLSI（超大規(guī)模集成電路）及最近的ULSI（特大規(guī)模集成電路），甚至發(fā)展到將來(lái)的GSI（甚大規(guī)模集成電路），屆時(shí)單片集成電路集成度將超過(guò)10億個(gè)元件。 1959年，天津拉制出硅（Si）單晶。 1960年，中科院在北京建立半導(dǎo)體研究所，同年在河北建立工業(yè)性專業(yè)化研究所――第十三所（河北半導(dǎo)體研究所）。 1962年，天津拉制出砷化鎵單晶（GaAs），為研究制備其他化合物半導(dǎo)體打下了基礎(chǔ)。 1962年，我國(guó)研究制成硅外延工藝，并開(kāi)始研究采用照相制版，光刻工藝。 1963年，河北省半導(dǎo)體研究所制成硅平面型晶體管。 1964年，河北省半導(dǎo)體研究所研制出硅外延平面型晶體管。 1965年12月，河北半導(dǎo)體研究所召開(kāi)鑒定會(huì)，鑒定了第一批半導(dǎo)體管，并在國(guó)內(nèi)首先鑒定了DTL型（二極管――晶體管邏輯）數(shù)字邏輯電路。1966年底，在工廠范圍內(nèi)上海元件五廠鑒定了TTL電路產(chǎn)品。這些小規(guī)模雙極型數(shù)字集成電路主要以與非門(mén)為主，還有與非驅(qū)動(dòng)器、與門(mén)、或非門(mén)、或門(mén)、以及與或非電路等。標(biāo)志著中國(guó)已經(jīng)制成了自己的小規(guī)模集成電路。 1968年，組建國(guó)營(yíng)東光電工廠（878廠）、上海無(wú)線電十九廠，至1970年建成投產(chǎn)，形成中國(guó)IC產(chǎn)業(yè)中的“兩霸”。 1968年，上海無(wú)線電十四廠首家制成PMOS（P型金屬－氧化物半導(dǎo)體）電路（MOSIC）。拉開(kāi)了我國(guó)發(fā)展MOS電路的序幕，并在七十年代初，永川半導(dǎo)體研究所（現(xiàn)電子第24所）、上無(wú)十四廠和北京878廠相繼研制成功NMOS電路。之后，又研制成CMOS電路。 七十年代初，IC價(jià)高利厚，需求巨大，引起了全國(guó)建設(shè)IC生產(chǎn)企業(yè)的熱潮，共有四十多家集成電路工廠建成，四機(jī)部所屬?gòu)S有749廠（永紅器材廠）、871（天光集成電路廠）、878（東光電工廠）、4433廠（風(fēng)光電工廠）和4435廠（韶光電工廠）等。各省市所建廠主要有：上海元件五廠、上無(wú)七廠、上無(wú)十四廠、上無(wú)十九廠、蘇州半導(dǎo)體廠、常州半導(dǎo)體廠、北京半導(dǎo)體器件二廠、三廠、五廠、六廠、天津半導(dǎo)體（一）廠、航天部西安691廠等等。 1972年，中國(guó)第一塊PMOS型LSI電路在四川永川半導(dǎo)體研究所研制成功。——6 / 6
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