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2025-07-24 14:55本頁面
【正文】 lifier ,SAMP） ，以準備新的工作行。 ?注：讀出放大器（ Sense Amplifier ,SAMP）的工作原理：重新加入比較電壓（一般是電容電壓的 1/2），以幫助判斷讀取數(shù)據(jù)的邏輯電平（ 因為 SAMP是通過一個參考電壓與存儲體位線電壓的比較來判斷邏輯值的 ）。 ?具體而言，就是將 SAMP中的數(shù)據(jù)回寫，即使是沒有工作過的存儲體也會因為行選通而使存儲電容受到干擾，所以也需要 SAMP進行讀后重寫。此時電容的電量（其產(chǎn)生的電壓）將是判斷邏輯狀態(tài)的依據(jù)（讀取時也需要）。一般設(shè)定電容電量的 1/2為臨界值。超過它的為邏輯 1，進行重寫，否則為 0，不進行重寫（等于放電）。 ? （ Refresh）： DRAM必須要不斷進行刷新才能保留數(shù)據(jù)，因此是 DRAM最重要的操作！ 刷新（ Refresh ）與預(yù)充電中重寫的操作一樣，都是 SAMP先讀再寫。 ? Refresh是固定的周期，依次對所有行進行操作，以保留那些久久沒經(jīng)歷重寫的存儲體中的數(shù)據(jù)。 Refresh不同于預(yù)充電，預(yù)充電是對一個或所有 LBank中的工作行進行操作，并且是不定期的。 刷新操作分為兩種： Auto Refresh(簡稱 AR)與Self Refresh(簡稱 SR)。 ? ：為了屏蔽不需要的數(shù)據(jù)，我們采用了數(shù)據(jù)掩碼（ Data I/O Mask, DQM）技術(shù)。通過DQM，內(nèi)存可以控制 I/O端口取消哪些輸入或輸出的數(shù)據(jù)。 SDRAM官方規(guī)定，在讀取時 DQM發(fā)出兩個時鐘周期后生效；而在寫入時， DQM與寫入命令一樣是立即生效。 That’s all, Thank you !!
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